基于新型电荷生成层的p_i_n结构白色有机叠层电致发光器件

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1、第４２卷第２期光子学报Ｖｏｌ．４２Ｎｏ．２２０１３年２月ＡＣＴＡＰＨＯＴＯＮＩＣＡＳＩＮＩＣＡＦｅｂｒｕａｒｙ２０１３ｄｏｉ：１０．３７８８／ｇｚｘｂ２０１３４２０２．０１４４基于新型电荷生成层的Ｐ－ｉ－Ｎ结构白色有机叠层电致发光器件汪津１，肖心明１，张冰２，姜文龙１，丁桂英１，谢文法３（１吉林师范大学信息技术学院功能材料物理与化学教育部重点实验室，吉林四平１３６０００）（２四川大学电气信息学院，成都６１００６５）（３吉林大学电子科学与工程学院集成光电子学国家重点联合实验室，长春１３００１２）摘要：采用２，９－Ｄｉｍｅｔｈ

2、ｙｌ－４，７－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－１，１０－ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰ）：５ｗｔ．％ｃｅｓｉｕｍｃａｒｂｏｎａｔｅ（Ｃｓ）和Ｎ，Ｎ′－Ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－１－ｙｌ）－Ｎ，Ｎ′－ｂｉｓ（ｐｈｅｎｙｌ）－ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（ＮＰＢ）：２０ｗｔ．％２ＣＯ３ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｏｘｉｄｅ（ＭｏＯ３）分别作为器件的电子注入层和空穴注入层，研究了Ｎ型和Ｐ－ｉ－Ｎ结构有机电致发光器件的载流子传输特性．载流子传输层中ＢＣＰ：Ｃｓ２ＣＯ３和ＮＰＢ∶ＭｏＯ３的引入有效增强了载流子注入能力，从而降低了器件的驱动电压．基于新型电

3、荷生成层ＢＣＰ：５ｗｔ．％Ｃｓ２ＣＯ３／ＮＰＢ：２０ｗｔ．％ＭｏＯ３制备了色稳定、高效率Ｐ－ｉ－Ｎ结构有机叠层器件．与单元器件相比，引入新电荷生成层有机叠层器件的最大电流效率增大了２．５倍，表明该电荷生成层可以有效地将电子和空穴分别注入到相邻发光单元中．采用该电荷生成层制备了Ｐ－ｉ－Ｎ结构白色有机叠层器件，器件的上下发光单元分别为橙光和蓝光发射．当发光亮度从５００增加到５０００ｃｄ／ｍ２时，器件的色坐标稳定在（０．３３，０．２９）附近，接近白光等能点．利用单色发光单元堆叠制备白色有机叠层器件的方法为实现色稳定、高效率的白色

4、有机电致发光器件提供了一种有效的途径．关键词：电荷生成层；叠层；效率；有机电致发光器件中图分类号：ＴＮ３８３．１文献标识码：Ａ文章编号：１００４－４２１３（２０１３）０２－０１４４－６ＨｉｇｈｌｙＥｆｆｉｃｉｅｎｔＴａｎｄｅｍＰ－ｉ－ＮＷｈｉｔｅＯｒｇａｎｉｃＬｉｇｈｔＥｍｉｔｔｉｎｇＤｉｏｄｅＢａｓｅｄｏｎａＮｅｗＣｈａｒｇｅＧｅｎｅｒａｌＬａｙｅｒ１，ＸＩＡＯＸｉｎ－ｍｉｎｇ１，ＺＨＡＮＧＢｉｎｇ２，ＪＩＡＮＧＷｅｎ－ｌｏｎｇ１，ＷＡＮＧＪｉｎ１，ＸＩＥＷｅｎ－ｆａ３ＤＩＮＧＧｕｉ－ｙｉｎｇ（１ＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒ

5、ｙｏｆＦｕｎｃｔｉｏｎａｌＭａｔｅｒｉａｌｓＰｈｙｓｉｃｓａｎｄＣｈｅｍｉｓｔｒｙｏｆｔｈｅＭｉｎｉｓｔｒｙｏｆＥｄｕｃａｔｉｏｎ，ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＩｎｆｏｒｍａｔｉｏｎＴｅｃｈｎｏｌｏｇｙ，ＪｉｌｉｎＮｏｒｍａｌＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｓｉｐｉｎｇ，Ｊｉｌｉｎ１３６０００，Ｃｈｉｎａ）（２ＳｃｈｏｏｌｏｆＥｌｅｃｔｒｉｃａｌＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ＆Ｉｎｆｏｒｍａｔｉｏｎ，ＳｉｃｈｕａｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈｅｎｇｄｕ６１００６５，Ｃｈｉｎａ）（３ＳｔａｔｅＫｅｙＬａｂｏｒａｔｏｒｙｏｎＩｎｔｅｇｒａｔｅｄＯｐｔｏｅｌ

6、ｅｃｔｒｏｎｉｃｓ，ＣｏｌｌｅｇｅｏｆＥｌｅｃｔｒｏｎｉｃＳｃｉｅｎｃｅａｎｄＥｎｇｉｎｅｅｒｉｎｇ，ＪｉｌｉｎＵｎｉｖｅｒｓｉｔｙ，Ｃｈａｎｇｃｈｕｎ１３００１２，Ｃｈｉｎａ）Ａｂｓｔｒａｃｔ：Ｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅｓ（ＯＬＥＤｓ）ｗｅｒｅｆａｂｒｉｃａｔｅｄｕｓｉｎｇ５ｗｔ．％ｃｅｓｉｕｍｃａｒｂｏｎａｔｅ（Ｃｓ）ｄｏｐｅｄ２，９－Ｄｉｍｅｔｈｙｌ－４，７－ｄｉｐｈｅｎｙｌ－１，１０－ｐｈｅｎａｎｔｈｒｏｌｉｎｅ（ＢＣＰ）ａｓｅｌｅｔｒｏｎ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ２ＣＯ３ａｎｄ２０ｗｔ

7、．％ｍｏｌｙｂｄｅｎｕｍｏｘｉｄｅ（ＭｏＯ３）ｄｏｐｅｄＮ，Ｎ′－Ｂｉｓ（ｎａｐｈｔｈａｌｅｎ－１－ｙｌ）－Ｎ，Ｎ′－ｂｉｓ（ｐｈｅｎｙｌ）－ｂｅｎｚｉｄｉｎｅ（ＮＰＢ）ａｓｈｏｌｅ－ｉｎｊｅｃｔｉｏｎｌａｙｅｒ，ｒｅｓｐｅｃｔｉｖｅｌｙ，ａｎｄｔｈｅｃａｒｒｉｅｒｔｒａｎｓｆｅｒｃｈａｒａｃｔｅｒｉｓｔｉｃｓｗｅｒｅｅｘａｍｉｎｅｄ．ＴｈｅｌｏｗｅｒｅｄｄｒｉｖｉｎｇｖｏｌｔａｇｅｓｕｇｇｅｓｔｓＢＣＰ：Ｃｓ２ＣＯ３ａｎｄＮＰＢ：ＭｏＯ３ｅｆｆｉｃｉｅｎｔｌｙｅｎｈａｎｃｅｃａｒｒｉｅｒｉｎｊｅｃｔｉｏｎｉｎＯＬＥＤｓ．

8、Ｃｏｌｏｒ－ｓｔａｂｌｅａｎｄｅｆｆｉｃｉｅｎｔｔａｎｄｅｍＰ－ｉ－Ｎｗｈｉｔｅｏｒｇａｎｉｃｌｉｇｈｔｅｍｉｔｔｉｎｇｄｉｏｄｅ（ＷＯＬＥＤ）ｗｉｔｈａｎｅｗｃｈａｒｇｅｇｅｎｅｒａｔｉｏｎｌａｙｅｒ，ｗｈｉｃｈｃｏｎｓｉｓｔｓｏｆＢＣＰ：５ｗｔ．％Ｃｓ２ＣＯ３／ＮＰＢ：２０ｗｔ．％ＭｏＯ３，ｈａｓｂ