模电单元测验题胡宴如(3版)答案

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1、模拟电子技术第1章半导体二极管及其基本应用1.1填空题1.半导体中有空穴和自由电子两种载流子参与导电。2.本征半导体中，若掺入微量的五价元素，则形成N型半导体，其多数载流子是电子；若掺入微量的三价元素，则形成P一型半导体,其多数载流子是空穴o3.PN结在正偏时导通反偏时截止,这种特性称为单向导电性。4.当温度升高时，二极管的反向饱和电流将增大，正向压降将减小。5.整流电路是利用二极管的单向导电性,将交流电变为单向脉动的直流电。稳压二极管是利用二极管的反向击穿特性实现稳压的。6.发光二极管是一种通以正向电流就会发光的二极管。7.光电二极管能将光

2、信号转变为电信号,它工作时需加反向偏置电压。8•测得某二极管的正向电流为1mA,正向压降为0.65V,该二极管的直流电阻等于650Q,交流电阻等于261.2单选题1.杂质半导体屮，多数载流子的浓度主要取决于（C）。A.温度B.掺杂工艺C.掺杂浓度D.品格缺陷2.PN结形成后，空间电荷区由（D）构成。A.价电子B.自由电子C・空穴D.杂质离子3.硅二极管的反向电流很小，其大小随反向电压的增大而（B）。A.减小B.基本不变C•增大4•流过二极管的正向电流增大，其直流电阻将（C）。A.增大B.基本不变C.减小5.变容二极管在电路中主要用作（D）。、

3、A.整流B.稳压C.发光D.可变屯容器1.3是非题1.在N型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P型半导体。（V）2.因为N型半导体的多子是自由电子，所以它带负电。（X）3.二极管在工作电流大于最大整流电流If吋会损坏。（X）4.只要稳压二极管两端加反向电压就能起稳压作用。（X）1.4分析计算题1・电路如图T1.1所示，设二极管的导通电压UD（on）=0.7V,试写出各电路的输出电压Uo值。6V3knh-o()6V[j3kQ10V（）图Tl.1解：(a)二极管正向导通，所以输出电压U0=(6—0.7)V=5.3Vo(b)令二极管断开

4、，可得Up=6V、5=10V,UPUp—UN2,故Vi优先导通后，V2截止，所以输出电压Uo=0.7Vo2・电路如图T1.2所示，二极管具有理想特性，已知ui=(si“3t)V,试对应画lBUi>Uo>iD的波形。图T1.3图T1.2解：输入电压Hi为正半周时，二极管正偏导通，所以二极管两端压降为零,即110=0,而流过二极管的电流iD=Uj/R,为半波正弦波，其最大值IDm=10V/Ikft=10mA；当Hi为负半

5、周时，二极管反偏截止，iD=0,uo=uj为半波正弦波。因此可画出电压Uo电流iD的波形如图(b)所示。气()Tl.2及其工作波形込乙：。3.稳压二极管电路如图T1.3所示，已知Uz=5V,Iz=5mA,电压表中流过的电流忽略不计。试求当开关S断开和闭合时，电压表©和电流表◎、◎读数分别为多大？解：当开关S断开，R2支路不通，1,42=0,此时R

6、与稳压二极管V相串联,因此由图可得(18-5)V2KQ=6.5mA>Iz可见稳定二极管处于稳压状态，所以电压表的读数为5V。当开关S闭合，令稳压二极管开路，可求得R2两端压降为R2故稳压二极管不能被

7、反向击穿而处于反向截止状态，因此，Ri、R2构成串联电路，电流表A】、A2的读数相同，即A2&+/?218V(2+0.5)KQ=7.2mA而电压表的读数，即R2两端压降为3.6V。第2章半导体三极管及其基本应用2.1填空题1.晶体管从结构上可以分成PNP和NPN两种类型,它工作时有2种载流子参与导电。2•晶体管具有电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏。3.品体管的输出特性曲线通常分为三个区域，分别是放大、饱和、截止。4.当温度升高时，晶体管的参数B增大,增大，导通电压Ube减小。5.某晶体管工作在放大区，如果基极电流从10pA变化到

8、20MA时，集电极电流从1mA变为1.99mA,则交流电流放大系数B约为99。6.某晶体管的极限参数IcM=20mA、PcM=100mW、U（br）ceo=30V,因此，当工作电压Uce=10V时，工作电流Ic不得超过10mA：当工作电压Uce=1V时，I「不得超过—20mA：当工作电流Ic=2mA时，U「f•不得超过_30V。7.场效应管从结构上可分为两大类：结型、MOS；根据导电沟道的不同又可分为N沟道、P沟道两类;对于MOSFET,根据栅源电压为零时是否存在导电沟道，乂可分为两种：耗尽型8.Uas（oft）表亦夹断电压，Idss表不饱和

9、漏极增强型电流，它们是耗尽一型场效应管的参数。2.2单选题1•某NPN型管电路中，测得Ube=0V,Ubc=—5V,则可知管子工作于（C）状态。A.放大B.饱和C・