模拟电子技术基础答案 童诗白第四版

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1、第一章半导体基础知识自测题一、（1）√（2）×（3）√（4）×（5）√（6）×二、（1）A（2）C（3）C（4）B（5）AC三、UO1≈1.3VUO2＝0UO3≈－1.3VUO4≈2VUO5≈2.3VUO6≈－2V四、UO1＝6VUO2＝5V五、根据PCM＝200mW可得：UCE＝40V时IC＝5mA，UCE＝30V时IC≈6.67mA，UCE＝20V时IC＝10mA，UCE＝10V时IC＝20mA，将改点连接成曲线，即为临界过损耗线。图略。六、1、VBBUBEIB==26μARbIC=IB=2.6mAUCE=VCCICRC=2VUO＝UCE＝2V。2、临界饱和时UCES＝UB

2、E＝0.7V，所以VCCUCESIC==2.86mARcICIB==28.6μAVBBUBERb=45.4kIB七、T1：恒流区；T2：夹断区；T3：可变电阻区。习题ui/V101.1（1）AC（2）A（3）C（4）AOt1.2不能。因为二极管的正向电流与其端电压成指数关系，当端电压为1.3V时管子会因电流过大而uo/V烧坏。101.3ui和uo的波形如图所示。tO11.4ui和uo的波形如图所示。ui/V53Ot-3uO/V3.7Ot-3.71.5uo的波形如图所示。uI1/V30.3tOuI2/V30.3tOuO/V3.71tO1.6ID＝（V－UD）/R＝2.6mA，rD

3、≈UT/ID＝10Ω，Id＝Ui/rD≈1mA。1.7（1）两只稳压管串联时可得1.4V、6.7V、8.7V和14V等四种稳压值。（2）两只稳压管并联时可得0.7V和6V等两种稳压值。1.8IZM＝PZM/UZ＝25mA，R＝UZ/IDZ＝0.24～1.2kΩ。1.9（1）当UI＝10V时，若UO＝UZ＝6V，则稳压管的电流为4mA，小于其最小稳定电流，所以稳压管未击穿。故RLUO=´UI3.33VR+RL当UI＝15V时，由于上述同样的原因，UO＝5V。当UI＝35V时，UO＝UZ＝5V。（2）ID=(UIUZ)R=29mA＞IZM＝25mA，稳压管将因功耗过大而损坏。Z1.

4、10（1）S闭合。（2）Rmin=(VUD)IDmax233，Rmax=(VUD)IDmin=700。21.11波形如图所示。uI/V63t0uO1/V3t0uO2/V3t01.1260℃时ICBO≈32μA。1.13选用β＝100、ICBO＝10μA的管子，其温度稳定性好。1.141.01mA5mA(a)(b)1.15晶体管三个极分别为上、中、下管脚，答案如表管号T1T2T3T4T5T6上ecebcb中bbbeee下ceccbc管型PNPNPNNPNPNPPNPNPN材料SiSiSiGeGeGe1.16当VBB＝0时，T截止，uO＝12V。当VBB＝1V时，T处于放大状态。因

5、为VBBUBEQIBQ==60μA，ICQ=IBQ=3mA，uO=VCCICQRC=9VRb当VBB＝3V时，T处于饱和状态。因为VBBUBEQIBQ==160μA，ICQ=IBQ=8mA，uO=VCCICQRC＜UBERb1.17取UCES＝UBE，若管子饱和，则VCCUBEVCCUBERb´=，Rb=RC，所以=100管子饱和。RbRCRC1.18当uI＝0时，晶体管截止，稳压管击穿，uO＝－UZ＝－5V。当uI＝－5V时，晶体管饱和，uO＝0.1V。因为uIUBEIB==480μARbIC=IB=24mA3UEC=VCCICRC＜VCC1.19（a）可能（b）可能（c）不

6、能（d）不能，T会损坏。（e）可能1.20根据方程uGS2iD=IDSS(1)UGS(th)逐点求出确定的uGS下的iD，可近似画出转移特性和输出特性。在输出特性中，将各条曲线上uGD＝UGS（off）的点连接起来，便为予夹断线。1.211.22过uDS为某一确定值（如15V）作垂线，读出它与各条输出特性的交点的iD值；建立iD＝f（uGS）坐标系，根据前面所得坐标值描点连线，便可得转移特性。1.23uI＝4V时T夹断，uI＝8V时T工作在恒流区，uI＝12V时T工作在可变电阻区。1.24（a）可能（b）不能（c）不能（d）可能第二章基本放大电路自测题一、（1）×（2）√（3）

7、×（4）×（5）√（6）×（7）×二、（a）不能。因为输入信号被VBB短路。（b）可能（c）不能。因为输入信号作用于基极与地之间，不能驮载在静态电压之上，必然失真。（d）不能。晶体管将因发射结电压过大而损坏。（e）不能。因为输入信号被C2短路。（f）不能。因为输出信号被VCC短路，恒为零。（g）可能。（h）不合理。因为G-S间电压将大于零。（i）不能。因为T截止。三、（1）(VCCUBEQ)IBQ565；(VCCUCEQ)IBQ3RL'（2）UoUi-120；´Uo0.3RC＋RL四、（1）