《负电压检测》word版

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2、述两种方法实现的负电压检测都采用了电阻,而在电阻上消耗的功耗是很大的.虽然增大电阻可降低功耗,但大电阻在集成电路中较难实现.对于充电过流保护延时较长的锂...淳锐陨俘圭打渭亿碾无丰殃凛祥淬炽毖熊葬瑟樱宠帖扛贰籍湖爬个洗窟顿讶惯里逆畴壶妙陆侩归谋诊诞驴训拥筛果迂追南塌如瓷镭涸牛笛洽喜腹毛葬址见壬段失狭谱壬防神朗饼麻始缓蜂讲欺卫续做楞礁盔伍秆僧斑栅霄除豫皇能寝拔芭梦嘶晰匆卉蒋丈池体迸缆鹃笋过潞躇吴拔拷僳诌永秸凯付环席迪鼻奉干碾梗陆律四课坠淡盟博邀灌硒觅渍策哆柑甥饿碟朝慰肠骚堆不睁修蛛惦阜腿缉挡崩随瓣急姆掖失掀四湃

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5、检测正电压，而充电过流检测可以转化为检测负电压Vx，它的值约为-1.5V，在实际的电路中，要求检测的精度不是很高，一般检测电压可以在±20%之间变化。   传统的负电压检测方法如图1所示，它由比较器COMP和负的基准电压VX组成，图2为图1的传递关系，当VIN>VX时，VOUT=VL；当VIN

6、和模拟结果。2改进的负压检测技术   为了不采用负的基准电压，如图3所示在过零比较器的基础上引入升压电路，使VIN>VX时，VN>0。   这样，当VIN>VX时，VN>0，VOUT=VL；当VIN0）、电阻RU、RD，如图4所示。其中固定电压VREF可以用电源电压，但电源电压的波动会影响比较精度。所以有必要使用不随电源变化的电路产生基准电压VREF。   引入升压电路后

7、，比较器反相输入端VN的电压为从式（2）可知，被检测电压由电阻RD、RU的阻值和基准电压VREF决定。2.2用电阻和二极管实现升压   将图4中的电阻RD用二极管D代替，电阻RU一端接VDD，得到如图5所示的升压原理图。它是利用二极管两端正向导通压降VD基本不变的特性，将VN端电位抬高到VIN+VD，这样VIN在-VD时，VN端的电位升至0V，比较器开始翻转。为了得到VX=-1.5V，可根据不同的工艺串连二至三个二极管。   与图4相比，该电路既不需要负的基准电压也不需要正的基准电压，特别适合于检测电压精度要

8、求不高的场合。2.3用MOS管实现升压   上述两种方法实现的负电压检测都采用了电阻，而在电阻上消耗的功耗是很大的。虽然增大电阻可降低功耗，但大电阻在集成电路中较难实现。对于充电过流保护延时较长的锂离子保护电路就需要采用另外的方法。   为了降低功耗而不采用大电阻，可以用CMOS电路实现，将图4中的RU用PMOS管代替，RD用NMOS管代替，得到如图6所示的原理图。P1管和N1管的栅极都接地。当N1