新型块材稀磁半导体li1.1zn1-xcrxas的制备和物性测量

新型块材稀磁半导体li1.1zn1-xcrxas的制备和物性测量

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时间:2019-03-03

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1、万方数据堑型迭挝叠磁坐昱篮Lilj圣垒1丛£k△墨剑釜塑物性测量⑧论文作者签名:玉彳呈指导教师签名:论文评阅人1:评阅人2:评阅人3:评阅人4:评阅人5:答辩委员会主席:委员1:委员2:委员3:委员4:委员5:万方数据Author’ssignature:Supervisor’ssignature:ExternaIReviewers:ExaminingCommitteeChairperson"ExaminingCommitteeMembers:DateoforaIdefence:万方数据浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作

2、及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得逝婆盘堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名:签字日期:力,够年石月乡日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解逝逛太堂有权保留并向国家有关部门或机构送交本论文的复印件和磁盘,允许论文被查阅和借阅。本人授权逝婆太堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授

3、权书)学位敝储躲多和新躲弓雌签字日期:少f咖年多月歹日签字日期:砂7f年f^1)月7日万方数据浙江大学硕士学位论文摘要当代的信息电子材料难以满足信息通信,计算机网络,工业自动化以及高科技产业的发展要求。现在正在兴起的一门学科,半导体自旋电子学,它能实现超高速、超宽带和超大容量的互联网技术产业要求。稀磁半导体兼备磁性和半导体特性,具备实现自旋电子学的基本条件。因此,稀磁半导体的研究将为未来的信息技术带来巨大的变革。本文主要分为四个章节,第一章主要介绍了稀磁半导体的研究意义和研究现状,其中包括对整个稀磁半导体研究进程的梳理,特别的介绍了“111”,“122”,“1111”,“

4、32522”块材稀磁半导体体系研究成果。第二章介绍了稀磁半导体的磁性机制,包括顺磁机制,铁磁有序,自旋玻璃,居里温度的确定,还介绍了稀磁半导体的物理特性,如巨Zeeman效应、巨Faraday旋转、自旋共振隧穿和自旋Hall效应等以及稀磁半导体的制备方法和物理表征方法,如XRD,四引线法测电阻,SQUID,霍尔效应。第三章研究了Lil.1(Zm.xCrx)As的合成以及物理性质。我们发现,LilKZnl-xCrx)As与III.V族GaAs结构类似,都是立方晶体结构,空l'日-J群为F.43m。实验证实,过量的Li产生了P型载流子,10%Cr替代了Zn引入自旋磁矩,在温度

5、TP218k下形成自旋玻璃态,矫顽力达到了714Oe,有效磁矩约为2~3pB/Cr。第四章介绍了我两年科研期间在探索稀磁半导体过程中尝试的一些材料,这些工作对于未来探索新型稀磁半导体以及理解其机理机制有一定的参考价值。关键词:Lil.1(Znl.xCrx)As,稀磁半导体,铁磁性,居里温度万方数据AbstractCurrently,nowavailableelectronicmaterialscallnotmeetthedemandforthedevelopmentofhigh-techindustrialtechnology.Nowadisciplinecalledse

6、miconductorspintronicsisontherise.ItCanrealizehigh—speed,ultrawidebandandlargecapacityoftheInternettechnology.Dilutedmagneticsemiconductors,withbothmagneticandelectricalproperties,arethebasicconditionsofrealizationofspintronics.Therefore,theresearchofdilutemagneticsemiconductorwillbringgr

7、eatchangetothefutureofinformationtechnology.Thisarticleisconsistoffourchapters.Thefn'stchaptermainlyintroducesthesignificanceandprospectsofdilutedmagneticsemiconductors,especiallyfocusingontheresearchof”111”,”122”,”111”,”32522”typedilutemagneticsemiconductorsystems.

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