图形化基底表面au纳米颗粒阵列去湿生长的分子动力学研究

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时间:2019-03-05

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1、学校代码10530学号201510121197分类号O469密级硕士学位论文图形化基底表面Au纳米颗粒阵列去湿生长的分子动力学研究学位申请人栾艳华指导教师孟利军副教授学院名称物理与光电工程学院学科专业物理学研究方向计算物理二〇一八年六月八日MoleculardynamicsstudyofdewettinggrowthofAunanoparticlearrayonpre-patternedsubstrateCandidateYanhuaLuanSupervisorAssociateProfessorLijunMengCo

2、llegeSchoolofPhysicsandOptoelectronicsProgramPhysicsSpecializationComputationalPhysicsDegreeMasterofScienceUniversityXiangtanUniversityDateJun8,2018iTEHr++{ili0tHoJtrFEE4XIJE)-;nfi,I[+-tH!iAIr?4&?,illH!+H?I-rilrj]t4jh)+Vi,fhwl+ilD+fr.1,I+.FArIft#nU,[rrX&rri]'jl

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7、lit}x.t)tHitx.+i,+ti*,]H&t}[.ff{:-*?',#rWt+HF',H,)nfi+6FIH?,Ix#2,r1HH,'4'{EIH9,,?7ol$湘潭大学硕士学位论文摘要目前,Au薄膜在固态图形化基底表面去湿生长Au纳米颗粒阵列在实验和理论方面都得到了许多有意义的研究结果。但获到颗粒尺寸均匀、颗粒间隔合适、颗粒分布有序的高质量Au纳米颗粒阵列所需的条件并没有得到很好的研究。Au薄膜在固态基底表面的去湿动力学过程是非常复杂的,Au纳米阵列的生长不仅与温度有关,还与基底的种类有关。近年来,探讨影响

8、Au纳米颗粒阵列生长的因素是纳米材料研究领域的热点问题。本文采用分子动力学方法研究了基底和温度对Au液态薄膜在固态图形化基底表面去湿生长金属纳米阵列的影响。通过基底表面构建不同的图形阵列,探讨Au纳米薄膜在固态图形化基底表面的去湿动力学过程以及Au纳米颗粒阵列的生长与图形化基底的依赖关系。在类石墨烯基底中构造两类原子(C1和C2),并引入基底原子与Au原子之间两种不同的相互作用势。我们的模拟显示在生长纳米阵列过程中,基底参数R和D对去湿过程有显著不同的影响。当D固定时,纳米阵列的有序度先增加到最大值后减小。当R固定时,

9、随着D增加到一个饱和值过程中,纳米阵列的有序度单调增加。有趣的是,在Au薄膜的去湿过程中出现了类似“迷宫”的结构。模拟结果还表明温度是控制纳米阵列特性的一个重要因素。合适的温度可以产生颗粒尺寸均匀和分布有序的最优化纳米颗粒阵列。此外,我们还探究了条形基底对Au纳米颗粒阵列的影响,随着L/D增大,Au纳米颗粒的数目先减少后增加。Au纳米颗粒分布在C1区域内,当L/D较大时Au纳米颗粒数目逐渐增加,同时纳米颗粒尺寸变得均匀,颗粒沿条带方向长度逐渐减小。这些结果对理解在固态图形化基底表面去湿生长高度有序的金属纳米阵列具有重要

10、的意义,而且对于等离子体、磁记忆、DNA检测以及纳米线和纳米纤维的催化生长等方面具有重要的指导意义。关键词:Au纳米阵列;去湿;图形化基底;分子动力学湘潭大学硕士学位论文AbstractRecently,manyexperimentalandtheoreticalstudieshavebeencarriedoutonthedewe

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