选择性生长技术制备gan薄膜的研究进展

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1、“半导体技术”2007年第32卷第2期8技术论文“摘要”8趋势与展望8P93-选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展技术专栏(新型半导体材料)P97-高k栅介质材料的研究进展P101-GaN体单晶生长技术研究现状P106-Ф200mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究P109-纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响器件制造与应用P113-大功率半导体激光器二维阵列光纤耦合技术P117-一种高线性度CMOS混频器的设计P121-基于FDTD的薄膜体声波谐振器的数值分析P125-光分叉复用器技术及

2、其应用P129-超宽带微波光纤延迟线工艺技术与材料P133-微电子制造中Ti的湿法蚀刻P138-磁控溅射Cu膜的表面形貌演化研究P142-无铅转移与过渡技术集成电路设计与开发P147-一种高阶1bit插入式∑-Δ调制器的设计P150-外部型数字电路进化设计研究P154-集成电感设计优化方法P158-LDMOS微波功率放大器分析与设计P162-流水线ADC低功耗结构研究封装、测试与设备P167-功率载荷下叠层芯片封装的热应力分析和优化P170-数字下变频器HSP50216原理及测试模式的使用P17

3、4-通过TRL校准提取管芯S参数的技术P178-快速热退火对SPV法测试氧化硅片中铁的影响88趋势与展望选择性生长技术制备GaN薄膜的研究进展张帷，刘彩池，郝秋艳（河北工业大学材料学院，天津３００１３０）摘要：Ⅲ族氮化物化合物半导体GaN是目前半导体领域的研究热点之一，具有宽禁带、高温下物理、化学性质稳定等特点，在光电子、微电子等领域有广泛的应用。降低缺陷密度制备高质量的GaN外延层是生产高性能和高寿命GaN器件的关键，也是人们始终致力于研究的内容，本讨论对近年来发展的一种采用选择性生长技术生长

4、GaN的方法、原理、进展情况进行了介绍。技术专栏(新型半导体材料)高k栅介质材料的研究进展蔡苇，符春林，陈刚（重庆科技学院冶金与材料工程学院，重庆４０００５０）摘要：综述了超薄SiO2栅介质层引起的问题、MOS栅介质层材料的要求、有希望取代传统SiO2的高K栅介质材料的研究进展。提出了高k栅介质材料研究中需进一步解决的问题。GaN体单晶生长技术研究现状徐永宽（中国电子科技集团公司第四十六研究所３００２２０）摘要：回顾了GaN体单晶材料的发展历程并介绍了研究现状。主要讨论了HVPE法和气相传输法等

5、气相生长方法，以及HNPSG、助溶剂法、氨热法、提拉法等熔体生长方法。针对每种生长方法，阐述了其生长原理、特点及研究现状。Ф200mm太阳能用直拉硅单晶生长速率研究任丙彦，羊建坤，李彦林8（河北工业大学材料学院，天津３００１３０）摘要：介绍了Ф200mm的太阳能用直拉硅（CZSi）单晶生长中，采用热屏、复合式导流系统及双加热器改造直拉炉的热系统，进行不同热系统下的拉晶试验，平均拉速从0.6mm/min提高到0.9mm/min。用有限元法模拟了氩气的流场及单晶炉的热场，模拟结果表明：改造后的氩气流

6、场被优化，界面附近的晶体纵向温度梯度增加，熔体纵向温度梯度减小。纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响严继康１，甘国友１，陈海芳１，张小文２，孙加林３（１.昆明理工大学材料与冶金工程学院，昆明６５００９３；２.昆明物理研究所，昆明６５０２２３；３.云南省科学技术协会，昆明６５００２１）摘要：采用实验方法研究了纳米粉体对TiO2压敏陶瓷晶界势垒结构的影响。采用扫描电镜测试了样品的显微结构。基于热电子发射理论和样品的电学性能计算了TiO2压敏陶瓷的势垒结构。在室温至320℃范围内，测试T

7、iO2压敏陶瓷样品的电阻率ρ。通过样品的lnσ-1/T曲线计算了TiO2压敏陶瓷材料的晶界势垒结构。讨论了显微结构和势垒结构对TiO2压敏陶瓷电学性能的影响。结果表明，合适的纳米TiO2加入量为x=5mol%。器件制造与应用大功率半导体激光器二维阵列光纤耦合技术刘秀玲１，２，徐会武２，赵润２，王聚波１，２，花吉珍２，陈国鹰１（１.河北工业大学信息工程学院，天津３００１３０；２.中国电子科技集团公司第十三研究所，石家庄０５００５１）摘要：介绍了大功率半导体激光器二维阵列的光纤耦合技术，其中有整

8、形耦合法、偏振合束法和波长合束法。用光线追迹法进行了二维阵列的光纤耦合模拟，对结果进行了分析，提出了改进办法，为进一步开展二维阵列的光纤耦合工作提供了有益的借鉴。一种高线性度CMOS混频器的设计吴明明，叶水驰（哈尔滨工业大学卫星技术研究所，哈尔滨１５００８０）8摘要：采用线性化技术改进的混频器结构提高了线性度。采用TSMC0.18μmRFCMOS模型进行了电路仿真。仿真结果：在电源电压为1.8V时，输入三阶截断点（IIP3）为10.3dBm，输入1dB压缩点（P-1dB）为-3.5dBm，增益为