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1、第28卷第3期固体电子学研究与进展Vol.28,No.32008年9月RESEARCH&PROGRESSOFSSESep.,2008光电子学电子传输层中掺杂Ir(ppy)3改善白光OLED的效率丁桂英姜文龙汪津王立忠王静常喜(吉林师范大学信息技术学院,吉林,四平,136000)2007-11-26收稿,2008-01-09收改稿摘要:采用真空热蒸镀技术,制备了结构为ITO/NPBX(40nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/DPVBi(30nm)/TPBi:x%Ir(ppy)3(30nm)/LiF/Al的白光器件。利用Ir(ppy)3掺杂到电子传输层TPBi中,在
2、掺杂层中提高了电子的迁移率,调整了空穴和电子的平衡,从而改善了白色有机电致发光器件的效率。当Ir(ppy)3的掺杂浓度为6%时,器件的电流效率最高,在驱动电压9V时最大电流效率为10.66cd/A,此时色坐标为(0.36,0.38);当电子传输层TPBi中不掺杂Ir(ppy)3时,白光器件的效率最低,在驱动电压10V时最大电流效率为1.69cd/A,此时色坐标为(0.31,0.30)。掺杂浓度为6%的白光器件的电流效率是不掺杂白光器件的电流效率的6.3倍。关键词:白色有机电致发光器件;掺杂;效率中图分类号:TN383文献标识码:A文章编号:1000-3819(2008)03-392-04I
3、mprovedEfficiencyofWhiteOLEDUsingDopedIr(ppy)3inElectron-transportingLayerDINGGuiyingJIANGWenlongWANGJinWANGLizhongWANGJingCHANGXi(CollegeofInformationTechnology,JilinNormalUniversity,Siping,JiLin,136000,CHN)Abstract:Awhiteorganiclight-emittingdevices(WOLEDs)withimprovedefficiencyusingdopedelectro
4、n-transportinglayer(ETL)havefabricatedbyvacuumdepositiontechnique.ThedevicesstructureisITO/NPBX(40nm)/rubrene(0.2nm)/NPBX(5nm)/DPVBi(30nm)/TPBi:x%Ir(ppy)3(30nm)/LiF/Al.Thex%isthedopingconcentrationofIr(ppy)3.TheefficiencyofthedeviceschangeswithdopedconcentrationofIr(ppy)3.Whenx%changesfrom0%to6%,t
5、heefficiencyofthedevicesincreaseswiththeincreasingofx;Theefficiencyofthedevicesreduceswiththeincreasingofxintherangeof6%to8%;WhenthedopingconcentrationofIr(ppy)is6wt%,themaximumluminousefficiencyis10.66cd/Aatappliedvoltageof9V,CommissioninternationalDeL′Eclairagechromaticitycoordinateis(0.36,0.38)
6、.WhentheconcentrationofIr(ppy)3is0wt%,themaximumluminousefficiencyis1.69cd/Aatappliedvoltageof10V,CIEchromaticitycoordinateis(0.31,0.30).Keywords:whiteorganiclight-emittingdevices;doped;efficiencyEEACC:6320基金项目:吉林省科技发展计划项目(编号:20050523);吉林省教育厅科研计划项目(吉教科合字[2003]第25号,吉教科合字[2004]第54号);四平科技局计划项目(四科合字第
7、2005007号,四科合字第2006008号)联系作者:E-mail:jiang-wl@163.com3期丁桂英等:电子传输层中掺杂Ir(ppy)3改善白光OLED的效率393输层,提高了电子的迁移率,调整了空穴和电子的平1引言衡,从而改善了白色有机电致发光器件的效率。掺杂浓度为6%的白光器件的电流效率(10.66cd/A,9目前对白光OLED(Organiclight-emittingV)是不掺杂白光器件的电流效率
