solgel法制备bst薄膜取向生长影响因素及性能研究

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时间:2019-02-25

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1、济南大学硕一L学位论文摘要具有钙钛矿结构的钛酸锶钡BST(BaxSrl璀Ti03)是钛酸钡(BaTi03)与钛酸锶(SrTi03)的固溶体,BST薄膜由于具有高介电常数、低介电损耗、优良的铁电、压电、热释电性能、不易疲劳、居里温度可调、漏电流密度低、非线性强等优点,且在DRAM、相位移器、热释电探测器等领域有广泛的应用,现已成为国内外材料研究的主要领域之一。本文综述了钛酸锶钡(BST)铁电薄膜的基本结构、主要应用及其制备方法,并重点介绍了溶胶.凝胶法制备BST薄膜的原理和流程,本实验利用改变单一因素的思想主要研究了热处理工艺(热解温度、退火温度及

2、升温速率等)、前驱液性质(前驱液浓度、粘度及Ba/Sr比等)和基底材料等因素对S01.Gel法制备的BST薄膜的结构及性能的影响规律。以醋酸钡Ba(OAc)2,醋酸锶Sr(OAc)2·1/2H20和钛酸四丁酯Ti(OC4H9)4为主要前驱化合物,采用S01.Gel技术成功制备了能长时间稳定存在的BST溶胶,采用旋涂工艺制备出了具有AB03钙钛矿相,沿(110)晶面择优取向的光滑均一的BST薄膜。与玻璃基底和刚玉基底相比,硅基底与BST薄膜的晶格匹配度高,涂覆在Si基底上的BST薄膜结晶较好,形成了更完整的钙钛矿结构,且整体形貌较好。Si02缓冲层

3、不能促进钙钛矿相的形成。BST薄膜缓冲层能够诱导薄膜结晶,促进钙钛矿相的形成,随涂覆的缓冲层的薄膜浓度减小,薄膜的结晶程度提高,浓度较低的BST薄膜做缓冲层较好;经刚玉粉超声处理的Si基底在一定程度上也能够诱导BST薄膜晶体的生长。ZnO薄膜诱导层能够诱导前驱液为低浓度的BST薄膜晶体的生长,却对高浓度前驱液的BST薄膜的晶体生长的诱导作用稍弱一些;镀膜的最佳旋涂速率为2500r/min;每层薄膜的最佳涂覆时间为30s;薄膜的最佳热解温度选择450。C;每层薄膜最佳热分解时间为20min;最佳升温速率为0.5~1℃/min;制膜的最佳退火温度为7

4、50*(2。经650℃热处理后,BST薄膜已基本形成AB03型钙钛矿结构,随着热处理温度的提高,薄膜的结晶程度提高,易于沿(110)晶面择优取向。退火温度为750℃时,薄膜表面平滑致密、无裂纹,颗粒分布均匀发育完整、尺寸较大。Ba/Sr比是影响BST薄膜结晶性能的一个重要因素,当Ba/Sr比增大时,薄膜的结晶程度先增大后减小,晶格常数逐渐增大。Ba/Sr比为65/35时,薄膜的结晶性能V最好。·薄膜热处理工艺相同时,随着前驱液浓度和粘度增大,薄膜结晶程度提高,晶格常数增大,且微观形貌有所改善,薄膜表面晶粒尺寸变大,更加致密均匀,断面处膜厚增大。前

5、驱液浓度为O.5mol/L(群l粘度5.8cp)的薄膜结晶最好,晶粒发育较完善,晶粒与晶粒之间比较紧密,表面光滑致密无裂纹,颗粒直径大概为6啦80nlTl,断面处薄膜厚度大概为550nln。介电常数随退火温度的升高而升高,介电损耗随退火温度升高而降低。退火温度为750℃的薄膜的介电性能最好;涂覆层数为5层时的BST薄膜的介电性能最好;随着浓度的增大,BST薄膜的介电损耗越来越小、介电常数越来越大,当前驱液浓度为0.5mol/L时BST薄膜的介电性能最好;且BST薄膜的介电性能随Ba/Sr比的不同变化较为复杂。关键词:溶胶.凝胶法,BST薄膜,基底

6、材料,热处理工艺,前驱液性质VI济南大学硕上学位论文ABSTRACTBariumstrontiumtitanate(BSa3、析tllperovskites仃uctureiscomposedofSrTi03andBaTi03.BSTceramicsrecentlyhavebecomeoneofhotspotsinfieldsofmaterials、physicsandelectronicsbecauseofitsgoodperformance,suchashighdielectricconstant,lowdielectriclossandgoo

7、dferroelectricity,piezoelectricity,etal.AndtherearewideapplicationsofBSTthinfilmsind),Ilamicrandomacessmemory(DRAM),decouplingcapacitors,pyroelectricinfraredsensorsandpiezoelectricmicroactuators.Thisarticlemainlysummarizedthebasicstructure,applicationandpreparationofBSTthinfi

8、lmsandintroducedthesol—gelmethodasallimportantpart.Inthispaper,theef

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