基于增益单元的高速低数据保持功耗edram设计

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1、指导小组成员名单林殷茵教授汤庭鳌教授目录摘要”.……”二”二”二”....……”.”…”...……-”.“.”…”..…“..-…”..…“.一……”.”二”........……”.”.....……~.1Abstract.”二”.……”二”.................-.……“........……“...........……”..…“......……””…”.”...……”二”.……”.2第1章绪论.…”二”......……“…“.”……”…“…“........……“…“...........……”二“二“二”....……”......…

2、…~.31.1动态随机存储器发展轨迹与应用现状.......................................................................……31.2嵌入式动态随机存储器的现状与未来发展...............................................................……51.3论文的主要工作和技术要点.............................................................................

3、.........……71.4论文的组织结构...........................……,’......................................................················……8第2章动态随机存储器单元一~.~…”…“….~.~.”一~.~~二”二”二“..…~一~…“…”·“·“·~一~~…“一…2.1当前各种动态随机存储器一单元结构介绍...................................................................…

4、…92.1.1传统ITIC结构的DRAM介绍......................................................................……92.1.2Mosys一ITSRAM介绍................................................................................……112.1.3FBC介绍....................................................................

5、.....................................……122.1.4基于Gaineen结构单元系列介绍.................................................................……142.1.4.1ZTgaineell结构.............................................................................……甲…巧2.1.4.23Tgaineell结构............……,.........

6、.....................................................……162.1.4.3ZTAs卿metricGainceu(AGO结构..........................................……172.1.4.4各种动态随机存储器单元比较.........................................................……172.2改进型ZTGc单元......................……,........................

7、.····.....·····································……18第3章基于增益单元的eDRAM阵列架构及关键外围电路模块设计…~…”~二~”.一~…….213.1阵列架构及操作方式.................................................................................................……213.1.1阵列架构介绍.......................................................

8、.................·.....···················……213.1.2阵列单元读写方式描述.......

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