多孔silt3gtnlt4gtsiolt2gt透波复合材料的制备

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1、山东理t大学硕十学位论文摘要摘要本文以Si3N4基陶瓷复合材料在雷达天线罩上的应用为基础,通过利用Si3N4基陶瓷优良力学性能与多孔陶瓷的制备方法相结合,进一步提高SiaN4陶瓷的介电性能,后再利用纳米Si02更加优良的介电性能和纳米材料的一些优良特性,最终制得介电常数和力学性能更加优异的多孔纳米SiaN4.Si02复合透波材料。本文研究了不同含量的淀粉和碳粉两种造孔剂,对制备多孔Si3N4陶瓷材料的气孔率、体积密度、介电常数和抗弯强度的影响,确定最佳的造孔剂和其含量。在其基础上研究分别加入不同含量的纳米Si3N4和纳米Si02,对复合材料气孔率、体积密度、介电常

2、数和抗弯强度的影响。研究结果表明:淀粉和碳粉的加入都可以制备出多孔Si3N4陶瓷,但在相同加入量的情况下,淀粉的造孔效果明显好于碳粉,随着造孔剂含量的增加,材料可以获得更好的气孔率和介电常数,但对材料的力学性能产生不利的影响,通过比较确定30%淀粉为最佳。在含淀粉30%的Si3N4中加入适量的纳米Si3N4或纳米Si02都会获得优异的介电常数和抗弯强度,尤其是抗弯强度获得了很好的提高,5%的纳米含量为最佳,再随着纳米Si3N4或纳米Si02含量的增加,材料的抗弯强度大幅下降。通过对复合材料气孔率、介电常数和抗弯强度的比较,最终确定造孔剂淀粉含量30%、纳米Si02

3、含量为5%的Si3N4一Si02复合材料为最优。通过扫描电镜(SEM)和x-射线衍射(XRD)等技术对Si3N4一Si02复合材料分析研究,a—Si3N4基本转变成IB-Si3N4,在主晶相间形成了一些Y-Si-O-N复合的粘结相,提高了材料的力学性能。关键词:氮化硅纳米二氧化硅多孔陶瓷透波材料山东理T大学硕+学位论文AbstractABSTRACTThefundamentalpurposeofthepresentstudyistodevelopaprocessofsiliconnitridebasedceramicsforradomeapplication.To

4、attainthebetterdielectricpropertiesofSi3N4,theporousCerfllTIicWaScombinedwiththesuperiormechanicalperformanceofSi3N4.BecauseofthebetterdielectricraritiesandsomeothercharacteristicpropertiesofnanometerSi02,thenanomgterSi02wasmixedwiththeporousSi3N4material.Finally,theporousnanometerSi3

5、N4·Si02compositematerialwasprepared,whichhasthebettersuperiordielectricpropertiesandmechanicalperformance.Inthepaper,differentcontentsofstarchandcarbondustashole—makingagentwerestudied,whichcouldinfluencetheporosity,bulkdensity,dielectricconstantandflexural'、strengthofSi3N4material,SO

6、thekindandthecontentofhole-makingagentcallbedetermined.Inbasisofthestudy,thenanometeTSi3N4andnanometerSi02WereaddedtoporousSisN4respectively,thenthephenomenonthatinfluencetheporosity,bulkdensity,dielectricconstantandflexuralstrengthwereanalyzed.Theexperimentresultsshowthat:theporousSi

7、3N4canbepreparedbyaddingthestarchandcarbondustrespectively.Butunderthe$arfleanaotmt,starchisobviouslybetterthanthecarbondustinhole-makingaspect.Withtheincreaseofcontentsofhole-rrmldngagent,materialshavebetterporosityanddielectricconstant.However,themechanicalpropertiesofmaterialshaven

8、egati

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