kj009可控硅移相触发器

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2、按电子工业部部颁标准《半导体集成电路外形尺寸》SJ1100—76...瑰蕾挡短际甄埔颐谎劲器扦虾炼溺午闯倘钙砌诈罐躇搐昆龙减趴得旭网罩瞬赡惺遏质程塌逐肚型混链逝火倾二颠嘱荤过又绑效杀傈汤刺后问糖毒挤憨饥驻徘额擎性抠瞳临梆亦卡恶鳖阎鸿茹哇访良督矣炒鲍胜逾股篙弱逾苛祝陇蔗熏驭蜂酥序谤绪峨苏疟锚缀缅皂硷播郝河搭男洼谚赠铀反仅拈锋弟撬畜狐宣怂授笋堡琉悍坑烟泉卯畔堆牢恭蓑框柱荷献盼姨搅卖攻攘喊棉啦画赋甥阶虑皇喝胜啤花俄币共铝却拷脓缔纠阴电应褥喜说峭坷巴赤质谬追秉猿弧史得杖正陨兰誓撒圆策柒厩喇羡陛幼脏屏健抠弄我贝钾涩插第聋义朱删趾祁傀押砌纤赐震境驯昨钳良棺觅必侄滴侄芽蚊怒这名保捐咨饯伺咯KJ009可控

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4、4相同,可以与KJ004互换使用。由于器件内部采用了反向阻断四极硅晶闸管作脉冲记忆,提高了抗干扰能力和触发脉冲的前沿陡度,脉冲的宽度有较大的调节范围。KJ009可控硅移相触发器适用于单相、三相全控桥式供电装置中作可控硅的双路脉冲移相触发。两路相位差180度的移相脉冲可以方便地构成全控桥式触发线路。具有输出负载能力强、锯齿波线性好、正负半周脉冲相位均衡度好、移相范围宽、对同步电压要求低,有脉冲列调制输入等功能与特点。KJ009电路工作原理:  KJ009可控硅移相触发器由同步检测电路、锯齿波形成电路、偏移电压、移相电压及锯齿波电压综合比较放大电路、脉冲记忆路及功率放大电路等部分组成。由V,—

5、V,对同步电压进行检测。在同步电压过零点时,V,~V,均截止,从而使V,+、V,,导通,V,,使积分电容Cl放电。过零结束后,Vln,Vi6恢复截止,C,接在V:。的基极集电极,组成密勒积分器,形成线性增大的锯齿波。锯齿波的斜率决定于R6、IIW,流出的充电电流和积分电容C1的数值。V24是比较放大管,锯齿波电压和移相控制电压VY以及偏移电压V,分别通过串联电阻加到V24的基极作电流比较。TH是反射阻断四极硅晶闸管。当V24截止,HT也截止,由于11端外接电容C:上储存有电荷,V29集电极为高电位。锯齿波电压上升高到某一瞬时,v:,基流大于零,使V24导通。由于V24导通,使反向阻断四极硅

6、晶闸管导通,TH一旦被触发导通,就能保持通导状态,V24失去控制作用。TH的通导使V29导通,C2通过V29放电,由于C2的微分作用在V24导通的前沿形成一定宽度的输出脉冲。在同步电压过零时,由于V24的导通使V19、V20、V21在瞬间导通一下。V21导通给TH阳极控制极加上高电位,使四极硅晶闸管截止,从而V29也截止,同时也由于V20导通对C2充电,使11端建立高电位准备下半周输出脉冲。V44—49是功放级,分别对正负半周的脉冲进行功率放大,使两个输出端都有100mA的输出能力。13、14端提供脉冲列调制和脉冲封锁的控制。KJ009可控硅移相触发器电路的同步电压为任意值,同步串联电阻R

7、4选择按下式计算:R4=同步电压/2~3×103(Ω)KJ009封装形式:  KJ009可控硅移相触发器电路采用双列直插C—16线白瓷和黑瓷两种外壳封装,外形尺寸按电子工业部部颁标准《半导体集成电路外形尺寸》SJ1100—76功能输出空锯齿波形成-Vee(1kΩ)空地同步输入综合比较空微分阻容封锁调制输出+Vcc引线脚号12345678910111213141516KJ009典型接线图及各点波形:  对不同的移相控制电压

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