渗硅tial基合金高温氧化动力学及抗氧化机理研究

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1、太原理I：人学硕十研究生学位论文渗硅TiAI基合金高温氧化动力学及抗氧化机理研究摘要7-TiAI基合金具有密度低，高温比强度高、高温比刚度高及耐高温蠕交性良好等优点，已成为最具潜力的新一代航空航天用轻质高温结构材料之一。经过十多年的研究，TiAl基合金的室温塑性和韧性已得到明显改善，然而750。C以上高温抗氧化性能不足却严重制约着其实际应用。本人所在课题组提出并尝试了通过固体渗硅在丫．TiAI基合金表面形成Ti5Si3层来提高其抗高温氧化性能的思路及方法，近些年研究发现：对TiAl基合金表面渗硅处理后

2、形成的以A1203为主并分布有少量Ti5Si3的较薄外层，和以Ti，Si3为主并分布有少量A120，的较厚内层组成的复合渗层，在900。C下长期循环氧化过程中不开裂，不剥落，与基体粘附性好，表现出优异的抗氧化性能。本文主要研究固体渗硅TiAl合金在900。C以上的高温抗氧化性能，并研究合金在更高温度下的氧化动力学规律和氧化机理，以期为TiAl基合金的高温应用提供一定的理论和实践依据。首先用混合均匀的固体粉末对Ti．46．5A1—2．5v11Cr(at％)合金在1250。C进行渗硅处理，并对未渗硅和渗硅

3、的合金分别在900。C、1000。C、1100。C、1200。C的高温下进行周期为2h的循环氧化实验，用最小二乘法对实验数据进行拟合，研究了高温下渗硅后合金的氧化动力学规律和氧化机理。结果如下：未渗硅试样在900。C循环氧化时，氧化4h出现轻微剥落，1000。C、1100。C、1200。C氧化2h均呈现不同程度的黄色氧化皮，而且均出现了较为严重的剥落。渗硅处理后，合金在上述温度下的抗氧化均得到明显提高：在900。C氧化118h后，试样表面和截匝结构与渗硅前相比没有明显变化，渗层与T太原理一大学硕士研究

4、生学位论文基体结合良好，增重仅0．1875mg／cm2；1000。C氧化l18h后，出现轻微的剥落；1100。C氧化16h、1200氧化4h后，分别出现了不同程度的剥落。用最d"-乘法对渗硅TiAl合金在900。C、1000。C、1100。C和1200。C的循环氧化数据进行了拟合。结果表明：渗硅TiAl基合金900。C氧化在所测试的118h内氧化动力学曲线呈抛物线规律；1000。C氧化O．50h之间呈抛物线型规律，50．118h之间呈直线型氧化规律；1100。C氧化在O．4h之间呈抛物线型规律，4．8

5、h之间呈直线型氧化规律，8—16h呈二次型加速氧化规律，16h出现剥落现象；1200。C循环氧化呈二次型加速氧化规律，4h出现剥落现象。求得相应的氧化速率常数为：9000C时KD≈4．924E．5m92cm4h～，1000。C时Kp~7．778E．5m92cm～h，1100。CIj寸．2_4～。即，当,Kp=9392E2mgcmh温度从900。C升高至1000。C时，KD值虽有所增加，但仍保持在同一数量级；而当温度从1000。C升高至1100。C时，KD值增加3个数量级以上。KD值的如此巨大变化可能与

6、TiAI基合金在1100。C以上循环氧化时升温过程中发生从仅2q到Q+Y相变及降温过程中发生相反方向的相变以及由此引起的相变应力有关：二元TiAI基合金的等温共析转变温度为1125。C，而本课题采用的合金中添加了Cr和V合金元素，而且又通过渗硅处理，因而相变可能在更低的温度下发生。但尽管如此，渗硅仍然使合金在1100。C和1200。C的抗氧化能力得到明显提高。关键词：TiAl基合金，氧化动力学，渗硅处理，涂层，高温氧化太原理丁火学硕士研究生学位论文RESEARCHONCYCLIC0XIDATIONKI

7、NETICSOFSILICONIZEDTiAl．BASEDALLOYATELEVrATEDTEMEPERATURESANDTHEMECHANISMFORITSANTI．0XIDATIONABSTRACTGammatitaniumaluminide(Y-TiAl)hasattractedmanyscientificresearchinterestsasakindofhightemperaturestructuralmaterial，duetoitslowdensity，highspecificstren

8、gth，highspecificstiffnessandgoodcreepresistanceathightemperatures．TheductilityandtoughnessofTiAl—basedalloyatroomtemperaturehavebeenimprovedgreatlyduringlastonedecadeandahalf,butitsinsufficientoxidationresistanceaboveapproximatel