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1、解g很据能量E和动量P之间的关系g飞第一章半导体的物质结构和能带结构Egiz到!_，·'2n电2叫-'!、参照元素刷刷表的格式列出可直拨构成或作为化合物组元构成半导体的各主要元素，并按共价键dE(k)~fjlk,.._.......Irkl.dE(k)求导可得ε一--=--.边-步得.-a-一一囱强到弱的川序写出两种元素半导体和八种化合物半导体.并热记之.dk/，吗/，吨Jidk厂一一lIBIJlBIIIIAr丁百VAVIAVI1Ilik1dECkl根据动1fI:P=lik=1ngυ，可知其量Rl吏υ=--a-Z
2、Z立丘L~IIIII一#叫hdkI2IIIRIcN。iJIIIAII5iPs3、对导带底电子.试证明其平均地Il和受到外为f作用'苦的加il应可分别袋示为I4ICu,1Z",IGaIGeAsSe!,I5IAIlICdI10I5n5bTeu=lIklm;和0=11"，;~JIHgL_~解，设导带底位于k=O处，将E(k)拔萃勒银敛展开取至kl项..得到兵价目是由ι5削弱的两种元素半导体.例如.Si.GedE..1.d'E.'.•E(k)..E(O)+(一;-)1呻k+-:-F:寸~)l..k'.+共价她自盘到弱的)
3、种化合物半导体a例如ISiC.Bl叶.AIN.GaN.GaAs.Z岭.CdS.HgSdk"-2'dk'..-2.何谓~l质异品型T举出4种有两质异品型的非导体，并列主善其至少两种异晶!lH串的名称和双原子因为.护。n节能:ll:1IX很小姐.所以(dEldk)，呻=0.因而层的难i.~顺序.1.(iJE..•答:化~':组成完全指向的不同晶体结构称为同质异晶型.有网版界品型的半导体如zE(k)-E(O)=-!:-(=:τ:).I..k12'dk'….I-f.1)SiC具:多种同脯异型体中.'3C.SiC为立方结
4、构的问铮矿型，其磁磁双原子层的维垛顺序为1dE..:一.…AB';ABC川a丽2H.SiC为六方结构的纤悴矿型.其E民磁双原子层的雄垛顺序为ABAB山.4H.SiC(也1'.,L_n:.Ii_"';:':l'f.tjtþ{'!A勺俨给支书U二哧为3:方与六方将混合的晶格结构.其殴硅双陈子层的维垛舰序为ABACABAC山2)a..，.有fJ:)钟矿结构和纤伴矿结构两种向现异型体，闪伴矿结构的Ga.N双原子层的i性综翩序为IIkAfCABC...,ilii纤悴矿结构的Ga-N双原子层的难捺顺序为ABAB叫υ:-n
5、ιJ)ZI1;.有闪停J("结构和纤钵矿结构两种同烦异型体，闪铮矿结构的Zn.S双原子层雄l!t~朋l'r-为AICABC....而纤陈矿结构的Zn-s双原子黑雄垛顺序为ABAB叫在场强为E的外电扬中，电子受力f可E丽产生位移ds.外1J对咆子做功等于能量的变化.即4)‘ZrSc.有闪伴矿结构和纤铮矿结构两种伺质:芹型体.闪铮矿结构的Zn-Se~~照子层雄垛顺伴为fdEdE=典国庐dl=:!...::="dlAJCAßC…,illÍ纤铮矿结构的Zn.Se双原子M堆操顺序为ABAB叫'lI'd,l,由此可得νPId
6、a--3、安盯自由电子地盟京约是1巾，制膊布洛意波长.p=ν九,'‘.踵JI…·dk解z主自由电子的动量为B'--"'...上式说明.在外力f的作用下，电子的放矢k不断变化，其变化事与外力成E比，其细趣度为品P=inov=9.lIxlO-川xlO'=9.11)(10-'甜地.mls品，rd,dE,1d'Edk.('d2E',a=-:z-叫一}量一::-;-~=斗一?dlhdt:dk'hdk'dlh'.dk'自饱布'洛意关系p=hlλ.可知其德布施~放*I.d2E.1"6.625x10'"___.__.将公式寸(一
7、?)MZT代入上式即得其加速度λ=--=一一一~=7.27xlO-':7.2711nJ/1''dk…"'."",V9.11x10-"a卢1.4‘对放矢为k的11=二:桂运动的电子，试证明其i~{皮υ...!.旦旦旦htÍk--一1右斗旦旦二-J三骂。,j豆γ(%I)~::.1-1).=-2..T'lTi..J,Rð~.一6、对图示两个抛物绒型的空穴E.k关系.试以自由电子顶量为第位确定其有蚀崩量.也可利用式(1.27)及所附参数E.(O)'-I.17eV.1I'"4.73X10"cVlK和萨636K计算出若干温度
8、下的马值，然后手工绘制E.随温度变化的关系幽钱.对若干温度计算出的马值列袋~DF，/，/..，主十1回中红色虚线标注室温300K下的E，cJ.1245eV.与表中计算敬据相同.解，图示E-k关系表明.刷刷青E附近nlJ~草包丛.Jll土I09/m处，相对于ifr带顷，曲线A代表的盟...j...~('9}将原子设想成半径为2的实心小球·垣近邻原子之{坷的距离为2r.由此计
