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时间：2019-03-06
《硅基pzt压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第!"卷!第#期半!导!体!学!报6789!"!)79#!$$%年#月&'()*+*,-./)01-2+*3(&-)4.&5-/+3:;!!$$%硅基'L压电薄膜微传感器的结构设计和实验研究娄利飞V!杨银堂!李跃进!张!萍"西安电子科技大学微电子学所宽禁带半导体材料与器件教育部重点实验室!西安!%M$$%M#摘要#对硅基锆钛酸铅"2、形化进行了较为详细的实验研究!最后成功地制备出硅基3、化合进入系统集成时代!在集成化芯片系统中!不仅需要物进行刻蚀!有时会在薄膜表面生成不易挥发的2'"(强大的信号处理*运算分析能力!同时需要感知外界和&化合物!或者类似侧墙结构的物质!这些都信号的微传感器以及将运算结果作用于外界环境的会影响刻蚀速度和最终的性能9因此!我们采用先图微执行器9目前!微传感器和微执行器技术的研究比形化未结晶的4、感器的另一种新途径9通过压电效应!典结构!获得了硅基5、S4!'L压电薄膜微传感器结构设计的新领域9锆钛酸铅"6、多地应用在微传感器和微执行器中!整个悬臂梁结构被固定在覆盖有+H层的+H衬W)T压电膜与硅微机械加工技术结合可以制作压电底上9在硅衬底表面刻蚀一个有一定深度的阱!给悬3*3+器件9在硅基7、*P:H8%87C8HJ?H!P:H89aHEH:I9?EC9@I!!$$KRMMRW$收到!!$$%R$MR$#定稿"!$$%中国电子学会第#期娄利飞等%!硅基8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
2、形化进行了较为详细的实验研究!最后成功地制备出硅基3、化合进入系统集成时代!在集成化芯片系统中!不仅需要物进行刻蚀!有时会在薄膜表面生成不易挥发的2'"(强大的信号处理*运算分析能力!同时需要感知外界和&化合物!或者类似侧墙结构的物质!这些都信号的微传感器以及将运算结果作用于外界环境的会影响刻蚀速度和最终的性能9因此!我们采用先图微执行器9目前!微传感器和微执行器技术的研究比形化未结晶的4、感器的另一种新途径9通过压电效应!典结构!获得了硅基5、S4!'L压电薄膜微传感器结构设计的新领域9锆钛酸铅"6、多地应用在微传感器和微执行器中!整个悬臂梁结构被固定在覆盖有+H层的+H衬W)T压电膜与硅微机械加工技术结合可以制作压电底上9在硅衬底表面刻蚀一个有一定深度的阱!给悬3*3+器件9在硅基7、*P:H8%87C8HJ?H!P:H89aHEH:I9?EC9@I!!$$KRMMRW$收到!!$$%R$MR$#定稿"!$$%中国电子学会第#期娄利飞等%!硅基8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
3、化合进入系统集成时代!在集成化芯片系统中!不仅需要物进行刻蚀!有时会在薄膜表面生成不易挥发的2'"(强大的信号处理*运算分析能力!同时需要感知外界和&化合物!或者类似侧墙结构的物质!这些都信号的微传感器以及将运算结果作用于外界环境的会影响刻蚀速度和最终的性能9因此!我们采用先图微执行器9目前!微传感器和微执行器技术的研究比形化未结晶的4、感器的另一种新途径9通过压电效应!典结构!获得了硅基5、S4!'L压电薄膜微传感器结构设计的新领域9锆钛酸铅"6、多地应用在微传感器和微执行器中!整个悬臂梁结构被固定在覆盖有+H层的+H衬W)T压电膜与硅微机械加工技术结合可以制作压电底上9在硅衬底表面刻蚀一个有一定深度的阱!给悬3*3+器件9在硅基7、*P:H8%87C8HJ?H!P:H89aHEH:I9?EC9@I!!$$KRMMRW$收到!!$$%R$MR$#定稿"!$$%中国电子学会第#期娄利飞等%!硅基8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
4、感器的另一种新途径9通过压电效应!典结构!获得了硅基5、S4!'L压电薄膜微传感器结构设计的新领域9锆钛酸铅"6、多地应用在微传感器和微执行器中!整个悬臂梁结构被固定在覆盖有+H层的+H衬W)T压电膜与硅微机械加工技术结合可以制作压电底上9在硅衬底表面刻蚀一个有一定深度的阱!给悬3*3+器件9在硅基7、*P:H8%87C8HJ?H!P:H89aHEH:I9?EC9@I!!$$KRMMRW$收到!!$$%R$MR$#定稿"!$$%中国电子学会第#期娄利飞等%!硅基8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
5、S4!'L压电薄膜微传感器结构设计的新领域9锆钛酸铅"6、多地应用在微传感器和微执行器中!整个悬臂梁结构被固定在覆盖有+H层的+H衬W)T压电膜与硅微机械加工技术结合可以制作压电底上9在硅衬底表面刻蚀一个有一定深度的阱!给悬3*3+器件9在硅基7、*P:H8%87C8HJ?H!P:H89aHEH:I9?EC9@I!!$$KRMMRW$收到!!$$%R$MR$#定稿"!$$%中国电子学会第#期娄利飞等%!硅基8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
6、多地应用在微传感器和微执行器中!整个悬臂梁结构被固定在覆盖有+H层的+H衬W)T压电膜与硅微机械加工技术结合可以制作压电底上9在硅衬底表面刻蚀一个有一定深度的阱!给悬3*3+器件9在硅基7、*P:H8%87C8HJ?H!P:H89aHEH:I9?EC9@I!!$$KRMMRW$收到!!$$%R$MR$#定稿"!$$%中国电子学会第#期娄利飞等%!硅基8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
7、*P:H8%87C8HJ?H!P:H89aHEH:I9?EC9@I!!$$KRMMRW$收到!!$$%R$MR$#定稿"!$$%中国电子学会第#期娄利飞等%!硅基8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
8、号光刻版光刻*显影!形成下电极图形&"%#溅射*正胶剥离!形成5HR
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