新型电容传感器结构的设计new

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1、第23卷第3期辽宁师范大学学报(自捕科学版)Vo1.23No.32000年9月JournalolLiaoningNormalUniversity(NaturalScienceEdition)Sep.2000文章编号:1000-1735(2000)03·0272·03④27新型电容传感器结构的设计;T刘丽娟(辽宁师范大学物理系.辽宁大连116029)摘要:提出了一种采用变间距差动式电容结构设计的电容压力传感器,并详细讨论了弹性体厚度舶理论计算和版图的设计.此种传感器是用来测量近海海水耀度和浪高.并由此得到潮汐的变化的.这种差动式结构是利用压力作用在可动电

2、扳上,在微机械加工的过程中.采用某种莲接,太大提高了传感器的灵敏度和测量精度.美键词:皇查壁盛芝t微机械加工;弹性体;曼教度中囤分类号TM934.2~TNT02文献标识码:A拘计1传感嚣的总体结构设计琵测量黻近年来.一些近海工程如海上平台、海岸建筑、养殖、造船等常常需要对海水深度、波浪及潮汐进行测量和预报,本文设计的传感器就是用来测量海水浪高的.总体设计思想是采用具有过载保护的变间距式的差动结构,。即将压力作用在可动电极上,在压力作用下改变它与两固定电极间的距离,引起电容值发生变化,一个值增大,另一个值减小.在后续的处理电路中将它们连接在电桥相邻两臂上

3、,传感器的结构如图1所示.2弹性体的设计我们设计中采用了中央加厚的岛膜结构

4、]],由于岛的厚度远远大于膜的厚度,岛的刚度与其厚度的立方成正比,所以岛上剐度很大,故岛上极板处的挠度变化远小于感受压力的薄膜片上挠度的变化,可以近似认为在压力作用下,岛是向下平动的,且岛上不发生弯曲,也就是说岛上极板的各处挠度是相同的,均为最大挠度.2.1弹性膜厚的设计在压力作用下,膜板会发生变形,产生挠度和弯矩.用挠度表示的径向和切向的弯矩为2];M—一D(+手)=一D(+孥)式中为挠度,y为泊松比,r为模板半径,D为弯曲刚度,其值D=,E为材料的杨式模量,h为膜厚·用挠度

5、表示的均匀厚板剪力:QtD[{_(r)]板的挠度应满足的平衡方程为:÷{rd.[1(r)])一p/D(p、D均为常数时)p为模板所受压力.由常微分方程理论可得一般解为:收稿日期:l999l2蛐作者简介刘丽娟(1966一).女,辽宁黑山人、辽宁师范大学讲师,珥士第3期刘丽娟:新型电客传毒器姑构的设计273r4=c1+c2Inr+f3r+C4r2Inr-4-6p4f2、岛、“为待边界条件确定的常数.我们采用的岛型弹性元件,如忽略中央加厚部分的偏心影响,可模型化为受均匀压力的厚度变化为阶梯形的变化的薄板.它的力学模型为如图2所示.一Ch2,p上式对于具有均匀

6、厚度的每一段板式上都是适用的,只是在不同的厚度区应取不同的D值,因此可写成:tcr(r)=clnr+clnr+c+c+蔷o≤r≤r【叫)一日lnr+—lnr+一十日+r】≤r≤d其中D1:,D一在r一0处·挠度w和弯矩应有限,由此可知C=c一0,上式中其余六个参数由r=r处的弯矩M、剪力Q挠度及转角的连续条件及在r一处的边界条件即()=0,)一0决定.在r=r】处,厚度虽然变化,但剪力却是连续的Q(r1—0)=Q(r】+O)可推得:B=O这样可以得到五个方程,组成方程组:1naBa+粕。+一吉且+s一InriB1州oB+日c一c一64r"D一)~+一c

7、:等c击一一一zc十—zc+一。在本设计中n=2mm=1mm,hi=o.4mm,泊松比y=o.35,测海浪时户一150kPa,代入方程中,得到含有日、;、B、CnC4的五个方程,将h看成常数,解得c:4.6×10+塾旦王兰—旦+旦—兰二1—5C4———匾量一舯x=h2~在r一0处,"(O)=0.05mm,即C{=0.05mm,由此解出h2=0.094mm24辽宁师范大学学报(自端科学版)第23卷2.2传感器板图的设计根据以上的分析,该设计采用(1oo)晶面N型单晶硅,硅片本小为2ominX20mm·在其上制作四个传感器,即每个传感器使用硅片大小为10m

8、mX10mm,板图的主视图、切面图如图3所示·圈3传嘉器艟圈设计按此版图设计,计算出的测量浪高的传感器的电容初值为9.5pF.此结构的传感器测量浪高的范围为0~15m,初步测量精度为0.4%FS,基本接近进口的同类传感器,达到设计要求.参考文献[1]李听腴.维纯攘.宠世信.等高精度硅电容压力传感器的研究[J].仪表技术与传感器t1996(i0):7-10-[2]牛薄芳半导体传感器原理盈应用[M].大连:大连理工大学出版社一1993165‘167·TheStructureDesignofaNewCapacitanceSensorLIULi-juan(De

9、partmeatofPhysicsrLiaoningNormalUniversity—Dali

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