电子线路练习题

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1、练习题1（二极管的单向导电性）一、判断题：1、晶体二极管加一定的正向电压时导通。（）2、晶体二极管加一定的反向电压时导通。（）3、晶体二极管具有单向导电性。（）二、选择题：1、如果二极管的阳极电位为1.5V，阴极的电位为0.8V，二极管将会（）。A导通B截止C烧坏二极管D无法确定2、晶体二极管的阳极电位是—7V，阴极电位是—5V，该晶体二极管处于（）。A正偏B反偏C零偏D无法确定3、半导体二极管加正向电压时，（）A、电流大电阻小B、电流大电阻大C电流小电阻小      D、电流小电阻大 L1L2V1V2三、如右图所示，哪个灯亮？为什么？练习题2（PN结）一、判断题：1

2、、当晶体二极管的PN结导通时，参加导电的是多数载流子。（）2、本征半导体就是不加杂质的纯净半导体。（）3、在硅单晶体中加入微量的硼元素可得到P型硅。（）4、N型半导体中空穴是多数载子，自由电子是少数载流子。（）5、晶体二极管内部有一个具有单向导电性的PN结。（）6、二极管的正极从N型区引出，负极从P型区引出。（）7、在外电场的作用下，半导体中同时出现电子电流和空穴电流。（）二、选择题：1、半导体中的空穴和自由电子数目相等的半导体称为（）。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定2、（）又称为空穴型半导体。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定3、（）又称

3、为电子型半导体。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定4、（）内部空穴数量多于自由电子数量。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定9/95、（）内部自由电子是多数载流子。A本征半导体BP型半导体CN型半导体D无法确定练习3（二极管的伏安特性）一、判断题：1、二极管两端只要加正向电压就一定导通。（）2、晶体二极管的正向电压小于门坎电压时，二极管呈现电阻很大仍处于截止状态。（）3、晶体二极管的反向电压增加到某一数值时，反向电流会突然急剧增大，这种现象称为反向电击穿。（）4、晶体二极管击穿后立即烧毁。（）5、晶体二极管在反向电压小于反向击穿电压时，反向电流极

4、小，当反向电压大于反向击穿电压后，反向电流会迅速增大。（）二、填空题：1、硅管的截止电压为，锗管的截止电压为。硅管的导通电压为，锗管的导通电压是。三、选择题：1、当晶体二极管工作在伏安特性曲线的区，而且所受的正向电压小于其门槛电压时，二极管相当于（）A小阻值电阻B断开的开关C闭合的开关D不确定2、当环境温度升高时，晶体二极管的反向电流将（）。A减小B增大C不变D不确定3、当硅晶体二极管加上0.4V的正向电压时，该晶体二极管相当于（）A小阻值电阻B断开的开关C闭合的开关D被烧毁4、如果把二极管的阳极接到1.5V电源的正极，把阴极接到电源的负极，将会（）。A导通B截止C烧

5、坏二极管D无法确定5、二极管导通时其两端所加的是（）电压。A正向B反向C击穿D门坎6、当二极管两端正向电压大于（）电压时，二极管才能导能。A门坎B截止C死区D导通7、二极管两端的反向电压增大时，在达到（）电压之前，通过的电流很小。A门坎B导通C最大D击穿8、二极管两端的正向电压小于（）电压时，二极管仍然处于截止状态。A门坎B导通C最大D击穿9、二极管两的反向电压小于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（）电流。A反向饱和B反向击穿C导通D死区10、二极管两的反向电压大于反向击穿电压时，二极管中的电流称为（）电流。A反向饱和B反向击穿C导通D死区9/9练习题4（二极管的测

6、试）一、判断题：1、万用表的红表笔接内电源的正极。（）二、选择题：1、用万用表欧姆挡测量小功率晶体二极管性能好坏时，应把欧姆挡拨到（）挡。AR×100Ω或R×1kΩBR×10ΩCR×10kΩDR×1Ω2、测试一个正常的二极管，将万用表的红黑表笔分别接二极管的两端，若测得电阻很小，则（）表笔所接的是二极管正极。A红B黑C不确定3、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很小表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定4、用万用表测试二极管时，若两次测得的都很大表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定5、用万用表测试二极管时，若一次测得的电

7、阻值很大，一次测得的电阻值很小表明（）A二极管正常B二极管内部短路C二极管内部断路D不确定练习题5（二极管的分类、型号和参数）一、判断题：1、最大整流电流IFM是二极管允许通过的最大正向工作电流平均值。（）2、最高反向工作电压VRM是二极管允许承受的反向工作电压平均值。（）3、反向漏电流IR是在规定的反向电压和环境温度下测得的二极管反向电流值。（）4、反向漏电流值越大，二极管单向导电性能越好。（）5、通常标定的最高反向工作电压是反向击穿电压的一半或三分之一。（）6、二极管工作时的正向电流平均值不能超过最大整流电流，否则二极管会被损坏。（）二、选择题：