sic单相光伏逆变器效率分析

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1、⑧论文作者签名：盐监』成指导教师签名论文评阅人1：睦鳖3蔓』熬拯)逝洹王些太堂评阅人2：睦鲑3副塾拯3直立筮窒航丞盘堂评阅人3：周≥邑经3熬量3主国盐量堂瞳评阅人4：评阅人5：答辩委员会主席：睦l旦生3塾拯3逝洹态堂委员1：途焦澧3熬拯3逝江太堂委员2：惑丞至3直亟三猩盟3主电圣鱼压委员3：盐壬3副塾拯∑逝洹盍堂委员4：翅益生3到数拯3逝洹态堂委员5：答辩日期：2Q!垒：Q三=逝Author’Ssignatu一‘●Nupervisor7SSlgnExternalReviewers：AstronauticsExaminingCommitteeChairperso

2、n：Dateoforaldefence：2014-03．06浙江大学硕士学位论文SiC单相光伏逆变器效率分析学位申请人：导师：⑧胡光铖徐德鸿教授浙江大学电气工程学院电力电子技术研究所2014年2月ThesisSubmittedtoZhejiangUniversityforM．S．DegreeEfficiencyEvaluationofSingle—-PhaseSiCPVInverterGuangchengHuSupervisor：Prof．DehongXuInstituteofPowerElectronicsCollegeofElectricalEnginee

3、ringZhejiangUniversity,Hangzhou，ER．ChinaFebruary,2014浙江大学研究生学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是本人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。除了文中特别加以标注和致谢的地方外，论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果，也不包含为获得逝姿盘堂或其他教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示谢意。学位论文作者签名：巧目七饿签字日期：加f中年，乡月“日学位论文版权使用授权书本学位论文作者完全了解逝垫盘鲎有权保留并向国家有关部门

4、或机构送交本论文的复印件和磁盘，允许论文被查阅和借阅。本人授权逝姿盘堂可以将学位论文的全部或部分内容编入有关数据库进行检索和传播，可以采用影印、缩印或扫描等复制手段保存、汇编学位论文。(保密的学位论文在解密后适用本授权书)学位论文作者签名：七日婊娥导师签名：签字日期：矽烨年。弓月“日签字日期：年月日浙江大学硕士论文摘要SiC功率器件优异的性能引起了广泛关注，在光伏发电中应用研究也是当前的热点。对单相光伏逆变的主要结构以及常用的单相逆变器结构进行了综述，逆变器是光伏逆变器系统的核心环节，本文将SiCMOSFET应用于光伏逆变器中，研究SiCMOSFET对于逆变器

5、效率提升的影响。SiCMOSFET的特性与传统的SiMOSFET有很大的差别，而且常用于高速开关的场合，易出现误触发现象。根据SiCMOSFET的特性以及应用特点，在电路结构、电阻设计、驱动电压、可靠性设计等方面进行综合考虑，设计了SiCMOSFET驱动电路。SiCMOSFET体二极管反向恢复特性优异，能够直接应用于全桥硬开关逆变器中，为了提升逆变器的功率密度，将SiCMOSFET全桥逆变器的开关频率提高至100kHz，对逆变器的主要参数进行了设计。器件工作于硬开关状态，根据电路的工作状态，进行了逆变器布局优化，以减小关键回路上的杂散电感；并分析了逆变器的效率

6、，与基于SiMOSFET的20kHzH6逆变器进行了效率对比；同时将SiCMOSFET全桥逆变器的工作频率降低至20kHz，并进行了效率分析。最后搭建了实验平台，测试了相应的效率曲线，并进行了对比。对100kHz的SiCMOSFET全桥逆变器的损耗进行了研究分析，找出影响其效率的主要因素。为了进一步提高逆变器的效率，根据逆变器的工作状态，在逆变器中采用了ZVS软开关技术。首先对软开关电路的工作过程进行了阐述，并进行了相关参数的设计；其次，根据电路的工作状态，对软开关逆变器的效率进行了分析，并与硬开关全桥逆变器的效率进行了对比。搭建了SiCMOSFET软开关逆变

7、器实验平台，观察逆变器的工作波形，与理论分析进行对比，验证该软开关技术的合理性；测试逆变器的效率，在不同的功率下调整软开关的相关参数，使逆变器的效率最大化，并将软开关逆变器的实验效率曲线与硬开关的效率曲线进行对比。关键词：SiCMOSFET；光伏逆变器；效率：软开关；损耗浙江大学硕士论文AbstractSiCpowerdeviceshavesuperiorcharacteristicsandgetwellconcerned，andthefieldofPVdistributedgeneratorsystemsisafocusofcurrent．Thestruct

8、ureofresidentialPVi