真丝（绸）经纳米氧化锌改性后结构和性能的研究

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1、真丝(绸)经纳米氧化锌改性后结构与性能研究中文提要为了改善蚕丝纤维的性能，提高真丝制品的附加值，本研究成功制备了纳米ZnO分散液，并将其对真丝纤维及织物进行改性处理，探索了纳米无机材料在真丝上功能化生成的可行性，为真丝纤维的改性及开发功能性纤维提供理论依据。．本文首先探索制备纳米ZnO分散液的具体工艺，采用激光粒度分析、透射电镜等分析手段，分析了纳米ZnO分散液中纳米粒子的形成机理和分布状态等，所制备的纳米ZnO分散液中纳米粒子的平均粒径为53．16nm。采用制各的纳米ZnO分散液对桑蚕丝纤维进行改性处理，利用扫描电镜、傅利叶红外光谱、X射线衍射、热分析和X射线光电子能谱

2、等现代分析手段，研究了经纳米ZnO分散液处理前后蚕丝纤维的结构，发现处理后纤维内部结构呈现p化趋势，相对结晶度和热稳定性均有一定程度提高，处理后的真丝纤维大分子通过偶联剂与纳米ZnO之间产生了交联作用。经纳米ZnO处理的桑蚕丝织物对大肠杆菌和金黄色葡萄球菌均有良好的抑菌作用，在UVA、UVB波段透过率大幅度下降，对紫外线有着很好的屏蔽效果，另外处理后织物染色深度和匀染性有较大提高，折皱回复角有很大的提高，抗皱性明显增强，织物的自度和强力保持不变。关键词：纳米氧化锌；真丝；改性；抗菌性：抗紫外作者：程友刚指导教师：陈宇岳Modificationof置moriSilkFibe

3、randFabricTreatedwithNano-ZnOofB．moriSilkFiberandFabricTreatedwithNano．．ZnOAbstractForimprovingtheB．morisilkperformanceandenhancingthesilkproductattachmentvalue．theB．mori‘silkwastreatedwithnano-ZnOdispersion．硼efeasibilityofsilkyammodifiedwithnanomaterialWaSinvestigated，whichprovidedtheore

4、ticalbasefordevelopingfunctionalsilkwithultramicromaterial．nleoptimumpreparationtechnologyofNano-ZnOdispersionsystemWaSdetermined．Thentheformationmechanismanddispersedstateofnano-ZnOWasanalyzedbymeansofmodemanalysisofthelasersizedetectorandtransmissionelectronmicroscope．Theaveragediameter

5、ofnano-ZnOwas53．16rim，ThestructuresofBombyxmorisilkfibertreatedwithnano-ZnOwasstudiedbyFouriertransforminfraredmicrospectroscopy(FT·IR)，X-raydiffraction(XRD)，thermalanalysisandX-rayphotoelectronspectroscopy(xPs，analysis．Itwasfoundthattheinteriorstructureofthetreatedsilkfibertendedtoform13

6、-structure，andthecomparativecrystallinityandthermalstabilityincreaSedatthe裂llnetime．Furthermore，thecrosslinkingreactionoccurredamongsilkfiber,couplingreagentandnano-ZnO．ThesilkfabrictreatedwithllanO-ZnOdispersionhasgoodantibacterialperformanceagainstthestaphylococcusaureusandbacilluscoli．

7、Thefindingsindicatedthatthe‘antibacterialandanti-UVperformanceofthesilkfabricenhanceddistinctly．Inaddition,thedyeabilityandanti-wrinldeabilityoftreatedfabrichaveenhanced．Moreover,thewhitenessanditsmechanicalintensionchangedlittle．Keywords：Nano-ZnO；B．morisilk；Modific