[练习]电力电子填空

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1、第一章电力电子器件2•在通常情况下，电力电子器件功率损耗主要为通态损耗，而当器件开关频率较高时，功率损耗主要为开关损耗。3.电力电子器件组成的系统,般由控制电路、驱动电路、主电路三部分组成,由于电路中存在电压和电流的过冲，往往需添加保护电路。4.按内部电子和空穴两种载流子参与导电的情况，电力电子器件可分为单极型器件、双极型器件、复合型器件三类。5.电力二极管的工作特性可概括为承受正向电压导通，承受反相电压截止。6.电力二极管的主要类型有普通二极管、快恢复二极管、肖特基二极管。、7.肖特基二极管的开关损耗小于快恢复二极管的开关损耗。8.晶闸管的基本工作特性可概括

2、为正向电压门极有触发则导通、反向电压则截止o匹晶闸管断态不重复电压UDSM与转折电压Ubo数值大小上应为，UDSM大丁Ubo。11.逆导晶闸管是将二极管与晶闸管反并联(如何连接)在同一管芯上的功率集成器件。込GT0的多元集成结构是为了便于实现门极控制关断而设计的。13.M0SFET的漏极伏安特性中的三个区域与GTR共发射极接法时的输出特性中的三个区域有对应关系，其中前者的截止区对应后者的止区、前者的饱和区对应后者的放大区、前者的非饱和区对应后者的饱和区。览电力M0SFET的通态电阻具有正温度系数。鱼IGBT的开启电压UGE(th)随温度升高而略有下降，开关速度

3、小于电力MOSFETo16.按照驱动电路加在电力电子器件控制端和公共端之间的性质，可将电力电子器件分为电压驱动型和电流驱动型两类。LLIGBT的通态压降在1/2或1/3额定电流以下区段具有负温度系数，在1/2或1/3额定电流以上区段具有正温度系数。匹在如下器件：电力二极管（PowerDiode）、晶闸管（SCR）、门极可关断晶闸管（GTO）、电力晶体管（GTR）、电力场效应管（电力MOSFET）＞绝缘栅双极型晶体管（IGBT）中，属于不可控器件的是_电力二极管，属于半控型器件的是晶闸管,属于全控型器件的是GTO、GTR、电力MOSFET、IGBT；属于单极型电

4、力电子器件的有电力MOSFET,属于双极型器件的有电力二极管、晶闸管、GTO、GTR,属于复合型电力电子器件得有IGBT；在可控的器件中，容量最大的是_晶闸管，工作频率最高的是一电力MOSFET,属于电压驱动的是电力MOSFET、IGBT,属于电流驱动的是晶闸管、GTO、GTR。5.晶闸管是硅晶体闸流管的简称，常用的有普通晶闸管与门极可断晶闸管。7、为了保证晶闸管可靠与迅速地关断，通常在管子阳极电压降为0之后，加一段时间反向电压。5、型号为KS100-8的元件表示双向晶闸管、它的额定电压为800伏、额定有效电流为100—安。7、当温度降低时，晶闸管的触发电流会

5、增加、正反向漏电流会下降；当温度升高时，晶闸管的触发电流会下隆、正反向漏电流会增加。4、有一晶闸管的型号为KK200-9,请说明KK快速晶闸管；200表示表示200A,9表示900V。39、交流零触发开关电路就是利用过零触发_方式来控制晶闸管导通与关断的。2、单相全波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为2a/2u2。三相半波可控整流电路中，晶闸管承受的最大反向电压为WIL。（电源相电压为6）3、要使三相全控桥式整流电路正常工作，对晶闸管触发方法有两种,一是用大于60。小于120。的宽脉冲触发;二是用脉冲前沿相差60。的双窄脉冲1•电阻负载的特点是电压和电

6、流成正比且波形相同，在单相半波可控整流电阻性负载电路中,晶闸管控制角a的最大移相范0-180°o2.阻感负载的特点是流过电感的电流不能突变,在单相半波可控整流带阻感负载并联续流二极管的电路中，晶闸管控制角a的最大移相范围是0-180°,其承受的最大正反向电压均为_血2_续流二极管承受的最大反向电压为—屈2—（设％为相电压有效值）。3•单相桥式全控整流电路中，带纯电阻负载时,角移相范0-180°单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为V2t/2/2_和_屁2；带阻感负载时，a角移相范围为0-90°,单个晶闸管所承受的最大正向电压和反向电压分别为—仮；2_和

7、屁2」带反电动势负载时，欲使电阻上的电流不出现断续现象,可在主电路中直流输出侧串联一个平波电抗器o时,4•单相全控桥反电动势负载电路中，当控制角a大于不导电角晶闸管的导通角「—a-当控制角小于不导电角时，晶闸管的导通角二_兀-25.电阻性负载三相半波可控整流电路中，晶闸管所承受的最大正向电压UFm等于_血2_，晶闸管控制角a的最大移相范围是一0-150°,使负载电流连续的条件为—aW3（r_（U2为相电压有效值）o6.三相半波可控整流电路中的三个晶闸管的触发脉冲相位按相序依次互差120°当它带阻感负载时，的移相范围为0-90。。乞对于三相半波可控整流电路，换相

8、重迭角的影响，将使用输出电压平均值一下