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1、第27卷第2期电网技术Vb1.27NO.22003年2月PowerSystemTechnologyFleb.2003文章编号:1000.3673(2003)02.0063.05图分类号:TM862,TM248文献标识码:A变电~,di-次电缆屏蔽层接地方式探讨刘帆,陈柏超,卞利钢(武汉大学电气工程学院,湖北省,武汉市430072)DISCUSSIONONSHIELDEDGROUNDINGMoDEoFCABLESINSECoNDARYCIRCUITSoFSUBSTATIoNSLIUFan,CHENBai—ch
2、at,BIANLi—gang(CollegeofElectricalEngineering,WuhanUniversity,Wuhan430072,HubeiProvince,China)ABSTRACITheshieldofthecablesinsecondarycircuitsIS1引言animportantmeasuretoimprovetheEMClevelofsubstation在电厂和变电站中,常用带屏蔽层的信号电anditisstillacontrove~ialissueintheadopti
3、onofoneterminalgroundingorbothterminalsgroundingofthecable缆将各种信号引入不同的测控仪器,但现场的电shield.Fromtheviewpointofanti—interferenceandoVer—磁干扰也会通过各种耦合方式使电缆中的信号畸voltageprotectiontheactionofcableshieldisanalyzedandit变,因而造成测量和控制的误差及错误。在电磁isconsideredthatunderthebothter
4、minalgroundingthe干扰严重情况下还会产生过电压而损坏二次设currentintheshieldofthecableconsistsofinductioncurrent备。一般认为,变电站的电磁干扰水平(EMI)inducedbyexternalelectromagneticfieldandnoisecurrent.与一次设备电压的3次方成正比。现在超高压变TheinductioncurrentCancounteracttheinterferencefromexternalelectromag
5、neticfieldandthenoisecurrentCanonly电站中电磁干扰比较严重,而其二次设备又广泛causeslightinterferenceinthecoreofthecable.Whenthe使用电子和微电子装置,而且这些装置的耐压水shieldisgroundedatoneterminal,becauseofthefactthat平和抗干扰能力都比较低,因此应尽量减少由二thereisnocurrentlooponlyweakshieldingeffectCanbe次电缆侵入的干扰和降
6、低干扰信号的水平。achieved.Inawellgroundednetworkifthemeasuressuchas提高二次电缆电磁干扰的防护水平需要正确voltageequalizingandshuntingisadopted,thetwoterminals理解电缆屏蔽层的作用以及屏蔽层应如何正确接ofeachcableshouldbegroundedtoobtainabettereffectofpreventingelectromagneticinterferences.Besides,itisrar
7、eto地。不正确的屏蔽层接地方式达不到良好的屏蔽burnthecableshieldwithbothterminalsgrounded.效果。国内外对二次电缆屏蔽层应l端接地还是KEYWORDS:secondarycables:interference;shields:2端接地还有争议。IEEE的标准fl_】提出屏蔽层应grounding1点接地,但许多文献提出了不同意见H。最新的IEC国际标准f7推荐屏蔽层采用2点接地。国摘要:变电站二次电缆屏蔽层是提高变电站电磁兼容水平的重要措施。二次电缆的屏蔽层采用1
8、端接地还是2端接内的文献对此也没有统一意见。在考虑这个问题地目前仍然是一个有争议的问题。文章从抗干扰和防止过时,不能简单地套用电子电路中的“低频一点接电压的角度分析了屏蔽层的作用,认为采用2端点接地后地,高频多点接地”的屏蔽层接地原则,而要从屏蔽层中流过的电流应分为感应电流和噪声电流。感应电变电站的干扰源特点、干扰途径、屏蔽层作用和流是由外界电磁场感应产生的,其实际作用是抵消外界电过电压等因素综合考虑。磁场的干扰
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