s08_05_freescale hcs08单片机键盘模块编程应用【freescale 单片机原理及应用】

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1、Freescale单片机原理及应用FreescaleHCS08单片机键盘模块编程应用Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.ChinaFreescaleHCS08单片机键盘模块编程应用••ContentsandObjectives:ContentsandObjectives理解矩阵键盘原理掌握KBI模块原理，学会KBI模块设计进一步认识

2、“对MCU外部管脚/内部模块的控制正是通过Regs的控制来实现”Slide1Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China5.1概述MC9S08AW60系列MCU内部具有一个键盘中断KBI（KeyboardInterrupt）模块，它具有8个键盘中断输入管脚，这8个管脚和端口D和端口G的管脚复用：•KBIP7、PTD7、AD15三者功能复

3、用。•当PTD7管脚允许作为KBIP7使用后，不管端口D的数据方向位为何值，管脚都被强制为输入，端口D的上拉允许寄存器仍然用于控制上拉电阻，仍然可以通过读端口D的数据寄存器来获取端口状态（不过这需要端口D的DDR的第7位为0）。•其余管脚和KBIP7类似Slide2Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China5.1概述KBIP3～KBI

4、P0总是下降沿/低电平触发，KBIP7～KBIP4可以被配置成上升沿/高电平触发或者下降沿/低电平触发。当允许任何一个KBIP7～KBIP0管脚被允许并被配置为上升沿/高电平触发，且通过相应的端口上拉允许位为管脚允许了上拉电阻时，管脚的下拉电阻将取代上拉电阻。Slide3Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China5.2内部结构及功能•

5、KBIP3～KBIP0结构相同•KBIP7～KBIP4结构相同Slide4Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China5.2内部结构及功能•KBI1PE寄存器中的KBIPEn控制位允许用户通过设定来选定相应的管脚作为KBI功能，当允许KBI功能（KBIPEn=1）时，同步逻辑监测KBI1Pn管脚上的边沿事件或边沿和电平事件，一旦KBI1

6、Pn管脚出现脉冲事件，则KBI模块会产生一个KBI中断请求。Slide5Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China5.2内部结构及功能•KBIP3～KBIP0总是下降沿/低电平触发。•KBIP7～KBIP4可以被配置成上升沿/高电平触发或者下降沿/低电平触发KBEDGn=0，监测负边沿事件KBEDGn=1，监测正边沿事件Slide

7、6Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformationEngineeringDepartmentofHuazhongUniversityofScienceandTechnologyWuhan,Hubei430074,P.R.China5.2内部结构及功能•到底是由边沿触发KBI中断还是由电平触发KBI中断则由KBIMOD位确定：KBIMOD=0，仅边沿触发KBI中断KBIMOD=1，边沿和电平均可触发KBI中断Slide7Copyright©YangMing.2010.ElectronicsandInformat