p-i特性曲线绘制实验

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1、P-I特性曲线绘制实验一、实验目的1、学习半导体激光器发光原理2、了解半导体激光器平均输出光功率与注入电流的关系3、掌握半导体激光器P-I曲线的测试及绘制方法二、实验内容测量半导体激光器功率和注入电流，并画出P-I关系曲线。三、实验仪器示波器,RC-GT-Ⅲ(+)型光纤通信实验系统，光功率计，万用表。四、基本原理1、半导体激光器的功率特性及伏安特性图1激光器的功率特性图2激光器的伏安特性半导体激光器的输出光功率与驱动电流的关系如图1所示，该特性有一个转折点，相应的驱动电流称为门限电流(或称阈值电流)

2、，用Ith表示。在门限电流以下，激光器工作于自发发射，输出荧光功率很小，通常小于100puW；在门限电流以上，激光器工作于受激发射，输出激光，功率随电流迅速上升，基本上成直线关系。激光器的电流与电压的关系相似于正向二极管的特性，如图8-2所示，但由于双异质结包含两个PN结，所以在正常工作电流下激光器两极间的电压约为1.2V。阈值条件就是光谐振腔中维持光振荡的条件。设受激发射所产生的光介质的平均增益系数(单位长度上的增益)为，光介质的平均损耗系数为，则光谐振腔产生和维持光振荡的条件为光子在光谐振腔中来

3、回反射一次所产生的光能增益大于或等于光能的损耗，用公式表示为(1)式中上为光谐振腔的长度，r1，r2分别为光谐振腔两端镜面的反射系数(O1为电流侧向扩展因子。采用BH，DC—PBH和RWG激光器结构，可使ξ接近于1，故能获得小的门限电流。激光器功率特性的线性程度对模拟光纤传输系统的

4、非线性失真指标影响很大。半导体激光二极管(LD)或简称半导体激光器与发光二极管LED不同，它通过受激辐射发光，是一种阈值器件。由于受激辐射与自发辐射的本质不同，导致了半导体激光器不仅能产生高功率(≥10mW)辐射，而且输出光发散角窄(垂直发散角为30—50°，水平发散角为0～30°)，与单模光纤的耦合效率高(约30％～50％)，辐射光谱线窄(A入=0．1—1,0nm)，适用于高比特工作，载流子复合寿命短，能进行高速(>20GHz)直接调制，非常适合于作高速k距离光纤通信系统的光源。对于线性度良好的半

5、导体激光器，输出功率可以表示为（3）其中（4）这里的量子效率ηin(，表征注入电子通过受激辐射转化为光子的比例。在高于阈值区域，大多数半导体激光器的ηint近于1。（3）式表明，激光输出功率决定于内量子效率和光腔损耗，并随着电流而增大，当注入电流I>Ith时，输出功率与I成线性关系。其增大的速率即P-I曲线的斜率，称为斜率效率（1-5）P-I特性是选择半导体激光器的重要依据。在选择时，应选阈值电流Ith尽可能小，Ith对应P值小，而且没有扭折点的半导体激光器，这样的激光器工作电流小，工作稳定性高，消

6、光比大，而且不易产生光信号失真。且要求P-I曲线的斜率适当。斜率太小，则要求驱动信号太大，给驱动电路带来麻烦：斜率太大，则会出现光反射噪声及使自动光功率控制环路调整困难。图3LD半导体激光器P-I曲线示意图半导体激光器具有高功率密度和极高量子效率的特点，微小的电流变化会导致光功率输出变化，是光纤通信中最重要的一种光源，激光二极管可以看作为一种光学振荡器，要形成光的振荡，就必须要有光放大机制，也即激活介质处于粒子数反转分布，而且产生的增益足以抵消所有的损耗。将开始出现净增益的条件称为阈值条件。一般用注

7、入电流值来标定阈值条件，也即阈值电流Ith，当输入电流小于Ith时，其输出光为非相干的荧光，类似于LED发出光，当电流大于Ith时，则输出光为激光，且输入电流和输出光功率成线性关系，该实验就是对该线性关系进行测量，以验证P-I的线性关系．在实验中所用到半导体激光器其输出波长为1310nm，带尾纤及FC型接口。实验中半导体激光器电流的确定通过测量串联在电路中的R516上电压值。由于R516=1Q，电路中的驱动电流在数值上等于R516两端电压。一、实验步骤（以下实验步骤以1310nm光端机部分讲解，即实

8、验箱左边的模块。1550nm光端机部分与其相同）1、电路部分操作：1)关闭系统电源。2)将光发送模块中的激光器注入电流可调电阻R277逆时针旋转到头（即箭头最小端），将输入模拟信号衰减调节电阻R258逆时针旋转到头（即箭头最小端），使模拟驱动电流达到最小值及输入信号达到最小值。3)将单刀双掷开关S200拨向模拟传输方向（右边），短接跳线J200。2、光路部分操作：1)将跳线帽（J200）拨出，使其处于断开状态，在测量挂片（NS201、NS200）上串接上一电流表。2)