耐高温光纤及其紧套光纤的开发

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1、第八届中国光电通信论坛会议论文集耐高温光纤及其紧套光纤的开发孙志雄曹蓓蓓何志雄(长飞光纤光缆有限公司)摘要:耐高温光纤是采用双涂层结构,即光纤表面涂覆硅树脂和耐高温聚丙烯酸脂到250“m。内涂层硅树脂层很薄,紧贴光纤表面。外涂层耐高温聚丙烯酸脂允许光纤在+150"C高温环境下使用。其紧套光纤采用乙烯一四氟乙烯共聚物(ETFE)作为紧套材料涂覆到900pm。介绍了耐高温光纤及其紧套光纤的研发成果,给出了耐高温光纤及其紧套光纤的热冲击试验、温度循环试验(TCT)和老化试验的结果。关键词:耐高温光纤;紧套光纤;ETFE;热冲击试验;温度循环试验;老化试验1

2、、引言光纤表面的涂层材料对光纤的性能影响很大。石英玻璃光纤的使用温度是由其涂层材料的性能所决定的。普通紫外固化聚丙烯酸脂涂敷的光纤,其使用温度范围是一60℃到+85℃。耐高温光纤需要满足更高的环境温度如150"C的使用要求,在航空航天、军工、装备等领域有很重要的作用。与普通光纤和常规紧套光纤相比,耐高温光纤的一次涂覆材料和紧套材料都不同。为了满足在-60。C到+150℃环境下使用的要求,开发了耐高温光纤及其ETFE紧套产品。可靠性试验包括高温光纤及其紧套光纤的热冲击试验、温度循环试验(TCT)和老化试验,在本文中给出了试验结果。光纤和紧套光纤在可靠性

3、试验前后经过了剥离力测试,测试结果另文刊出。2、耐高温光纤涂覆树脂的选用是耐高温光纤开发的关键。涂覆树脂温度性能比较见表1。长飞公司的耐高温光纤是采用双涂层结构,即在经过100kpsi筛选的光纤表面涂覆硅树脂和耐高温聚丙烯酸脂到250pm。内涂层硅树脂层很薄,紧贴光纤表面。外涂层耐高温聚丙烯酸脂允许光纤在+150"C高温环境下使用。下文给出了耐高温光纤的热冲击试验和度循环的结果,试验条件见表2。表1.涂覆树脂温度性能比较

4、I聚丙烯酝脂耐高温聚丙烯酪脂硅树脂聚酰亚胺ll使用温度上限(℃)85150200300I1..140..第八届中国光电通信论坛会议

5、论文集表2.试验条件测试高温低温湿度项目‘℃)(℃)(%)详细测试要求松绕删iic衰减,然后进行温度冲击试验,每个温度热冲击1如.60点停留大约30分钟.在线监控.3个循环,升降温透辜约1-C』r【曲,自动采隼数TCT150.6055据.TCT后及时取lOm250um光纤测试争0离力.2.1热冲击试验-W30-i109^⋯7、iliLOllt·&KS:00,IrII:;】OlIⅡI‘IUU.Ua1800.04l50::i:I!IlIlfoI0.03童o120o篇专鼍::i;:I!JIoIlI!I=90:爪i爪n从九n八州门烈:;60一iI—Ii]:一

6、l:一I!一o!~!l一!广!广:I—一一0.01oi兰30I.fif.:l:j!j!jI:I.:Ii兰一0.02=—-:,30I。III.:I:!::‘:.I:!。:I:1—0.03。-30I。III‘iI:!::l:14.vI:r:Ii一60加.04一qn—0.05.Time(h)I⋯TemperatureChangeofattenuatior图1.热冲击试验中1310hm波长衰减的变化^7{{JjI(】‘}、H!(‘;i1ifl,【lf,&h、:OO’1)(J】551hj『【j^1^⋯ZlOU.Ua1800.04L50::I!IlJI1Ilo’

7、I0.03重o1200.02%富::iijI—iI一!IlIl!一I0.01:喜二90√\/\厂:\J/\厂LJ,\,\/L厂U\,。警三=三60:IiI:I:一I11’!-.II::l:一一0.01c茎三30I.Iif.:,:.,!j!jI:I.:I』三一0.02=二0I。JII.:I:!::I:.I:!。:I:—30lI。III‘iI:!l:o:”I:●:Ij4—0.03-60一O.04~qn—0.05Time(h)l一一Temperature——Changeofattenuation图2.热冲击试验中1550nm波长衰减的变化热冲击试验模拟高温

8、与低温之间的瞬间变化环境,用于检测光纤在反复冷热变化下的抵抗能力,从而判断光纤的可靠性及稳定性能等参数是否合格,提供预测和改进产品的质量的可靠性依据。图l和图2给出了耐高温光纤在热冲击试验中1310nto和1550nto波长衰减的变化。全温范围内最大的衰减变化+O.008dB/km@1310nm,.141.第八届中国光电通信论坛会议论文集+0.01dB/km@1550nto。2.1温度循环试验图3和图4给出了耐高温光纤在温度循环试验中1310nm和1550nm波长衰减的变化。全温范围内最大的衰减变+0.009dB/km@1310+0.011dB/km

9、@1550nm。^7’;0jl¨0^f,}(、'1l:’OTIC·Kh、?001,rfrl:{l()tlfI

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