场效应管基础知识资料

场效应管基础知识资料

ID:33853485

大小:135.00 KB

页数:10页

时间:2019-03-01

场效应管基础知识资料_第1页
场效应管基础知识资料_第2页
场效应管基础知识资料_第3页
场效应管基础知识资料_第4页
场效应管基础知识资料_第5页
资源描述:

《场效应管基础知识资料》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在行业资料-天天文库

1、场效应管基础知识一、场效应管的分类  按沟道半导体材料的不同,结型和绝缘栅型各分沟道和P沟道两种。若按导电方式来划分,场效应管又可分成耗尽型与增强型。结型场效应管均为耗尽型,绝缘栅型场效应管既有耗尽型的,也有增强型的。  场效应晶体管可分为结场效应晶体管和MOS场效应晶体管。而MOS场效应晶体管又分为N沟耗尽型和增强型;P沟耗尽型和增强型四大类。见下图。  二、场效应三极管的型号命名方法  第二种命名方法是CS××#,CS代表场效应管,××以数字代表型号的序号,#用字母代表同一型号中的不同规格。例如CS14A、

2、CS45G等。  三、场效应管的参数  1、IDSS—饱和漏源电流。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,栅极电压U10GS=0时的漏源电流。  2、UP—夹断电压。是指结型或耗尽型绝缘栅场效应管中,使漏源间刚截止时的栅极电压。  3、UT—开启电压。是指增强型绝缘栅场效管中,使漏源间刚导通时的栅极电压。  4、gM—跨导。是表示栅源电压UGS—对漏极电流ID的控制能力,即漏极电流ID变化量与栅源电压UGS变化量的比值。gM是衡量场效应管放大能力的重要参数。  5、BUDS—漏源击穿电压。是指栅源电压UGS一定时,

3、场效应管正常工作所能承受的最大漏源电压。这是一项极限参数,加在场效应管上的工作电压必须小于BUDS。  6、PDSM—最大耗散功率。也是一项极限参数,是指场效应管性能不变坏时所允许的最大漏源耗散功率。使用时,场效应管实际功耗应小于PDSM并留有一定余量。  7、IDSM—最大漏源电流。是一项极限参数,是指场效应管正常工作时,漏源间所允许通过的最大电流。场效应管的工作电流不应超过IDSM  几种常用的场效应三极管的主要参数  四、场效应管的作用  2、场效应管很高的输入阻抗非常适合作阻抗变换。常用于多级放大器的输

4、入级作阻抗变换。  3、场效应管可以用作可变电阻。10  4、场效应管可以方便地用作恒流源。  5、场效应管可以用作电子开关。  五、场效应管的测试  1、结型场效应管的管脚识别:  场效应管的栅极相当于晶体管的基极,源极和漏极分别对应于晶体管的发射极和集电极。将万用表置于R×1k档,用两表笔分别测量每两个管脚间的正、反向电阻。当某两个管脚间的正、反向电阻相等,均为数KΩ时,则这两个管脚为漏极D和源极S(可互换),余下的一个管脚即为栅极G。对于有4个管脚的结型场效应管,另外一极是屏蔽极(使用中接地)。  2、判

5、定栅极  用万用表黑表笔碰触管子的一个电极,红表笔分别碰触另外两个电极。若两次测出的阻值都很小,说明均是正向电阻,该管属于N沟道场效应管,黑表笔接的也是栅极。  制造工艺决定了场效应管的源极和漏极是对称的,可以互换使用,并不影响电路的正常工作,所以不必加以区分。源极与漏极间的电阻约为几千欧。  注意不能用此法判定绝缘栅型场效应管的栅极。因为这种管子的输入电阻极高,栅源间的极间电容又很小,测量时只要有少量的电荷,就可在极间电容上形成很高的电压,容易将管子损坏。  3、估测场效应管的放大能力10  将万用表拨到R×

6、100档,红表笔接源极S,黑表笔接漏极D,相当于给场效应管加上1.5V的电源电压。这时表针指示出的是D-S极间电阻值。然后用手指捏栅极G,将人体的感应电压作为输入信号加到栅极上。由于管子的放大作用,UDS和ID都将发生变化,也相当于D-S极间电阻发生变化,可观察到表针有较大幅度的摆动。如果手捏栅极时表针摆动很小,说明管子的放大能力较弱;若表针不动,说明管子已经损坏。  由于人体感应的50Hz交流电压较高,而不同的场效应管用电阻档测量时的工作点可能不同,因此用手捏栅极时表针可能向右摆动,也可能向左摆动。少数的管子

7、RDS减小,使表针向右摆动,多数管子的RDS增大,表针向左摆动。无论表针的摆动方向如何,只要能有明显地摆动,就说明管子具有放大能力。  本方法也适用于测MOS管。为了保护MOS场效应管,必须用手握住螺钉旋具绝缘柄,用金属杆去碰栅极,以防止人体感应电荷直接加到栅极上,将管子损坏。  MOS管每次测量完毕,G-S结电容上会充有少量电荷,建立起电压UGS,再接着测时表针可能不动,此时将G-S极间短路一下即可。  目前常用的结型场效应管和MOS型绝缘栅场效应管的管脚顺序如下图所示。六、.场效应管的特征:10 (a)JF

8、ET的概念图10 (b)JFET的符号图1 JFET的概念图、符号图1(b)门极的箭头指向为p指向n方向,分别表示内向为n沟道JFET,外向为p沟道JFET。    图1(a)表示n沟道JFET的特性例。以此图为基础看看JFET的电气特性的特点。首先,门极-源极间电压以0V时考虑(VGS=0)。在此状态下漏极-源极间电压VDS从0V增加,漏电流ID几乎与VDS成比例增加,将此区域称为非

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。