kovarcukovar层状复合材料的研制

《kovarcukovar层状复合材料的研制》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、摘要本实验研究了不同厚度比的Kovar／cu／Kovar电子封装材料的加：r：工艺，对材料的电阻率、热膨胀系数以及力学性能进行了检测，并借助金相显微镜、扫描电镜、能谱仪对复合层板材料的界面结合、变形组织、退火组织以及扩散现象进行了观察，经分析讨论，结果表明：(1)表面处理方法对材料的复合强度有显著影响，经钢刷刷过的Kovar／cu／Kovar界面容易结合且强度高。(2)轧制温度和初道次变形率对材料的结合强度有显著影响，复合层板在800℃、初道次变形率为50％的条件下进行轧制有最好的综合性能。(3)与轧制

2、态相比，退火温度对复合层板的性能如电阻率、抗拉强度均有显著影响，而经850℃退火的复合层板的综合性能最好。(4)Kovar／cu／Kovar电子封装材料的界面存在少量元素扩散，界面结合由机械啮合机制以及元素扩散机制共同构成。(5)用自行研制的专门测薄带材热膨胀系数的仪器测试的结果表明Kovar／Cu／Kovar的膨胀系数和抗拉强度与Kovar相比，并没有发生很大变化，但是电阻率大大降低了，即实现了电子封装用高导电导热、低膨胀的要求，达到r硼1：制该材利．的目的。关键词Kovar／Cu／Kovar，膨胀系

3、数，轧制复合法，加工参数，界面ABSTRACT7FheKovar／Cu／Kovar《K／C／K)claddingsheetswithdifferentKovar／Copperthicknessfatioswerepreparedandinvestigatedinthispaper．Theelectricalresistivities(Efs)，coefficients。ofthermalexpansion(CTEs)andmechanicalpropertiesofthelaminatesweremea

4、sured。豫eKovar／Copperinterface，as—rolledmicrostructureandannealingmicrostructureofthematerialswereobservedbyusingopticalmicroscope(OM)andscanningelectronmicroscopy(SEM)，energydiflYactionscanning(EDS)andtheresukswerediscussed．Itshowedthat：(1)Theprocessingm

5、ethodsofthematingsurfaceshaveaimportanteffectonthecladdingsheets．Theshearstrengthofthecladdingsheettreatedwimsteelbrushinghadthehighestvalues．(2)Theroll，bondingtemperaRwesandthefirstreductionhadafundamentaleffeetonthepropertiesofthecladdingsheets．Theclad

6、dingsheetshadoptimalpropertieswhenrolledat850℃withthereduc矗onof50％，(3)Theannealingtemperatureshadanimportanteffectonthepropertiesofthecladdingsheetssuchaselectricalresistivityandthetensilestrength～Thecladdingsheetannealedat850℃hadthebestproperties．f41T囊e

7、diflusionhappenedbetweenthesurfacesoftheKovar／Cu／Kovarelectronicpackagingcladdingsheets．Thebondingmechanismswerethemechanicioggleandatomicdiffusionoftheinterface．f5{ThemeasureddataoftheinstrumentdesignedforthemeasurementoftheCEl'sofcladdingsheetsshowed：t

8、heCETsandtensilestrengthofK／C／Kwereslightlyhi曲er,buttheETsofK／C／Kweremuchlower,comparedtothoseofKovar．强epropertiesofK／C／Kmanufacturedin踌ispapermeettherequirementsofelectronicpackagingmaterialssuchashi：ghconductivity,highTC