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《单相多铁性磁电体磁电起源及耦合机理分析》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、·94·材料导报:综述篇2009年2月(上)第23卷第2期3单相多铁性磁电体磁电起源及耦合机理分析1,2231仲崇贵,蒋青,江学范,方靖淮(1南通大学理学院,南通226007;2苏州大学物理学院,苏州215006;3常熟理工学院物理系,常熟215500)摘要单相多铁性磁电体是指在同一相下既有铁电性又有铁磁性的材料,其丰富的物理机制和极大的应用潜力近来受到国内外学术界和工程应用领域的广泛关注。电极化和磁化通过内禀的磁电耦合作用为下一代多功能电子器件的设计提供了额外的自由度。简单回顾了单相磁电材料研究的历
2、史以及最新进展,从其导电性、对称性、化学0d性、结构畸变等方面详细讨论了单相多铁性磁电体磁电性的起源及耦合,并简单分析了磁电材料产业化进程中存在的问题,展望了多铁性磁电体的研究及应用前景。关键词多铁性磁电耦合铁电磁性AnalysisofMagnetoelectricOriginandCouplingMechanismofSinglePhaseMultiferroicMagnetoelectrics1,2231ZHONGChonggui,JIANGQing,JIANGXuefan,FANGJinghua
3、i(1SchoolofSciences,NantongUniversity,Nantong226007;2DepartmentofPhysics,SuzhouUniversity,Suzhou,215006;3DepartmentofPhysics,ChangshuInstituteofTechnology,Changshu215500)AbstractSinglephasemultiferroicmagnetoelectricsarematerialswithbothferromagneticand
4、ferroelectricpropertiesinthesamephase,whichattractmoreandmoreattentionbothinacademiccirclesandengineeringapplica2tionfieldbecauseoftheirfundamentalphysicalmechanismsandwidepotentialapplications.Thespontaneouscouplingeffectbetweenpolarizationandmagnetiza
5、tionprovidesanadditionaldegreeoffreedomforthedesignofthenextgene2rationmultifunctionalelectronicapparatus.Inthispaper,thehistoryandrecentprogressoftheresearchonsinglephasemultiferroicmagnetoelectricsarereviewedsimply.Inparticular,themagnetoelectricorigi
6、nandcouplingmecha20nismarediscussedincludingelectricalproperties,symmetry,chemical2“d2ness”,structuraldistortionsofsinglephasemultiferroicmagnetoelectrics.Atthesametime,theexsitingproblemsofmagnetoelectricmaterialareanalyzedfortransformingthepracticalap
7、plication,andtheresearchandapplicationprospectsofmultiferroicmagnetoelectricsarepredicted.Keywordsmultiferroicproperty,magnetoelectriccoupling,ferroelectric,magneticproperty[1—9]已成为当前国内外一个新的热点。0引言1研究历史与最新进展多铁性材料是指低温下同时存在2种或2种以上铁电(反铁电)和铁磁(反铁磁)或铁弹有序性能的材料。
8、由于这事实上磁电作用的研究经历了一个不平凡的过程,法国类材料自发磁电耦合,外加电场不仅可以使材料产生铁电物理学家CurieP早在1894年就预言了磁电效应的存在,揭性,而且可以使材料产生磁性,同样外加磁场也可以诱导材开了磁电作用研究的序幕。1959年Landau和Lifshiz运用料的铁电性。这种电极化和磁化通过内禀磁电作用的耦合,群论的方法从理论上首先证实了磁电效应的存在,指出在系不仅为下一代多功能电子器件的设计提供了额外的自由度,统的自由能中应该存在
