二氧化硅包被的超顺磁性氧化铁纳米颗粒介导的内皮祖细胞对实验性脑缺血的靶向治疗作用

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1、上海交通大学硕士学位论文上海交通大学硕士学位论文二氧化硅包被的超顺磁性氧化铁纳米颗粒介导的内皮祖细胞对实验性脑缺血的靶向治疗作用硕士研究生：李倩云学号：1107209159导师：杨国源申请学位：硕士学位学科专业：神经病学研究方向：脑血管病的基础与临床所在单位：瑞金医院答辩日期：2013-05-10授予学位单位：上海交通大学万方数据上海交通大学硕士学位论文DissertationSubmittedtoShanghaiJiaoTongUniversityfortheDegreeofMasterSilica-coatedsuperparamagn

2、eticironoxidenanoparticlestargetingofEPCsinischemicbraininjuryCandidate:QianyunLiStudentID:1107209159Supervisor:Guo-YuanYangAcademicDegree:MasterSpecialty:NeurologyAffiliation:RuijinHospitalDateofDefense:2013-05-10Degree-Conferring-Institution:ShanghaiJiaoTongUniversity万方数

3、据上海交通大学硕士学位论文万方数据上海交通大学硕士学位论文万方数据上海交通大学硕士学位论文二氧化硅包被的超顺磁性氧化铁纳米颗粒介导的内皮祖细胞对实验性脑缺血的靶向治疗作用摘要背景：研究证明内皮祖细胞（EPCs）经静脉移植对缺血损伤有治疗作用，但是经此途径注射的内皮祖细胞，抵达损伤部位的仅占移植细胞总数的很小一部分，这在很大程度上制约了EPCs的治疗潜力(1,2)。本课题研究用硅包磁性纳米颗粒（SiO4@SPIONs）标记EPCs，探讨在磁场作用下能否增强EPCs向短暂性大脑中动脉阻塞（tMCAO）的小鼠脑缺血区迁移，进而增强治疗作用。材料与

4、方法：用二氧化硅包被超顺磁性纳米颗粒（SPIONs）。从人脐带血中分离培养EPC，用SiO4@SPIONs标记EPC（SiO4@SPIONs-EPCs）并确定最佳浓度。然后经细胞计数试剂盒-8（CCK-8）、迁移实验、成管实验检测SiO4@SPIONs和磁场两个条件对内皮祖细胞活力、增殖和功能的影响。检测磁场对流动状态下的SiO4@SPIONs-EPCs是否有吸引作用。将SiO4@SPIONs-EPCs经颈静脉注射入tMCAO小鼠，同时紧贴颅骨置磁铁（0.3T）2小时，24小时后检测归巢到脑缺血侧的EPCs的数量。分别在2周和4周后检测小鼠

5、的神经行为、脑萎缩体积、血管密度、血管内皮生长因子（VEGF）的表达。结果：SiO4@SPIONs最佳孵育浓度为10g/ml，浓度SiO4@SPIONs孵育EPC2小时不影响细胞增殖、迁移和成管能力。外加磁场足以吸引到流动状态下的SiO4@SPIONs-EPCs。细胞注射24小时后，与对照组相比到达缺血侧的细胞数量明显增加。在细胞注射2周和4周后，与对照组相比，SiO4@SPIONs-EPCs注射外加磁场组神经行为恢复最好、脑梗死体积明显减小、血管密度更大，VEGF表达更多。结论：外加磁场在不影响EPCs存活和迁移的情况下极大地促进了EP

6、C归巢，从而明显促进小鼠神经行为的恢复。我们的实验结果表明通过外加磁场的靶向作用可以加强EPC在神经疾病中的治疗作用。万方数据上海交通大学硕士学位论文关键词：血管新生，内皮祖细胞，缺血，磁靶向，超顺磁性纳米颗粒，脑卒中万方数据上海交通大学硕士学位论文SILICA-COATEDSUPERPARAMAGNETICIRONOXIDENANOPARTICLESTARGETINGOFEPCSINISCHEMICBRAININJURYABSTRACTOBJECTIVES---Intravenoustransplantationofendothelial

7、progenitorcells(EPCs)contributedtoreducedischemicinjury,butonlyasmallportionoftransplantedcellsmigratedtodamagedsitesusingthisway(1,2).Inthepresentstudy,wetransplantedsilicacoatedsuper-paramagneticironoxidenanoparticles(SiO4@SPIONs)-labeledEPCsintravenouslytocerebralischem

8、icmousetoexplorewhetherexertinganexteriormagneticfieldcouldpromotethemigrationofSiO4@SPIO