清华大学出版社课后习题详细解析

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1、习题4客观检测题一、填空题1.场效应管利用外加电压产生的电场来控制漏极电流的大小，因此它是电压控制器件。2.为了使结型场效应管正常工作，栅源间两PN结必须加反向电压来改变导电沟道的宽度，它的输入电阻比MOS管的输入电阻小。结型场效应管外加的栅-源电压应使栅源间的耗尽层承受反向电压，才能保证其RGS大的特点。3.场效应管漏极电流由多数载流子的漂移运动形成。N沟道场效应管的漏极电流由载流子的漂移运动形成。JFET管中的漏极电流不能穿过PN结（能，不能）。4.对于耗尽型MOS管，VGS可以为正、负或者零。5.对于增强型N型沟道MOS管，VGS只能为正，并且只能当V

2、GS>VTH时，才能形有。6.P沟道增强型MOS管的开启电压为负值。N沟道增强型MOS管的开启电压为正值。7.场效应管与晶体管相比较，其输入电阻高；噪声低；温度稳定性好；饱和压降大；放大能力较差；频率特性较差（工作频率低）；输出功率较小。8.场效应管属于电压控制器件，而三极管属于电流控制器件。9.场效应管放大器常用偏置电路一般有自偏压电路和分压器式自偏压电路两种类型。10.由于晶体三极管是电子、空穴两种载流子同时参与导电，所以将它称为双极型的，由于场效应管只有多数载流子参与导电，所以将其称为单极型的。11.跨导反映了场效应管栅源电压对漏极电流控制能力，其单位

3、为ms(毫西门子)。12.若耗尽型N沟道MOS管的VGS大于零，其输入电阻不会明显变小。13.一个结型场效应管的转移特性曲线如题图4.1所示，则它是N沟道的效应管，它的夹断电压Vp是4.5V，饱和漏电流IDSS是5.4mA。题图4.0.1填空题13图主观检测题4.2.1已知某结型场效应管的IDSS＝2mA，Vp＝－4V，试画出它的转移特性曲线和输出特性曲线，并近似画出预夹断轨迹。解：根据方程：，逐点求出确定的vGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性；在输出特性中，将各条曲线上vGD＝Vp的点连接起来，便为予夹断线；如图4.2.1所示。图4.2.14.3.

4、1已知放大电路中一只N沟道增强型MOS管场效应管三个极①、②、③的电位分别为4V、8V、12V，管子工作在恒流区。试判断①、②、③与G、S、D的对应关系。解：命题给定的管子是增强型管，实际上也可以是耗尽型MOS管（具有两种可能）和结型场效应N沟道管，则三个极①、②、③与G、S、D的对应关系如图4.3.1所示。图4.3.14.4.1题图4.4.1所示曲线为某场效应管的输出特性曲线，试问：（1）它是哪一种类型的场效应管？（2）它的夹断电压Vp（或开启电压VT）大约是多少？题图4.4.1（3）它的大约是多少？解：（1）由题图4.4.1所示的特性曲线，是P沟道耗尽型

5、场效应管的输出特性曲线。（2）Vp＝4V。（3）（vGS＝0时，输出特性从可变电阻区转折为饱和区时的对应电流）。4.4.2已知场效应管的输出特性曲线如题图4.4.1所示，画出恒流区vDS=8V的转移特性曲线。解：根据题图4.4.1所示场效应管的输出特性曲线，则该场效应管的转移特性如图4.4.2所示。图4.4.24.6.1分别判断题图4.6.1所示各电路中的场效应管是否有可能工作在放大区。题图4.6.1解：题图4.6.1所示的各个电路中，图（a）所示电路，可能工作在放大区，图（b）所示电路，不可能可能工作在放大区，图（c）所示电路，不可能可能工作在放大区，图（

6、d）所示电路，可能可能工作在放大区。4.6.2试分析题图4.6.2所示的各电路是否能够放大正弦交流信号，简述理由。设图中所有电容对交流信号均可视为短路。题图4.6.2(c)(b)(a)解：题图4.6.2所示的各个电路中，图（a）所示电路，可能放大交流信号。因为Vgs=0时，耗尽型N沟道MOS管工作在恒流放大区。图（b）所示的电路能放大交流信号；结型场效应管的静态工作点可以通过RS上流过的电流产生自生偏压建立。因为G-S间电压将小于零。图（c）所示的电路不能放大交流信号；。因为增强型场效应管不能产生自生偏压，这样MOS管处于截止状态。题图4.6.34.6.3场

7、效应管放大器如题图4.6.3所示，若，要求静态工作点为，，试求。解：由题意可知：可得：＝4kΩ4.6.4增强型MOS管能否单独用自给偏置的方法来设置静态工作点？为什么？试画出用P沟道增强型MOS管构成的共源电路，并说明各元件作用。解：对于增强型MOS管，不能用自给偏置的方法来设置静态工作点。因为自偏压的栅极－源极之间的电压。从表达式可以看出自偏压产生的条件是必须先有ID，但增强型MOS管的开启电压大于0，只有栅极－源极之间的电压达到某个开启电压VT时才有漏极电流ID，因此这类管子不能用自给偏置的方法来设置静态工作点。增强型MOS管构成放大电路，只能采用分压式

8、自偏压电路，如图4.6.4所示，R1、R2和R3产生