飞秒激光改性硅材料的物理机理及其性质研究

《飞秒激光改性硅材料的物理机理及其性质研究》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、万方数据中图分类号：UDC：学校代码：10055密级：公开高恐犬法博士学位论文飞秒激光改性硅材料的物理机理及其性质研究Studyonthemechanismsandthepropertiesoffemtosecond—laserprocessingsilicon论文作者睦邀丕申请学位理堂熊±学科专业趟塞查物理指导教师萤亚塞熬握!昱翌塾握培养单位菱达廛眉塑理婴究瞳研究方向低维功能挝魁塑堡焦堂答辩委员会主席羞定渔评阅人赵型!塞送塞：堂送匪!南开大学研究生院二O一四年五月万方数据南开大学学位论文原创性声明本人郑重声明：所呈交的学位论文，是本人在导师指导下进行研究工作所取得的研究成果。除

2、文中已经注明引用的内容外，本学位论文的研究成果不包含任何他人创作的、已公开发表或者没有公开发表的作品的内容。对本论文所涉及的研究工作做出贡献的其他个人和集体，均已在文中以明确方式标明。本学位论文原创性声明的法律责任由本人承担。学位论文作者签名：陵迭丕2014年06月04日非公开学位论文标注说明(本页表中填写内容须打印)根据南开大学有关规定，非公开学位论文须经指导教师同意、作者本人申请和相关部门批准方能标注。未经批准的均为公开学位论文，公开学位论文本说明为空白。南开大学学位评定委员会办公室盖章(有效)论文题目申请密级口限制(≤2年)口秘密(≤10年)口机密(≤20年)保密期限20年

3、月日至20年月日审批表编号批准日期年月日南开大学学位评定委员会办公室盖章(有效)注：限N-k2年(可少于2年)；秘密-klO年(可少于10年)；机密★20年(可少于20年)万方数据南开大学学位论文使用授权书根据《南开大学关于研究生学位论文收藏和利用管理办法》，我校的博士、硕士学位获得者均须向南开大学提交本人的学位论文纸质本及相应电子版。本人完全了解南开大学有关研究生学位论文收藏和利用的管理规定。南开大学拥有在《著作权法》规定范围内的学位论文使用权，即：(1)学位获得者必须按规定提交学位论文(包括纸质印刷本及电子版)，学校可以采用影印、缩印或其他复制手段保存研究生学位论文，并编入《

4、南开大学博硕士学位论文全文数据库》；(2)为教学和科研目的，学校可以将公开的学位论文作为资料在图书馆等场所提供校内师生阅读，在校园网上提供论文目录检索、文摘以及论文全文浏览、下载等免费信息服务；(3)根据教育部有关规定，南开大学向教育部指定单位提交公开的学位论文；(4)学位论文作者授权学校向中国科技信息研究所及其万方数据电子出版社和中国学术期刊(光盘)Lg子出版社提交规定范围的学位论文及其电子版并收入相应学位论文数据库，通过其相关网站对外进行信息服务。同时本人保留在其他媒体发表论文的权利。非公开学位论文，保密期限内不向外提交和提供服务，解密后提交和服务同公开论文。论文电子版提交至

5、校图书馆网站：http：／／202．113．20．161：8001／index．htm。本人承诺：本人的学位论文是在南开大学学习期间创作完成的作品，并已通过论文答辩；提交的学位论文电子版与纸质本论文的内容一致，如因不同造成不良后果由本人自负。本人同意遵守上述规定。本授权书签署一式两份，由研究生院和图书馆留存。作者暨授权人签字：陵毖丕2014年06月04目南开大学研究生学位论文作者信息论文题目飞秒激光改性硅材料的物理机理及其性质研究姓名陈战东学号1120110065答辩日期2014年5月23日论文类别博士一学历硕士口硕士专业学位口高校教师口同等学力硕士口院／系／所泰达应用物理研究院

6、专业凝聚态物理联系电话13820322205Emailchen—zhandong,@,126．COITI通信地址(邮编)：天津经济技术开发区，宏达街23号，南开大学泰达学院七区(300457)各注：是否批准为非公开论文注：本授权书适用我校授予的所有博士、硕士的学位论文。由作者填写(一式两份)签字后交校图书馆，非公开学位论文须附《南开大学研究生申请非公开学位论文审批表》。万方数据摘要本文主要研究了飞秒激光改性(微构造)硅的过程及其物理机理，并对飞秒激光构造的硅微纳结构和材料的性质进行了系统的研究。我们分别在空气、氮气、六氟化硫和真空环境下，采用稳态及瞬态光谱技术对飞秒激光与硅相互作

7、用过程中产生的羽流进行了深入研究，弄清了羽流的产生和演化过程，进而揭示了飞秒激光改性硅材料的物理机理。并且，我们采用双温模型对作用过程中硅表面的热力学过程进行了模拟，为解释飞秒激光刻蚀这一复杂物理过程提供了参考。通过研究，我们可以清晰地描绘出飞秒激光微构造硅的微观过程。飞秒激光作用后，硅表面自由电子浓度在几十飞秒之内即达到了峰值(～1027／m3)；电子温度在100fs之内也达到了最大值，这一最大值在105K的量级。这一温度已经远远超出电子脱离硅表面所需的温度(～3．7×104K