游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究

游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究

ID:33813261

大小:10.71 MB

页数:79页

时间:2019-02-28

游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究_第1页
游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究_第2页
游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究_第3页
游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究_第4页
游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究_第5页
资源描述:

《游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、分类号:UDC:密级:学校代号:学号:广东工业大学硕士学位论文(工学硕士)118452111101137游离磨料线切割硅片表面粗糙度的理论分析及实验研究史越指导教师姓名、职称:魏咂教援企业导师姓名、职称:玉学科(专业)或领域名称:扭越剑造拯墓自动丝学生所属学院:扭电工猩堂院论文答辩日期:2Q!垒生§且ADissertationSubmittedtoGuangdongUniversityofTechnologyfortheDegreeofMasterofEngineeringScienceIIIIIIIIlUf

2、llllrlllllIIIllllllllllllfY2581796ExperimentResearchandtheoreticalanalysisofmulti--wireslurrVsawlnKsiliconwater7Ssurtacerougnness●●●●^■,’1Candidate:ShiYueSupervisor:Prof.WeiXinMav,2014FacultyofElectromechanicalEngineeringGuangdongUniversityofTechnologyGuang

3、zhou,Guangdong,P.R.China,510006摘要随着光伏产业和电子产业的高速发展,太阳能硅片的产量需求日益增长。针对硅晶片的大径化、超薄化的发展趋势,半导体切割技术已逐渐由内圆切割转变为线切割。游离磨料线切割技术具有生产效率高、切口材料损耗小、硅片切割表面损伤层较浅等诸多优点,尤其适用于大直径硅棒的切割,并可同时进行多条硅棒的切片。表面粗糙度的大小是评价硅片加工质量重要的指标之一,为了得到较低的表面粗糙度,需要开展大量繁杂的实验来探究切割参数对表面粗糙度的影响规律。国内外学者对游离磨料线切割

4、硅片的表面质量开展了较广泛的研究。由于游离磨料线切割过程中,影响硅片表面粗糙度的因素很多,而且其运动方式的特殊,单晶硅材料的力学特性也不同于金属材料,因此,为了提高加工硅片的表面质量,对于建立游离磨料线切割硅片表面粗糙度凡的预测模型意义重大。本文基于脆性材料压痕断裂力学模型,考虑游离磨料线切割过程中磨粒处于全接触状态下的“滚压一嵌入”运动方式,理论分析游离磨料线切割过程中的力学行为和材料去除形式,建立表面粗糙度Ra的模型;并仿真分析了走丝速度、进给速度、张紧力、磨料粒径、切割液浓度、切割区域长度对其的影响规律

5、。同时,通过单因素实验,分析了工艺参数条件对表面粗糙度的影响,并将实验数据拟合成曲线,得出各个因素对表面粗糙度凡的经验公式。通过对比分析拟合曲线和仿真曲线,验证了理论模型的正确性。此外,论文还通过正交试验对游离磨料线切割的硅片表面粗糙度和总厚度偏差进行工艺优化,并探讨主要因素之间的交互作用,最后用多元回归的方法得出表面粗糙度R。的经验公式,验证与理论公式的一致性。本文的主要研究结果如下:1)在理论上分析游离磨料线切割过程中磨粒滚动条件下的受力和材料去除率,通过对磨粒的运动形式和接触状态、单颗磨粒的去除体积、磨

6、粒的分布、切割线和磨粒间力的作用进行分析,求得单颗磨粒的法向力和切向力。2)建立了表面粗糙度R。与各工艺参数的理论模型。硅片表面粗糙度如随着走丝速度、切割线张紧力、切割液浓度的增大而减小,随着工件进给速度、磨料粒径、硅棒直径的增大而上升。广东工业大学硕士学位论文3)通过实验值验证预测模型的正确性。比较拟合公式的指数项得出各工艺参数对表面粗糙度R咀影响权重从大Nd,依次是:进给速度、初始张紧力、走丝速度、切割区域长度、切割液浓度、磨料粒径。4)通过正交试验对游离磨料线切割的硅片表面粗糙度和总厚度偏差进行工艺优化

7、分析了因素组合的交互作用,并用多元回归的方法得出表面粗糙度Ra的经验公式。关键词:游离磨料;线切割;硅片;表面粗糙度IIABSTRACTWiththerapiddevelopmentofphotovoltaicindustryandelectronicindustry,solarsiliconwaferproductiondemandisgrowing.Inviewofthesiliconwaf宅r.thedevelopmenttrendoflargediameter,thinsemiconductorcut

8、tingtechnologyhasbeengraduallybyinsidecirclecuttingintoline.Freeabrasivewirecuttingtechnology诚tllhighefficiency,smallincisionmaterialloss,wafercuttingsurfacedamagelayerofshallow,andmanyotheradvantages,

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。