开关电源高频电磁波干扰概论

开关电源高频电磁波干扰概论

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时间:2019-03-05

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1、《开关电源高频电磁波干扰概论》解析(一)虽然关于EMI的书和资料非常多,但基本都是针对设备级的,针对开关电源的很少,有个别书和资料虽然写着开关电源的名字,但由于作者并非电源设计人员,所以就变成了标准汇编。针对开关电源的目前就是这个《开关电源高频电磁波干扰概论》,非常经典,是香港大学的两位教授写的。但我也没有听过作者讲解,所以只能凭自己的理解和大家讨论。第一节这个是说EMI的传播过程,干扰源-干扰途径-接收器,就向传染病:传染源-传染途径-易感人群。对于开关电源来说,最后一部分是不需要考虑的,干扰源也不能消灭,因为它也是开关电

2、源之所以能工作的源头,但是可以通过软开关、加缓冲等方式来使干扰源的干扰小一些。控制干扰途径是降低开关电源EMI的重要一环,也是本讲义的重点讲解之处。信号源波形产生的频谱电压波形产生的频谱周期信号的频谱是没有偶次谐波的,正负对称的波形产生的频率分量更少,像桥式电路。高数都忘光了,有兴趣的做一下FFT.占空比和波形斜率的影响占空比越大时,干扰的幅度也大一些,这个可由FFT的系数算出来。波形的斜率对干扰的高频部分影响非常大。低频部分几乎没有影响。低频部分主要由波形的幅度和高电平部分的宽度决定的,但高频部分大幅度下降的转折点为1/(

3、3.14*tr),所以tr越大时,转折点的频率越低,高频下降越大。所以我们应该想到降低斜率的措施,缓冲电路。第一节小结:电压和电流波形都有很丰富的频率成分超过200M时由于幅值已经很低,所以影响很小波形影响低频部分上升沿和下降沿影响高频部分占空比对个频谱幅值有一点影响第2节:下以部分13-42页,介绍的内容比较杂,有传导和辐射的场地、设备的放置,Log的概念等。重点说一下这个图,这个介绍的是干扰的耦合途径,左边为传导干扰,右边为辐射干扰。辐射分为远场和近场。一般用蝶型天线辐射测量只测量电场,而不是磁场,磁场是用大圆环来测量的

4、,灯具常用。电场除了直接辐射到天线外,还可能辐射到地面再反射到天线,天线接受到的是直射波和反射波的矢量合成,所以需要上下移动寻找最大合成量。除此以外,由于电磁波有极化,所以天线需要改变方向以检测最大值(一般只测试水平和垂直)。LISN网络。LISN网络是用来拾取噪音的。差模噪音会在Line1--Line2之间流动,经过50欧姆电阻拾取。共模电流经过下面的地线再通过50欧姆的电阻回到电源,共模噪音也是经过50欧姆电阻拾取。50uH电感和10uF电容是用来阻止电网的干扰进入被测电源和防止被测的噪音跑到外面去。0.25uF的电容保

5、证只有交流噪音信号可以流过去。在150KHz频率以上时其阻抗很小,近似短路。线对线(差模)和线对地(共模)的噪音检测。都是通过测量50欧姆电阻的电压信号来检测的,但仪器并不会区分差模和共模,实际为两个信号的矢量叠加(个人意见,仪器里面我不清楚)。两种辐射测试:场强辐射测试,通过组合天线来测量辐射的电场强度,蝶型天线(两个耳朵)测量30-300MHz,对数天线测量300-1GHz,对开关电源来说,主要是耳朵测量,300MHz以后一般电源辐射很小。功率辐射测试(吸收钳),这个一般带长引线的设备需要做这个试验,如DVD等。有效检测

6、部分只有前面的一个环,后面是做吸收用的,范围30-300MHz。共模电流通过高频变压器后送到检测设备。电流波形产生的频谱第三节下面几页说的是峰值、准峰值和平均值在仪器内部的测试方法,不是我们关心的重点。从上面可以看出(看原文),3中检测主要是包络检波的冲放电时间常数不一样。标准要求测试的是QP和AV。但由于扫描时间过长,一般摸底是用PK和QP测量。第四节下面的内容主要是讲述容性和感性耦合的机理。首先开始的是容性耦合!这个图告诉我们,在电源里面两个分离的物体是有电容效应的,当有交流信号时,就会有电流流过。在电源里面相对并有电压

7、变化的物体是很多的,如漏极和次级;漏极和初级的L,N线等,它们都会引起电流流动,被LISN检测到就是EMI干扰。仿真的结果和实际是基本上相符的。看不见的耦合-感性耦合,第一个图描述了两个电路,前面是个振荡电路,后面就是上面容性耦合的电路,看似两个电路不相干,但是由于距离比较近,两个电路会通过磁场耦合,就向一个变压器一样,互感的公式如第二个图所示,随两个电路的距离增大而减小,随振荡电路面积(r为代表)的增大而增大。第一幅图把上面的计算电感等效的变压器带入电路里面,第二幅图是测量和模拟的结果,可以看到互感的模型是很正确的,感性耦

8、合确实向变压器一样。这样的耦合在开关电源里面比比皆是,向反激里面的高压电容、变压器初级和开关管组成的环路,变压器初级嵌位电路形成的环路,次级整流管形成的环路。除了常见的这3个外其实还有很多,如初级、次级和Y电容组成的环路,变压器初级、初级和屏蔽层的电容及屏蔽层的电感组成的环路等。容性耦合的

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