2011-交大学报-sic应力分析

《2011-交大学报-sic应力分析》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在教育资源-天天文库。

1、!４５"!１#!"#$%&&'Ｖｏｌ．４５Ｎｏ．１２０１１$１%ＪＯＵＲＮＡＬＯＦＸＩ′ＡＮＪＩＡＯＴＯＮＧＵＮＩＶＥＲＳＩＴＹＪａｎ．２０１１!"#$%&（犘犞犜）'()*+,-./0123456-./，RST，456，UVW（XYZ[G?]^_`aBCbcdef，７１００４９，XY）78：()*+,-./012345（ＰＶＴ）.6789:;<=>?@AB３CDE67FGHIJKLMNO．PQRS：T３C;<67FG?，KLMU%VW@AT;

2、ijkLMfNlmnomp；qcEircE67FGBdefg3LBKLhfijkLMfNlmh9o%，stTqcEB?u`aircEBvw`axyTo%BLMV．z{，

3、}~;<，}@TYZ[]L689:=KLMB-.，89:;<67，89:;?：ＴＮ３０４．２@ABCD：Ａ@EF?：０２５３?９８７Ｘ（２０１１）０１?０１１７?０５犜犺犲狉犿犪犾犛狋狉犲狊狊犃狀犪犾狔狊犻狊狅犳犆狉狔狊狋犪犾犕狅狉狆犺狅犾狅犵狔犻狀犌狉狅

4、狑狋犺狅犳犛犻犾犻犮狅狀犆犪狉犫犻犱犲犅狌犾犽犆狉狔狊狋犪犾犫狔犘犞犜犕犲狋犺狅犱ＳＨＩＹｏｎｇｇｕｉ，ＤＡＩＰｅｉｙｕｎ，ＹＡＮＧＪｉａｎｆｅｎｇ，ＬＩＵＧｕａｎｇｌｉａｎｇ（ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｆｏｒＭｅｃｈａｎｉｃａｌＢｅｈａｖｉｏｒｏｆＭａｔｅｒｉａｌｓ，Ｘｉ′ａｎＪｉａｏｔｏｎｇＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｘｉ′ａｎ７１００４９，Ｃｈｉｎａ）犃犫狊狋狉犪犮狋：Ｔｈｒｅｅｋｉｎｄｓｏｆｃｌａｓｓｉｃａｌｇｒｏｗｔｈｍｏｒｐｈｏｌｏｇｉｅｓａｐｐｅａｒｉｎｇｉｎｔｈｅｐｈｙｓｉｃａｌｖａｐｏ

5、ｒｔｒａｎｓｐｏｒｔ（ＰＶＴ）ｇｒｏｗｔｈｐｒｏｃｅｓｓｏｆｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅｂｕｌｋｃｒｙｓｔａｌａｒｅａｎａｌｙｚｅｄｗｉｔｈｒｅｇａｒｄｔｏｔｈｅｒｍａｌｓｔｒｅｓｓｂｙｆｉｎｉｔｅｅｌｅｍｅｎｔｓｍｅｔｈｏｄ．Ｔｈｅｒｅｓｕｌｔｓｉｎｄｉｃａｔｅｔｈａｔｔｈｅｍａｘｉｍｕｍｏｆｔｈｅｒｍａｌｓｔｒｅｓｓｉｓｌｏｃａｔｅｄｉｎｔｈｅａｄｊａｃｅｎｔｒｅｇｉｏｎｏｆｔｈｅｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅａｎｄｔｈｅｇｒａｐｈｉｔｅｃｒｕｃｉｂｌｅｌｉｄ．Ｔｈｅｄｉｓｔｒｉｂｕｔｉｏｎｓｏｆｔｈｅｔ

6、ｅｍｐｅｒａｔｕｒｅｆｉｅｌｄ，ａｎｄｔｈｅｃｏｒｒｅｓｐｏｎｄｉｎｇｔｈｅｒｍａｌｓｔｒａｉｎｆｉｅｌｄａｎｄｅｑｕｉｖａｌｅｎｔｓｔｒｅｓｓｆｉｅｌｄｇｅｔｍｏｒｅｈｏｍｏｇｅｎｏｕｓｉｎｔｈｅｆｌａｔｇｒｏｗｔｈｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙｔｈａｎｔｈａｔｉｎｔｈｅｃｏｎｃａｖｅａｎｄｃｏｎｖｅｘｇｒｏｗｔｈｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ．Ａｎｄｓｔｒｅｓｓｃｏｎｃｅｎｔｒａｔｉｏｎａｐｐｅａｒｓａｔｔｈｅｃｅｎｔｅｒｏｆｔｈｅｃｏｎｃａｖｅｇｒｏｗｔｈｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙａｎｄａｔｔｈｅｍａｒｇｉｎｏｆｔｈｅｃｏｎ

7、ｖｅｘｇｒｏｗｔｈｍｏｒｐｈｏｌｏｇｙ．Ｆｏｒｉｍｐｒｏｖｉｎｇｔｈｅｃｒｙｓｔａｌｑｕａｌｉｔｙ，ｔｒａｎｓｉｔｉｏｎｌａｙｅｒｏｆｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅｆｏｒｍｅｄｂｙｄｅｐｏｓｉｔｉｏｎｏｒｒｅａｃｔｉｏｎｏｎｔｈｅｇｒａｐｈｉｔｅｃｒｕｃｉｂｌｅｌｉｄｉｓｓｕｇｇｅｓｔｅｄｔｏｒｅｄｕｃｅｔｈｅｔｈｅｒｍａｌｓｔｒｅｓｓ，ａｎｄｔｈｅｇｒｏｗｔｈｓｙｓｔｅｍｏｆＳｉＣｃｒｙｓｔａｌｓｈｏｕｌｄｂｅｍｏｄｉｆｉｅｄｔｏｍａｉｎｔａｉｎｃｒｙｓｔａｌｇｒｏｗｔｈｉｎｔｈｅｆｌａｔｍｏｒｐｈｏｌｏｇ

8、ｙ．犓犲狔狑狅狉犱狊：ｐｈｙｓｉｃａｌｖａｐｏｒｔｒａｎｓｐｏｒｔ（ＰＶＴ）；ｓｉｌｉｃｏｎｃａｒｂｉｄｅｂｕｌｋｃｒｙｓｔａｌ；ｔｈｅｒｍａｌｓｔｒｅｓｓ；ｆｉｎｉｔｅｅｌｅｍｅｎｔｍｅｔｈｏｄ７)g!hij

9、}~a（y２．０×１０Lir，stu^_vwxnma（y６ｃｍ／ｓ）、z`（y２．１×１０Ｖ／ｃｍ）

10、z&'(#：２０１０?０６?２４．)*+,：-./（１９８２－），0，123；456（789），0，:;，123<=．>?@A：BCDEFG>

11、?HI@A（５０６７２０７３）．JKLMNO：２０１０?１０?１９JKLMPQ：ｈｔｔｐ：∥ｗｗｗ．ｃｎｋｉ．ｎｅｔ／ｋｃｍｓ／ｄｅｔａｉｌ／６１?１０６９＿ｔ．２０１０１０１９．２０５８．００９．ｈｔｍｌ１１８XYZ[GG¿!４５"<（４．９Ｗ／（ｃｍ·Ｋ））p，NäNèéäg，,-RÆk3©1op±<äNwtGztG．pʱn8，¦#gt3©E¥4P．p、tGstu^_z、z、z１>С、¢£、¤¥¦§¨©