半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究

半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究

ID:33331237

大小:1.12 MB

页数:4页

时间:2019-02-24

半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究_第1页
半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究_第2页
半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究_第3页
半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究_第4页
资源描述:

《半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在工程资料-天天文库

1、第59卷第3期2010年3月物理学报Vol.59,No.3,March,201010003290/2010/59(03)/216904ACTAPHYSICASINICA2010Chin.Phys.Soc.半绝缘等离子体波导太赫兹量子级联激光器工艺研究黎华韩英军谭智勇张戎曹俊诚(信息功能材料国家重点实验室,中国科学院上海微系统与信息技术研究所,上海200050)(2009年5月31日收到;2009年7月8日收到修改稿)采用气态源分子束外延设备生长了GaAs/AlGaAs束缚态到连续态跃迁结构的太赫兹(THz)量子级联激光

2、器(QCL)有源区结构,研究了半绝缘等离子体波导THzQCL的器件工艺,采用远红外傅里叶变换光谱仪以及探测器测量了器件的电光特性2.器件激射频率为32THz,10K下的阈值电流密度为275A/cm.关键词:太赫兹,量子级联激光器,波导,器件工艺PACC:9580G,7280E,7820J[12][13]波模式)和186K(脉冲模式).1引言目前最高工作温度的THzQCL器件采用的是共振声子有源区设计以及双面金属波导结构.共振量子级联激光器(QCL)是一种电抽运的单极器声子THzQCL设计中通过快速的纵光学(LO)声子件,电子

3、通过在子带间的光学跃迁辐射出光子.在散射来实现下激光能级的电子抽取,抽取效率高,从[14,15]QCL中,子带能级之间的能量差由量子阱和垒的宽而可以实现较大的粒子数反转.但是这种结构度决定.通过改变势阱和势垒的宽度,可以改变激射的器件阈值电流密度很高,器件焦耳热很大.双面金能级之间的能量差,从而控制辐射光子的频率,这称属波导结构限制因子高,阈值增益低,适合高温工之为“能带工程”.一个完整的QCL的有源区由几十作.然而双面金属波导结构的器件光束发散角大,光甚至几百个周期组成,电子每经过一个周期就发射功率低.本文所研究的THzQCL

4、器件采用束缚态到一个光子.现在,QCL的波长覆盖范围可以从连续态跃迁有源区设计以及半绝缘等离子体波导结[1][2]3μm一直到250μm,通过外加磁场的辅助,长构.我们详细介绍了半绝缘等离子体波导THzQCL波方向甚至可以到350μm[3].目前,还没有另外一的制作工艺,并且给出了器件的电光性能测试结果.种电抽运的半导体激光器可以覆盖这么宽范围的电磁波谱.第一个中红外QCL是由Faist及其合作者2有源区结构、工艺以及性能测试共同研制成功的[4],这项工作一直被誉用为“能带工程”的先例.一直以来,研究人员在太赫兹(THz)我们

5、研究的THzQCL器件有源区结构采用束理论方面,例如THz光吸收、THz源和探测等等,做缚态到连续态跃迁设计,与Barbieri等人的结构设[5—9][16]了大量的研究.在实验上,世界上首个THzQCL计类似.整个有源区材料采用气态源分子束外延于2002年诞生,其激射频率为44THz[10].之后,由(GSMBE)设备生长在半绝缘GaAs(100)衬底之于有源区设计和波导结构的不断优化,THzQCL器上.首先在GaAs(100)之上生长一层GaAs缓冲层,+件性能经历了快速的发展.目前,THzQCL的最高激接着生长一层700

6、nm厚的nGaAs下接触层(掺杂射功率为250mW[11],最高工作温度为117K(连续浓度为2×1018cm-3).在下接触层之上生长THz国家重点基础研究发展计划(批准号:2007CB310402),国家自然科学基金(批准号:60721004,60606027)、中科院重要方向项目(批准号:KGCX2YW231),中科院重大基金和“百人计划”资助的课题.通讯联系人.Email:jccao@mail.sim.ac.cn2170物理学报59卷QCL有源区结构,有源区由90个周期组成,每个周期又由9个GaAs阱组成.在有

7、源区之上,生长一层+80nm厚的nGaAs上接触层(掺杂浓度为5×18-310cm).至此,就完成了整个THzQCL材料外延结构的生长.图1为自洽计算的束缚态到连续态跃迁THzQCL的能带结构图.在外加偏压F=254mV/module下,电子从上一周期的束缚态能级2跃迁到本周期连续态中的能级1上发射THz光子.计算得到的发射THz光子的能量为E21=132meV(319THz),辐射谐振强度为f21=102.能级1上的电子在微带内通过电子电子散射进入基态,然后注入到下一周,完成整个输运过程.图1束缚态到连续态跃迁THz

8、QCL导带结构图(从左到右,一MBE生长完的THzQCL有源区材料采用半绝个周期内各层厚度分别为36/132/057/85/057/149/14/缘等离子体波导工艺制作器件.整个工艺流程如图120/17/115/19/113/19/10

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。