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时间:2019-03-07
《武汉工程大学 电子技术基础习题集 模电答案》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、电子技术习题集模电部分参考答案第一单元练习答案一、填空题1.+3,空穴,+5,自由电子,掺杂浓度,温度(或本征激发)2.单向导电性3.齐纳,雪崩,4.双极结型晶体三级管,NPN,PNP,自由电子,空穴,电流,输入电流,输出电流5.饱和区、放大区、截止区,发射结、集电结6.正向,反向7.1+β,小8.集电极电流IC、发射极电流IE,集电极电流IC、基极电流IB9.左移,上移,增大二、选择题1.C、A2.A、E、B、D3.C4.A5.C6.A三、简答与计算12电子技术习题集模电部分参考答案34.图(a)D截止,VAO=-12V;图(b)D1截止,D2
2、导通,VAO=-6V5.VA>VBD导通6.UO1=6V,UO2=5V。7.略(上课讲过)8.略9.解:(1)Rb=50kΩ时,基极电流、集电极电流和管压降分别为V-UI=BBBE=26μABRbI=bI=2.6mACBU=V-IR=2VCECCCC所以输出电压UO=UCE=2V。(2)设临界饱和时UCES=UBE=0.7V,所以V-UCCCESI==2.86mACRcII=C=28.6mABbV-UBBBER=»45.4kWbIB电子技术习题集模电部分参考答案第二单元练习答案一、填空题VVCC-BEVVCC-CEQ1、(1),565;,3IbI
3、BQBQU&b(RR//)1oLC(2)-,-120;-=U&&AU&,0.3U&ri2uiibe2、共射,共集,共基3、等于;小于;大于44、80,105、各单级放大倍数的乘积,各单级相移之和,从输入级看进出的等效电阻,从末级看进出的等效电阻,负载电阻,信号源内阻6、直接耦合,阻容耦合和变压器耦合,阻容耦合和变压器耦合,直接耦合,变压器耦合,直接耦合,直接耦合二、选择题1、(1)A(2)C(3)B(4)B2、B;A;A3、A;C;B4、B;B;C;C;B5、C6、A7、A8、C三、判断题×√××√××四、综合题1、(a)将-VCC改为+VCC。
4、(b)在+VCC与基极之间加Rb。(c)将VBB反接,且在输入端串联一个电阻。(d)在VBB支路加Rb,在-VCC与集电极之间加Rc。电子技术习题集模电部分参考答案第三单元练习答案一、填空题1、利用输入电压的电场效应来控制其输出电流【或者说一种载流子(多子)参与导电】,利用输入电流控制输出电流【或者说两种载流子(电子和空穴)参与导电】,场效应管,晶体三极管。电压,很高。电流。可变电阻区、恒流区、夹断区。B、C、E,NPN、PNP。2、结型,绝缘栅型,多数载流子3、结型场效应管、耗尽型MOS管二、判断题√×三、问答题1、(a)N沟道耗尽型MOSFE
5、T,Vp=-3V(b)P沟道耗尽型MOSFET,Vp=2V(c)P沟道增强型MOSFET,VT=-4V2、已知放大电路中一只N沟道场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V,管子工作在恒流区。试判断它可能是哪种管子(结型管、MOS管、增强型、耗尽型),并说明①、②、③与G、S、D的对应关系。解:管子可能是增强型管、耗尽型管和结型管,三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如图所示。3、增强型FET能否用自偏压的方法来设置静态工作点?试说明理由。解由于增强型MOS管在vGS=0时,iD=0(无导电沟道),必须在
6、vGS
7、>
8、VT
9、(VT为
10、开启电压)时才有iD,因此,增强型的MOS管不能用自偏压的方法来设置静态工作点。四、综合、计算题1、电路如图3-2(a)所示,T的输出特性如图3-2(b)所示,分析当uI=4V、8V、12V三种情况下场效应管分别工作在什么区域。电子技术习题集模电部分参考答案图3-2(a)图3-2(b)解:根据图图3-2(b)所示T的输出特性可知,其开启电压为5V,根据图3-2(a)所示电路可知所以uGS=uI。当uI=4V时,uGS小于开启电压,故T截止。当uI=8V时,设T工作在恒流区,根据输出特性可知iD≈0.6mA,管压降uDS≈VDD-iDRd≈10V因
11、此,uGD=uGS-uDS≈-2V,小于开启电压,说明假设成立,即T工作在恒流区。当uI=12V时,由于VDD=12V,必然使T工作在可变电阻区。2、解:(a)可能(b)不能(c)不能(d)可能3、解:因为三只管子均有开启电压,所以它们均为增强型MOS管。根据表中所示各极电位可判断出它们各自的工作状态,如解表3-1所示。解表3-1管号UGS(th)/VUS/VUG/VUD/V工作状态T14-513恒流区T2-43310截止区T3-4605可变电阻区4、解(1)假设JFET工作于恒流区,则静态时:2IDQ=IDSS(1-VGS/VP),得VGSQ=
12、-0.4V而静态时,iG=0,无电流流过RG,则Rg2V=-VIRGSQCCDQRR+V=V-+I()RRgg12DSQCCDQDR=1
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