镧掺杂bigao3多晶薄膜光学性质

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1、第34卷第4期红外与毫米波学报Vol.34ꎬNo.42015年8月J.InfraredMillim.WavesAugustꎬ2015文章编号:1001 ̄9014(2015)04 ̄0447 ̄05DOI:10.11972/j.issn.1001 ̄9014.2015.04.012镧掺杂BiGaO多晶薄膜光学性质31ꎬ21ꎬ21311∗21ꎬ2张金中ꎬ诸佳俊ꎬ邓青林ꎬ余温雷ꎬ李亚巍ꎬ胡志高ꎬ孟祥建ꎬ褚君浩(1.华东师范大学电子工程系极化材料与器件教育部重点实验室ꎬ上海200241ꎻ2.中国科学院上海技术物理研究所红外物理国家重点实验室ꎬ上海200083ꎻ3.温州医科大学信息与工程学院生物

2、医学工程学系ꎬ浙江温州325035)摘要:采用溶胶 ̄凝胶技术在Pt/Ti/SiO/Si衬底上制备了不同镧掺杂浓度BiGaO(LxBGOꎬ0≤x≤0.1)薄膜.X ̄射线23衍射(XRD)表明该属于正交晶系的多晶薄膜ꎬ原子力显微镜(AFM)图像显示样品表面具有很好的平整性.采用椭圆偏振技术对其光学性质进行了详细的研究ꎬ发现其光学常数符合Adachi色散模型.进一步发现其禁带宽度随着镧掺杂浓度的增加而增加ꎬ该规律与理论预言相吻合.有关LxBGO材料的研究为铋基光电器件如紫外探测器的实现提供物理基础支持.关键词:BiGaOꎻ椭圆偏振光谱ꎻ光学性质ꎻ光学常数ꎻ光学禁带宽度3中图分类号:TN

3、204文献标识码:ATheopticalpropertiesofLadopedBiGaOpolycrystallinefilms31ꎬ21ꎬ2131ZHANGJin ̄ZhongꎬZHUJia ̄JunꎬDENGQing ̄LinꎬYUWen ̄LeiꎬLIYa ̄Weiꎬ1∗21ꎬ2HUZhi ̄GaoꎬMENGXiang ̄JianꎬCHUJun ̄Hao(1.KeyLaboratoryofPolarMaterialsandDevicesꎬMinistryofEducationꎬDepartmentofElectronicEngineeringꎬEastChinaNormalUniversi

4、tyꎬShanghai200241ꎬChinaꎻ2.NationalLaboratoryforInfraredPhysicsꎬShanghaiInstituteofTechnicalPhysicsꎬChineseAcademyofSciencesꎬShanghai200083ꎬChinaꎻ3.DepartmentofBiomedicalEngineeringꎬSchoolofInformationandEngineeringꎬWenzhouMedicalUniversityꎬWenzhou325035ꎬChina)Abstract:LadopedBiGaO(LxBGO)films

5、werefabricatedbytheSol ̄GelmethodonthePt/Ti/SiO/Sisubstrates.X ̄32raydiffractionanalysisshowsthatthefilmsarepolycrystallinewithanorthorhombicstructure.Theatomicforcemicros ̄copyimagesoftheLxBGOfilmssuggestthatthesurfacemorphologyissmooth.Theopticalpropertiesofthesampleswereinvestigatedbythespect

6、roscopicellipsometryindetail.Thedielectricfunctionswereextractedandingoodagree ̄mentwiththeAdachidispersionfunction.MoreonestepꎬtheopticalbandgaptendstoincreasewithincreasingLacom ̄positionꎬwhichisconsistentwiththeresultsoftheoreticalprediction.TheseresultsarehelpfulforthefabricationofBi ̄basedo

7、pto ̄electricaldevicessuchasultravioletdetectors.Keywords:BiGaOꎬspectroscopicellipsometryꎬopticalpropertiesꎬopticalconstantsꎬopticalbandgap3PACS:77.84. ̄sꎬ07.60.Fsꎬ78.20.Ciꎬ77.80.bg器ꎬ紫外探测器ꎬ非制冷红外探测器ꎬ非制冷红外焦引言平面阵列和铁电存储等领域具有很大的应用前[1 ̄3]铋基铁电材料因其低电导率ꎬ

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