碳纤维钴铁氧体纳米复合吸波材料的制备与研究

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1、elassifiedlndex：0614，81U．D．0：530SouthwestUniversityofScienceandTechnoIogyMasterDegreeThesiSPreparationandresearchofcarbonfiber／cobaItferitenanocompositesabsorbingmateriaISGrade：2011Oandidate：LiShiRongAcademiCDegreeAppIiedfor：MasterDegreeSpeciaIty：MaterialSuperviSOr

2、：Prof．BoDaiJun．3．2014本论文得到IlIlllIIllllllUlIIIIIY2586259国家973计划(No．2011CB612212)资助特此鸣谢西南科技大学材料科学与工程学院签名：巷珐凑2014年6月3日独创性声明本人声明所呈交的论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知，除了文中特别加以标注和致谢的地方外，沦文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得西南科技大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明

3、确的说明并表示了谢意。签名：．痞诒瀑Et期：)。，吵苦j关于论文使用和授权的说明本人完全了解西南科技大学有关保留、使用学位论文的规定，即：学校有权保留学位论文的复印件，允许该论文被查阅和借阅；学校可以公布该论文的全部或部分内容，可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。(保密的学位论文在解密后应遵守此规定)签名：菸确瀑导师签名：砸日期：ulp．6．歹西南科技大学硕士研究生学位论文第1页摘要吸波材料作为现代隐身技术的重要材料，从第二次世界大战后就一直是各国研制的重点和热点。同时，随着电子化、信息化的迅速发展，电磁环境日益恶化形

4、成了严重的电磁污染，已被列入三大污染源之一。因此，吸波材料不仅在军事领域有重要价值，在民用领域如人体安全防护、微波暗室消除设备、抗电磁干扰、安全信息保密等也有广泛用途。为了提高武器系统的生存能力，解决电磁污染对人们日常生活的影响，开发具有良好吸波效果的功能材料已成为当今世界研究的重点。研究发现碳材料在改善复合材料的导电性能方面是一种优良的介电吸波材料，具有很高的介电损耗。因此本研究选择碳化细菌纤维素为基本材料，然后利用一系列手段，对碳化细菌纤维进行表面修饰处理，研究碳化纤维素经过复合后对最终吸波效果的影响。研究发现细菌纤维素

5、1200℃左右退火碳化处理后，所得碳化细菌纤维素(CBC)呈交错的三维网络结构且具有优越的介电性能，是很好的基体模板。然而，CBC的磁性很弱，作为吸波材料单独使用没有很好的阻抗匹配，需要在其表面修饰磁性材料，使复合材料不仅具备优良的电性能，同时还具备优良的磁性能，达到阻抗匹配的效果，从而提高吸波性能。首先，通过溶剂热法制备了不同Zn2+掺杂量的Co】_xZn、Fe204。通过VSM对其静态磁性能进行研究，结果显示：当Zn2+掺杂量为O．3时，矫顽力达最小H。=8．50e，饱和磁化强度为59．2emu／g，表现出良好的软磁铁氧

6、体的特性，实现了CoFe20。从硬磁到软磁的转变，在高频和超高频有很好的应用前景。其次，通过溶剂热法制备了不同质量比的CBC／CoFe20。纳米复合材料。当厚度为2mm在8．6GHz处10％CBC／CoFe204的反射损耗达到最小值一45dB。CBC导电网络的加入增强了CoFe204介电性能，并且CBC三维网络结构作为磁性颗粒的成核基体以抑制颗粒过分团聚也起到了重要作用。最后，通过溶剂热法制备了不同质量比的CBC／Coo7Zno．3Fe204纳米复合材料。当厚度为1．8mm在13GHz处10％CBC／Coo7Zno3Fe20

7、4的反射损耗达到最小值为一37dB。Coo7ZnosFe204复合CBC后进一步提高其电性能和磁性能，并使吸收峰位置向高频移，这将在高频以及超高频有很好的应用前景。关键词：CoFel04，CoovZn03Fe204，碳化细菌纤维素，纳米复合物，微波吸收性能。西南科技大学硕士研究生学位论文第1I页AbstractAbsorptionmaterialsasmajorsupportofstealthtechnologyhavegainedmoreattentionsincetheWorldWarofII．However，theel

8、ectromagneticpollutionontheslidewiththefastdevelopmentofinformationandcommunicationtechnology，andithadbeenthethree—inajor—pollutionsoftheworld．Th