碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究

碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究

ID:33360368

大小:5.06 MB

页数:61页

时间:2019-02-25

碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究_第1页
碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究_第2页
碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究_第3页
碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究_第4页
碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究_第5页
资源描述:

《碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、论文题目:碳化硅陶瓷的无压烧结及性能研究专业:材料学硕士生:刘明刚(签名)指导教师:李小池(签名)摘要碳化硅陶瓷作为一种具有高强度、高硬度、耐高温、耐腐蚀、耐磨损、抗热震的高性能特种陶瓷材料广泛用于航空航天、电力电子、机械工业、石油化工等许多领域。由于碳化硅原料共价键占80%左右,因此很难在常压下烧结致密,为了使碳化硅陶瓷烧结,常采用反应烧结、热压烧结等方法烧结制品,但是制品的性能也不尽理想。近年随着碳化硅制品烧结理论的发展,微粉性能的提高,烧结助剂的多样化和深入研究,采用无压烧结工艺烧结高性能碳化硅制品的

2、工艺开始发展完善。碳化硅制品无压烧结法,工艺简单、成本低廉,烧结后的制品性能优良,从而成为一种很有发展前途的烧结方法。本文对碳化硅陶瓷的无压烧结工艺进行了研究。主要包括:(1)碳化硅陶瓷的制备工艺,即碳化硅原料、烧结助剂种类的选择及用量,重点研究两种烧结助剂体系对碳化硅陶瓷性能的影响,并通过多组配方体系的实验、对比与优化选定最佳配方;以及成型压力、烧结温度等工艺参数对碳化硅陶瓷性能的影响。(2)碳化硅陶瓷的物理性能、力学性能和显微结构的测试分析。(3)碳化硅陶瓷烧结机理及结晶性能的研究,包括SiC陶瓷在烧结

3、过程中所产生的化学变化,结构、含量、成份的变化,及烧结过程中气氛的影响。通过实验研究发现,碳化硅陶瓷的最佳成型压力为140MPa,最佳保压时间为90s:粘结剂最佳用量为物料总质量的3%:含有C、B4C元素作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于固相烧结,烧结过程主要由扩散机制控制,最佳烧结温度为2150℃;含有A1203、K20、Na20、MgO等金属氧化物作为烧结助剂的碳化硅陶瓷烧结属于液相烧结,烧结过程主要由界面反应控制,最佳烧结温度为1350"C。实验制备所得碳化硅陶瓷的最大密度为3.169/cm3(相对密度

4、98.75%),最大抗压强度为550MPa。结果表明:添加适当含量的C+B4C烧结助剂的碳化硅无压烧结工艺简单且易于控制,陶瓷烧结后相比于生坯有30%左右的体积收缩,可以获得致密度较高,力学性能较好的碳化硅特种陶瓷。关键词:碳化硅陶瓷;无压烧结;烧结助剂;固相烧结;液相烧结研究类型:应用研究Subject:StudyonthePropertyofPressurelessSinteringSiliconCarbideCeramicSpecialty:MaterialEngineeringName:LiuMin

5、ggangInstructor:LiXiaochiABSTRACT(SignatuAsonekindofspecialceramicmaterial,siliconcarbideceramichasmanyexcellentperformance砸thmghintensity、highhardness、hightemperatureresistance、corrosionresistance、abrasionresistance、thermal-shockresistance,whichusedinmany

6、fieldssuchasaerospace,power,electron,mechanicalindustry,petroleumandchamicalindustry.Becausethecovalentbondingofsiliconcarbideaccountforabout80%,SOitisdifficulttosintercompactdensityundertheatmosphericpressureconditions,inordertomakethesiliconcarbidesinter

7、ed,weoftenusedthehot-pressedsintering,reactionsinteringandothercommonsinteringmethod,butitisstillhardtogethighperformanceconducts.Recentyears,诵mthedevelopmentofsiliconcardidesinteringtheory,theimprovementofpowderperformance,thediversificationanddeeplyresea

8、rchofadditive,SOthepressurelesssinteringprocesstopreparellighperformancesiliconcarbideconductbeginstodevelopcompletely.Pressurelesssinteringprocessissimplyandthecostisinexpensive,theproductsaftersinteringhave

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。