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1、第!"卷#第$期液#晶#与#显#示;.2?8@，!%%&文章编号："%%AB!AC%（!%%&）%$B%$%&B%D不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响庄筱磊，徐洪光，张积梅，何#钧，施#展，周#刚，余#峰，黄#浩（上海广电电子股份有限公司平板显示研发中心，上海#!%%%C"，EBF1)2：017GH(/1*IJ"&K@?.F）摘#要：从生产角度研究了基板表面的预处理工艺对>4E9性能的影响，分别用L;>H.*+、氧M21,F1以及两者相结合的方式对基板进行
2、表面处理，并按照生产工艺制作器件，从接触角、方阻以及光电特性等测试结果对各种表面处理的样品进行比较。结果表明以上处理都改善了器件性能，不同程度提高了器件的清洁度、亮度和发光效率，其中L;>H.*+和氧M21,F1!结合的方式处理效果最为显著，器件在"%;时亮度达到ANN!%?6OF，比其他两种处理方式亮度提高约!$P。关#键#词：有机电致发光显示器；表面预处理；接触角；发光效率中图分类号：Q=CAK@K###文献标识码：R了接触角、方阻、功函数的测试；并在不同表面处"#引##言理的各个基板上按照生产工艺进行制作同样结构自"NCA年Q1*I等人首次制成低压直流驱动的绿色器件来进行光
3、电参数特性的比较。各器件［"］的有机电致发光显示器（>4E9）以来，其性能预处理工艺如下：［!UD］得到长足进步。现在>4E9已从实验室走进器件"，L;>H.*+处理；器件!，氧M21,F1处了生产厂家，各种单色、全彩的器件应用于手机、理；器件K，L;>H.*+和氧M21,F1处理。V:K等便携式数码产品上，其批量制造工艺日臻器件结构如下：WQ>（"$%*F）OXW4（K$*F）O［$］完善。=MS（!$*F）OR25K（K$*F）Y’$D$Q（"P）OR25K在如今的>4E9生产工艺流程中，在基板进（K%*F）O4)Z（"*F）OR（2"%%*F），上述材料均作入真空镀膜工艺之
4、前，通常进行清洗和表面预处为生产使用所购置的商品化量产材料。理工艺，而不同的生产厂商会使用不同的预处理清洗工艺为标准生产设备：碱性清洗剂清洗，方式，其中L;>H.*+以及氧M21,F1等是比较常纯水清洗，超声清洗，纯净压缩空气吹干等工艺流见的表面预处理工艺。本文从生产角度研究了程。并分别进行L;>H.*+紫外臭氧处理；真空条>4E9基板表面的预处理工艺的效果，采用L;件下[Z:21,F1>!处理。有机材料蒸发速率为>H.*+、M21,F1以及两者相结合的方式进行表面处%@"U%@$*FO,，阴极蒸发速率为%@$*FO,；成膜B&理后，从接触角和方阻值等方面进行测试比较，按真空度大
5、约为C"%M1。照生产工艺制作器件，通过对其光电特性、发光效基板WQ>表面的方阻由四探针方阻测试仪测率等测试结果对各种表面处理的效果进行比较，得；接触角由]/031?+R*127,),]7,8+F（]RQ）测量；在实施生产中寻找最有效的预处理工艺。器件的亮度、电流和电压由^+)8(2+7!D%%，V)*.2814]"%%组建的W;4测试系统测量。!#实##验K#结果与讨论对未清洗、清洗后、清洗后再进行L;>H.*+处理、清洗后进行M21,F1处理和清洗后进行L;分别对WQ>面电阻为""@NN!O*的基板进处理和M21,F1处理的几块基板的WQ>表面进行行了清洗处理、清洗加上L;
6、>H.*+臭氧处理、清##收稿日期：!%%&B%AB%!；修订日期：!%%&B%ABK"##基金项目万方数据：上海市青年科技启明星计划（S类）（=.@%&TS"D%$"）第!期庄筱磊，等：不同表面预处理对有机电致发光显示器性能的影响!$"#洗加上氧%&’()’处理，以及清洗后进行*+,-./0同电压下，器件6（*+加%&’()’）的电流最大，器和%&’()’处理，用四探针方阻仪所测得的12,面件3（*+）的电流最小；器件3工作电压为3"+电阻的情况如表3。各种表面处理的方式对于12,表面的面电阻的改变程度不同，与清洗前的表面电阻相比，清洗、清洗加*+的变化不到"43!5*；清洗加
7、%&’()’加*+后的变化也只有"436!5*；而最后进行%&’()’处理的方阻变化最大，氧%&’()’处理改变了12,薄膜表面的导电性，使得12,的方阻有一定程度的［7］降低。表!"各种表面预处理后方阻的比较2’8&03$9.):’;<(./.=>?0(?00>;0(<(>’/@0’=>0;A<==0B;0/>(C;=’@0:;0B>;0’>)0/>(预处理平均方阻值（!5*）图3$不同预处理工艺器件的!"#曲线未清洗334DDO0;<(><@(.
