2014考研康华光《电子技术基础

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1、康华光《电子技术基础·模拟部分》名校真题精讲及典型题分类解析第一部分半导体器件及其电路一、填空题：１．半导体中有两种载流子。答案：自由电子和空穴２．在Ｐ型半导体中，多数载流子是；在Ｎ型半导体中，多数载流子是。答案：空穴，自由电子３．在ＰＮ结不加外部电压时，扩散电流漂移电流，此时ＰＮ结中的电流。答案：等于，等于零４．在ＰＮ结外加正向时，扩散电流漂移电流，空间电荷区的宽带。答案：大于，变窄５．二极管的正向电阻，反向电阻。答案：小，大６．三极管起放大作用的内部条件是：发射区掺杂浓度；基区杂质浓度比发射区杂质浓度，基区宽带；集电结面积比发射结面积。答案：高；低，窄；大７．三极管工作在

2、饱和区时，发射结为，集电结为；工作在放大区时，发射结为，集电结为。此时，流过发射结的电流主要是，流过集电结的电流主要是。答案：正偏，正偏；正偏，反偏；扩散电流，漂移电流８．ＮＰＮ型和ＰＮＰ型三极管的区别是。答案：Ｐ区和Ｎ区的位置不同９．Ｎ型半导体是在本征半导体中掺入元素，其多数载流子是，少数载流子是。答案：五价；自由电子；空穴１０．双极型晶体管有和两种类型。晶体管主要有、和三个工作区。答案：ＮＰＮ；ＰＮＰ；放大、饱和、截止１１．场效应管属于控制器件。场效应管从结构上分成和两大类。答案：电压、结型（ＪＦＥＴ）、绝缘栅型（ＭＯＳＦＥＴ）１２．场效应管的输入电阻，漏极电流ＩＤ主要受

3、控制。答案：较大、栅源电压Ｕｇｓ１１３．场效应管跨导ｇｍ表示对漏极电流ＩＤ的控制能力的强弱。答案：栅源电压Ｕｇｓ１４．绝缘栅型场效应管（ＭＯＳＰＥＴ）又分为和，二者的区别是。答案：增强型、耗尽型，耗尽型有原始沟道而增强型没有原始沟道。１５．场效应管的漏极电流ＩＤ与栅极电压Ｕｇｓ为关系晶体管的ＩＣ与ｕｂｅ为关系答案：平方律、指数二、选择题１．在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为。Ａ．本征半导体Ｂ．Ｐ型半导体Ｃ．Ｎ型半导体Ｄ．半导体答案：Ｂ２．少数载流子是空穴的半导体是。Ａ．本征半导体中掺入三价元素，是Ｐ型半导体Ｂ．本征半导体中掺入三价元素，是Ｎ型半导体Ｃ．本征半导体中掺入五

4、价元素，是Ｎ型半导体Ｄ．本征半导体中掺入五价元素，是Ｐ型半导体答案：Ｃ３．ＰＮ结加正向电压时，其正向电流是由形成的。Ａ．多数载流子扩散Ｂ．多数载流子漂移Ｃ．少数载流子扩散Ｄ．少数载流子漂移答案：Ａ４．如果ＰＮ结反向电压的数值增大（小于击穿电压），则。Ａ．阻挡层不变，反向电流基本不变Ｂ．阻挡层变厚，反向电流基本不变Ｃ．阻挡层变窄，反向电流增大Ｄ．阻挡层变厚，反向电流减小答案：Ｂ５．根据图中已标出各晶体管电极的电位，判断处于饱和状态的是。答案：Ａ６．场效应管主要优点是（）。Ａ．输出电阻小；Ｂ．输入电阻大；２康华光《电子技术基础·模拟部分》名校真题精讲及典型题分类解析Ｃ．是电流控制

5、器件；Ｄ．组成放大电路时电压放大倍数大。答案：Ｂ７．场效应管的跨导ｇｍ的含义为（）ΔｕＣＳΔｕＤＳΔｉＤΔｉＤＡ．ｇｍ＝Ｂ．ｇｍ＝Ｃ．ｇｍ＝Ｄ．ｇｍ＝ΔｕＤＳΔｉｉＤΔｕＧＳΔｉＧ答案：Ｃ８．场效应管的转移特性如图所示，试判断该管为（）。Ａ．结型Ｎ沟道场效应管Ｂ．增强型Ｎ沟道场效应管Ｃ．耗尽型Ｎ沟道场效应管Ｄ．增强型Ｐ沟道场效应管答案：Ｂ９．电路如图所示，判断该电路工作状态为（）。Ａ．可变电阻区Ｂ．恒流区Ｃ．截止区Ｄ．击穿区答案：Ｃ１０．场效应管的跨导ｇｍ与静态电流ＩＤＱ的关系为（）Ａ．与ＩＤＱ成正比Ｂ．与槡ＩＤＱ成正比２ＩＤＱＣ．与ＩＤＱ成正比Ｄ．与成正比２答案：Ｂ三、综合

6、练习题１．理想二极管电路如图所示，已知输入为ｕｉ＝３０ｓｉｎωｔ（Ｖ）试画出输出电压ｕ０的波形２．理想二极管电路如图所示，问输出电压ｕ０＝？３解题思路：如果孤立地看二极管，ＶＤ１、ＶＤ２、ＶＤ３每管均为正向导通。而实际上，它们是一个整体，互相有影响，当其输入电压各不相同时，只可能有一只二极管导通并且是正向电压差最大的那只二极管先导通，然后使其余的管子均截止。解：对本题，ＶＤ１管压降ｕ１＝１．４Ｖ，ＶＤ２管压ｕ２＝３．６Ｖ，ＶＤ３管压降ｕ３＝４．５Ｖ最大，故该管导通ｕ０＝０．３Ｖ，ＶＤ１、ＶＤ２均截止。３．稳压二极管电路如图所示，已知限流电阻Ｒ为２００Ω问输出电压Ｕｏ是多少？若

7、负载电阻ＲＬ减小到２００Ω，则输出电压Ｕｏ是多少？解题思路：稳压二极管在正常工作时处于反向电击穿状态，换句话说，就是稳压二极管两端所加的电压是反向偏置并且这个电压值还要大于稳压管的稳定电压ＵＺ上述条件一旦满足，稳压管两端的电压值即为稳定电压ＵＺ，这样做的目的是为了稳定直流电压。若稳压管两端所加的电压是正向偏置，则其分析方法与普通二极管相似。１Ｋ解：依据电路可知稳压管两端的开路电压为ＵＤＺ＝×１０Ｖ＝８．３３Ｖ１Ｋ＋０．２Ｋ显然ＵＤＺ＞ＵＺ稳压管此时处于反向电击穿工作状态，输出电压Ｕ０＝ＵＺ＝６Ｖ０．２Ｋ