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《fe、ni共掺杂zno薄膜的溶胶-凝胶法制备及性能研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在教育资源-天天文库。
1、第39卷第1期人_T-晶体学报V01.39No.12010年2月JOURNALOFSYNTHETICCRYSTALSFebruary.20l0Fe、Ni共掺杂ZnO薄膜的溶胶.凝胶法制备及性能研究胡志刚,周勋,徐明,刘方舒,段满益,吴定才,董成军,陈尚荣,吴艳南,纪红萱,令狐荣锋(1.四川师范大学物理与电子工程学院固体物理研究所,成都610068;2.贵州师范大学物理与电子科学学院,贵阳550001;3.攀枝花学院材料工程系,攀枝花617000)摘要:采用溶胶一凝胶法在玻璃基片上旋涂生长了ZnO、Fe,Ni单掺杂及(Fe,Ni)共掺杂ZnO薄膜
2、。产物的显微照片及XRD图谱结果表明,该方法所制备的ZnO薄膜表面均匀致密,都存在(002)择优取向,具有六角纤锌矿结构,晶粒尺寸平均在13nm左右,振动样品磁强计(VSM)测试结果显示掺杂ZnO薄膜均存在室温铁磁性。光致发光(PL)测量表明所有样品薄膜的PL谱主要由较强的紫外发光峰(394nm)、蓝光峰(420nlT1)、绿光峰(480am)组成。Fe、Ni单掺杂和共掺杂并不改变ZnO薄膜的发光峰位置,但掺杂后该紫外发光峰减弱,420Dill处的蓝光峰增强。关键词:ZnO薄膜;Fe,Ni掺杂;光致发光;溶胶一凝胶法;室温铁磁性中图分类号:07
3、82文献标识码:A文章编号:1000—985X(2010)ol-0257-05PreparationandPropertiesofZnOThinFilmsDopedwithFeandNibySol—gelMethod日Zhi—gang,Z日DUXun一,Ming一,Fang.shu,DⅣMan—yi,WUDing—c口,DONGCheng-junI,CHENShang—rong1,WUYah—nanL,JIHong—xuan1,LINGHURongng(1.InstituteofSolidStatePhysics,SchoolofPhysics
4、andElectronicEngineering,SichuanNormalUniversity,Chengdu610068,China;2.SchoolofPhysicalandElectronicScience,GuizhouNormalUniversity,Guiyang550001,China;3.DepartmentofMaterialEngineering,PanzhihuaUniversity,Panzhihua617000,China)(Received14却ril2009)Abstract:Feand/orNidopedZnO
5、thinfilmsontheglasssubstrateswerepreparedbysol—gelspin—coatingmethod.ThemorphologyofthepreparedZnOthinfilmsobservedbymicroscopyrevealedthatalltheZnOfilmsareuniformanddense.TheX—raydiffraction(XRD)resultsindicatedalltheZnOfilmsshowpreferentialorientationalong(002)directionand
6、thegrainsizeofZnOfilmsis~13nln.Therearethreeemissionspeaksbeingobservedinthephotoluminescence(PL)spectraatroomtemperature,whicharelocatedat394nm,420nm,and480nm.ThepeakofZnOthinfilmsarenotremarkablyshiftedafterFeand/orNidoping.However,theintensityoftheultravioletpeakindopedZn
7、Othinfilmsissignificantlyweakened,andthatofblueemissionisstrengthened.Theroom-temperatureferromagnetismwasobservedforallthedopedZnOsamplesanditdependsonthecouplingbetweenthecurrentcarrier收稿日期:200943414基金项目:贵州省科学技术基金(黔科通J合[2006]2004)作者简介:胡志刚(1981一),男,辽宁省人,硕士。E—mail:ahu_81@126
8、.coin通讯作者:周勋,教授。E—mail:zhouxun99@163.con258人工晶体学报第39卷causedbysubstitutedion
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