硬件工程师面试题集(含答案-很全)

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时间:2019-03-05

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1、专业资料参考硬件工程师面试题集(DSP,嵌入式系统,电子线路,通讯,微电子,半导体)产生EMC问题主要通过两个途径:一个是空间电磁波干扰的形式;另一个是通过传导的形式,换句话说,产生EMC问题的三个要素是:电磁干扰源、耦合途径、敏感设备。                     传导、辐射7nO1pRh$z骚扰源-----------------------------(途径)------------------------------敏感受体MOS的并联使用原则:1.并联的MOS必须为同等规格,最好是同一批次的。2.并联的MOS的驱

2、动电路的驱动电阻和放电电路必须是独立分开的,不可共用驱动电阻和放电电阻。3.PCB走线尽量保证对称,减小电流分布不均光耦一般会有两个用途:线性光耦和逻辑光耦,如果理解?工作在开关状态的光耦副边三极管饱和导通,管压降<0.4V,Vout约等于Vcc(Vcc-0.4V左右),Vout大小只受Vcc大小影响。此时Ic

3、般用于反馈环路里面(1.6V是粗略估计,实际要按器件资料,后续1.6V同)。2光耦CTR概要:1)对于工作在线性状态的光耦要根据实际情况分析;2)对于工作在开关状态的光耦要保证光耦导通时CTR有一定余量;3)CTR受多个因素影响。2.1光耦能否可靠导通实际计算举例分析,例如图.1中的光耦电路,假设Ri=1k,Ro=1k,光耦CTR=50%,光耦导通时假设二极管压降为1.6V,副边三极管饱和导通压降Vce=0.4V。输入信号Vi是5V的方波,输出Vcc是3.3V。Vout能得到3.3V的方波吗?我们来算算:If=(Vi-1.6V)/Ri=w

4、ord格式整理专业资料参考3.4mA副边的电流限制:Ic’≤CTR*If=1.7mA假设副边要饱和导通,那么需要Ic’=(3.3V–0.4V)/1k=2.9mA,大于电流通道限制,所以导通时,Ic会被光耦限制到1.7mA,Vout=Ro*1.7mA=1.7V所以副边得到的是1.7V的方波。为什么得不到3.3V的方波,可以理解为图.1光耦电路的电流驱动能力小,只能驱动1.7mA的电流,所以光耦会增大副边三极管的导通压降来限制副边的电流到1.7mA。解决措施:增大If;增大CTR;减小Ic。对应措施为:减小Ri阻值;更换大CTR光耦;增大Ro

5、阻值。将上述参数稍加优化,假设增大Ri到200欧姆,其他一切条件都不变,Vout能得到3.3V的方波吗?重新计算:If=(Vi–1.6V)/Ri=17mA;副边电流限制Ic’≤CTR*If=8.5mA,远大于副边饱和导通需要的电流(2.9mA),所以实际Ic=2.9mA。所以,更改Ri后,Vout输出3.3V的方波。开关状态的光耦,实际计算时,一般将电路能正常工作需要的最大Ic与原边能提供的最小If之间Ic/If的比值与光耦的CTR参数做比较,如果Ic/If≤CTR,说明光耦能可靠导通。一般会预留一点余量(建议小于CTR的90%)。工作在

6、线性状态令当别论。2、输出特性曲线输出特性曲线是描述三极管在输入电流iB保持不变的前提下,集电极电流iC和管压降uCE之间的函数关系,即 (5-4)三极管的输出特性曲线如图5-7所示。由图5-7可见,当IB改变时,iC和uCE的关系是一组平行的曲线族,并有截止、放大、饱和三个工作区。  (1)截止区IB=0持性曲线以下的区域称为截止区。此时晶体管的集电结处于反偏,发射结电压uBE<0,也是处于反偏的状态。由于iB=0,在反向饱和电流可忽略的前提下,iC=βiB也等于0,晶体管无电流的放大作用。处在截止状态下的三极管,发射极和集电结都是反偏

7、,在电路中犹如一个断开的开关。实际的情况是:处在截止状态下的三极管集电极有很小的电流ICE0,该电流称为三极管的穿透电流,它是在基极开路时测得的集电极-发射极间的电流,不受iB的控制,但受温度的影响。(2)饱和区在图5-4的三极管放大电路中,集电极接有电阻RC,如果电源电压VCC一定,当集电极电流iC增大时,uCE=VCC-iCRC将下降,对于硅管,当uCE 降低到小于0.7V时,集电结也进入正向偏置的状态,集电极吸引电子的能力将下降,此时iB再增大,iC几乎就不再增大了,三极管失去了电流放大作用,处于这种状态下工作的三极管称为饱和。wo

8、rd格式整理专业资料参考规定UCE=UBE时的状态为临界饱和态,图5-7中的虚线为临界饱和线,在临界饱和态下工作的三极管集电极电流和基极电流的关系为:    (5-1-4)式中的ICS,IBS

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