光敏二极管的特性实验

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1、光敏二极管的特性实验(3000系列)一、实验目的：了解光敏二极管工作原理及特性。二、基本原理：当入射光子在本征半导体的p-n结及其附近产生电子—空穴对时，光生载流子受势垒区电场作用，电子漂移到n区，空穴漂移到p区。电子和空穴分别在n区和p区积累，两端便产生电动势，这称为光生伏特效应，简称光伏效应。光敏二极管基于这一原理。如果在外电路中把p-n短接，就产生反向的短路电流，光照时反向电流会增加，并且光电流和照度基本成线性关系。三、需用器件与单元：主机箱中的转速调节0～24V电源、±2V～±10V步进可调直流稳压电源、电流表、电压表；光电器件实验（一）模板、光敏二极管、发光二极管、庶光筒。四、实验步

2、骤：1、光照特性：将图40－2中的光敏电阻更换成光敏二极管（注意接线孔的颜色相对应即+、-极性），按图40—2安装接线，测量光敏二极管的暗电流和亮电流。暗电流测试：将图40—2中主机箱中的将±2V～±10V的可调电源开关打到6V档，合上主机箱电源，将0～24V可调稳压电源的调节旋钮逆时针方向缓慢旋到底，读取主机箱上电流表（20µA档）的值即为光敏二极管的暗电流。暗电流基本为0µA，一般光敏二极管小于0.1µA，暗电流越小越好。亮电流测试：顺时针方向缓慢地调节0～24V电源（实验四十的标定值）为表41—1照度对应的电压值，光电流的测量（根据光电流的大小切换合适的电流表量程档）数据填入表41－1。

3、根据表41－1数据，作出图41－1光敏二极管工作电压为6V时的I—Lx特性曲线。表41—1二极管光照特性实验数据光照度（Lx）0102030405060708090100光电流（µA）I(µA)Lx图41—1光敏二极管光照特性曲线　2、伏安特性测量　　　　　光敏二极管在一定的光照度下，光电流随外加电压的变化而变化，测量时，在给定光照度（实验四十的标定的光照度对应的电压值）时，光敏二极管输入0V、2V～10V五档可调电压（调节图40—2中的±2V～±10V的电压），测得光敏二极管上的电流值填入表41—2，并在同一坐标图41—2中作出不同照度的伏安特性曲线族。表41—2光敏二极管伏安特性实验数据光

4、敏二极管电压（V）0246810照度Lx0Lx电流（µA）10Lx……50Lx电流（µA）……100Lx电流（µA）I（mA）Vcc图41—2光敏二极管伏安曲线