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时间:2019-02-27
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1、分类号学号M201172091学校代码10487密级硕士学位论文基于LabVIEW的垂直磁各向异性MTJ测试系统研究学位申请人:唐伟捷学科专业:微电子学与固体电子学指导教师:缪向水教授答辩日期:2014年1月12日万方数据AThesisSubmittedinPartialofFulfillmentoftheRequirementsfortheDegreeofMasterResearchofperpendicularmagneticanisotropyMTJtestingsystembasedonLabVIEWCandidate:TangWeijieMajor:Microelectr
2、onics&SolidStateElectronicsSupervisor:Prof.MiaoXiangshuiHuazhongUniversityofScience&TechnologyWuhanHubei,P.R.China,430074Jan,2014万方数据独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除文中已经标明引用的内容外,本论文不包含任何其他个人或集体已经发表或撰写过的研究成果。对本文的研究做出贡献的个人和集体,均已在文中以明确方式标明。本人完全意识到本声明的法律结果由本人承担。学位论文作者签名:日期:年月日学位论文
3、版权使用授权书本学位论文作者完全了解学校有关保留、使用学位论文的规定,即:学校有权保留并向国家有关部门或机构送交论文的复印件和电子版,允许论文被查阅和借阅。本人授权华中科技大学可以将本学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索,可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存和汇编本学位论文。保密□,在____________年解密后适用本授权书。本论文不保密□。属于(请在以上方框内打“√”)学位论文作者签名:指导教师签名:日期:年月日日期:年月万方数据华中科技大学硕士学位论文摘要作为一种新型的非易失性存储技术,磁性随机存储器MRAM(MagneticRandomAccessMemory
4、)因为其高集成度、低功耗、高速读写能力等优点而受到各界的广泛关注。经过十多年的演变磁性随机存储技术的核心已经发展到一种称作MTJ(Magnetictunneljunction)的结构,它能够在外加磁场方向变化的情况下基于电子发生隧穿磁电阻效应而使得MTJ在宏观上呈现高阻和低阻两种状态。因此开发能够测试MTJ在外加磁场变化下电阻变化的测试系统显得尤为必要。本文重点研究并开发了基于LabVIEW的垂直磁各向异性MTJ测试系统。论文首先介绍了垂直磁各向异性MTJ测试系统的开发背景与意义,虚拟仪器开发技术以及图形化编程语言LabVIEW的突出特点。然后简述作为磁性随机存储器核心器件的MTJ
5、的工作原理,描述了LabVIEW程序的组成结构与开发流程。接着详细描述测试系统的硬件组成与架构,测试系统的软件程序对测试工作的流程控制。结尾部分还给出了使用这套测试系统得出的测试结果,并对测试结果作了简要的分析。对垂直磁各向异性MTJ测试系统的成功开发,能够实现对所制作的MTJ器件作为存储器件的性能评估,对从材料和工艺等方面深入探究性能更加优良的MTJ提供了可靠实用的测试手段。关键词:磁性随机存储器(MRAM)隧穿磁电阻效应(TMR)磁性隧道结(MTJ)虚拟仪器LabVIEWI万方数据华中科技大学硕士学位论文AbstractAsanewtypeofnon-volatilememor
6、y,magneticrandomaccessmemory(MRAM)receivedextensiveattentionduetoitsmanyadvantagessuchashighlevelofintegration,lowpowerconsumptionandhigh-speedreadingandwritingskills.Aftertenyearsofevolution,thecoreoftheMRAMhasevolvedtoastructurecalledtheMTJ.ThisMTJshowstwostatesofhighresistanceandlowresistan
7、cewhenthedirectionoftheappliedmagneticfieldischengedbecauseofthetunnelingmagnetoresistance.Therefore,todevelopasystemoftestingMTJresistanceintheappliedchangingmagneticfieldisparticularlynecessary.Thisthesisfocusesontheresearchanddevelop
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