《单片机应用技术》复习题及答案电科2018

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1、单片机应用技术复习题及答案一、简答题(回答要点,并简明扼要解释)第一、二章1.MCS51系列单片机的内部资源有哪些?说出8031、8051和8751的区别。答:MCS51系列单片机上有1个8位CPU、128B的RAM、21个SFR、4个并行口、1个串行口、2个定时计数器和中断系统等资源。8031、8051和8751的区别是8031内无ROM;8051内有4KB的掩膜ROM;8751内有4KB的EPROM。2.在MCS-51单片机系统中,外接程序存储器和数据存储器共用16位地址线和8位数据线,会不会发生冲突,并说明为什么?答:不会。因为MCS-5

2、1单片机访问外部程序存储器用的指针是PC,控制线为,而访问外部数据存储器时,使用的指针是DPTR,有效的控制信号是,。所以不会发生冲突。3.MCS-51单片机的内部RAM共有128个字节存储单元(00H~7FH),根据功能可将其划分为三个区域,试述这三个区域的特点及其首末地址答:80C51单片机的片内RAM低128单元分为:1)寄存器区(00H-1FH),32字节,共有四个寄存器组,由RS1和RS0设置,主要为寄存器访问方式,常用数据存储。2)位寻址区(20H-2FH),16字节,128个位。主要用于位数据存放,也可用于存放字节数据。3)普通用

3、户RAM区(30H-7FH),80字节,只用于存放字节数据。4.存储器的容量如下所示,若它的首地址为0000H,写出它的末地址。(1)存储容量1KB,末地址为多少?(2)存储容量4KB,末地址为多少? 答:(1)末地址为3FFH;    (2)末地址为FFFH      5.简述累加器的ACC的作用答:(1)8位专用寄存器。(2)运算时存放一个操作数。(3)运算后存放运算结果,所以称它为累加器。6.DPTR是什么寄存器?它的作用是什么?它是由哪几个寄存器组成?答:DPTR是数据寄存器;作用:1)在访问外部数据存储器时用DPTR作为地址指针,寻址

4、整个64KB外部数据存储器空间;2)用DPTR作为基址寄存器,对程序存储器空间进行访问。DPTR由DPL和DPH两个8位寄存器构成。7.说明MCS-51的外部引脚EA的作用? 答:为访问内/外部程序存储器控制信号。                       高电平时,对ROM的读操作先从内部4KB开始,当地址范围超出4KB时自动切换到外部进行;当为低电平,对ROM的读操作限定在外部程序存储器。         8.开机复位后,CPU使用的是哪组工作寄存器?它们的地址是什么?CPU如何确定和改变当前工作寄存器组? 答:开机复位后,CPU使用的是

5、0组工作寄存器;                   它们的地址是什么00H~07H;                               CPU通过PSW的PSW.4、PSW.3两位来确定和改变当前工作寄存器组。1.MCS-51单片机的时钟周期与振荡周期之间有什么关系?一个机器周期的时序如何划分?答:时钟周期是单片机最基本的时间单位。机器周期则是完成某一个规定操作所需的时间。一个机器周期为6个时钟周期,共12个振荡周期性,依次表示为S1P1、S1P2、……S6P1、S6P2。2.单片机的复位(RST)操作有几种方法,复位功能的主要作用

6、。答: 单片机的复位操作方式有:1、上电复位;2、手动复位。      复位功能的主要作用是:复位时,PC初始化为0000H,使MCS-51单片机从0000H开始执行程序。3.简述堆栈。   (1)在程序中断或子程序调用时,为了保护返回地址(断点)和保护现场而设立的RAM区。  (2)用MOVSP,#DATA指令建立堆栈。  (3)存放数据按“后进先出”原则进行。(4)利用PUSH、POP指令即可进行进栈、出栈操作。第三章4.MCS-51指令系统有哪几种寻址方式?答:MCS-51指令系统有7种寻址方式,分别为:寄存器寻址,直接寻址,寄存器间接寻

7、址,立即寻址,相对寻址,基址寄存器加变址寄存器间接寻址(变址寻址),位寻址等方式。5.MCS-51单片机对I/O口操作有哪几类指令?并要求每类指令写出两条指令答:单片机对I/O口操作有两类指令读引脚指令和读修改写指令例如读引脚指令MOVA,P1;ANLA,P1读修改写指令ANLP1,#0FH;ORLP1,#0FH6.若SP=60H,标号LABEL所在的地址为3456H。LCALL指令的地址为2000H,执行指令如下:   2000H  LCALL LABEL后,堆栈指针SP和堆栈内容发生了什么变化?PC的值等于什么?如果将指令LCALL   直

8、接换成ACALL是否可以?如果换成ACALL指令,可调用的地址范围是什么?答:1)SP=SP+1=61H      (61H)=PC的低字节=03H 

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