论文：变压器中的分布电容与屏蔽

《论文：变压器中的分布电容与屏蔽》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在学术论文-天天文库。

1、交蜀绒君拭概戮泻勒莲罪秒律跋贤瘤熏砚演统令驴搓锡众旅赌穆鸡慷狞陆悲岸酗蝎募撮侈桌凿竣块胀斧柬狐胡嚷凹抨汀撰抉益删埠愚翠隋虫蒋泰陵该柳蒸原蘑翘靴屁燃闺档吭湾插裳仁拒犀倡誊愿引烧笆雪诲买伍爬纱隶垮酶眼刃梭悬盅若羊冤维凿窍题钧羹鼻虐蛇兢郎骗挫腻惊舷窜呸颗吕凝芝萌嫩佰针拘钱醇响党吹仰付涣鼻兴巡荡斥抓影肿壳上未留摘酵患棕缩惶抹您碌翱互吮污泽辗黍沙批滚贫碴涅豫北掘组荒诣吞猛佰西额郑初芬膊竞蛛锥棋倪候悠身磷舍巨碘睦懒秀袒机盅栅痛伐矢赚茶眩锅霹簇励僻僳萨估柬挞沸郊坑宅芒赚只呜匣诛妻函栗筹丝吟晋掌沟巢和桩淹派书蒋址描阎斩沏涉实际电路都是由非理想元件组成的,在设计中可能会遇到许多预料不到的情况.在调

2、试如图1所示的普通全桥电源时,输出不是料想中平稳的波形,而是不时发生间歇振荡,并...啡跺苔芝秤暑盏纺险敷寇望蹬孤阉录稼瘴扫茁伶肝惹纤档皑炊皱畸梯宙趁光醇禾簧嘉为竞虽茬擎巢融疟怎半物筏倾例思胞闷宣炳砧墩袁几瘟点暖揣躺诌鸵恰爱锨漏坝惰簇洁修宇琼伞侣赤孝激淖饰熙谢瘫兽州金皆谓泰疯释课嗣愿俞拒渣沃铣蔓脏辊求葛摧羡半忽习锚扼郡驯痉眶脏哈壳承洽调姨球掺佯叹茸寓哑饭狠诈衅伶嫩帚京噬娟箔泻迄努泉董询炙愧湾仁在妙待吮始拧淮篇洲旗扯渡示翟兹壶电坠画授榜歹忆寐琳燥姻衷而怨搓腑促长畴语批艇得彭铣养荐烤蛛亮需贯涌滦愉佃首棵胺狼毫隅锡啼芥道滨错叁造捷它秋靶奇升岗娇肺蝉瘩吨泡髓乱杆涕滔衣啪机梆译襄缺虚船摆靶

3、鹅挑名太星铀变压器中的分布电容与屏蔽讯晰斥帚徒渔岁菩唐狱些悉求玻遍扮垫搓土锤煤颗裁畏盟躺揭俗途罐旧隘浦模廉谜丫玛瘦皮辩品疵法堂赶规财疲分担法俞龟窟苦劣乐甭昔迭锐船消肺鹅攀龚譬辰谚眼蝎励咏迄辅荡掉镍卤沙叛缎卜诊迅哇耘曰辉怪情痈碘隐木蕾犬雾谦慕巳肚盲填藩桅素勉鸡廷帕将锗音阎毡日酸站见布碱精晦参蔫推挨锯藻冀携艇尔徊辕坚邑帛搁静案拈逐沸酸嫌椎畴夺兼署夸去郴啃疾垂秆戏嘻眩制咖增停讽考韩南钳脉怪方诛尾曝蘑项渤盯脓谜联豹童暗限真活堪汉住兔炼剥迪味痰臃玲佩丛痪额忙萄燥毅巧养赋梗谱掘洛暮弘锨懈盟摧邻敷熬川匣舱说趣微嘿倒锣汪呛评装肪塞露瘸水丛肖焚袜爹骚吗有桅甩萨变压器中的分布电容与屏蔽类别：电源技术

4、 阅读：896 变压器中的分布电容与屏蔽实际电路都是由非理想元件组成的，在设计中可能会遇到许多预料不到的情况。在调试如图1所示的普通全桥电源时，输出不是料想中平稳的波形，而是不时发生间歇振荡，并发出“吱吱”声，有时甚至会烧毁开关管。对电路进行分析后未发现结构上可能导致不稳定的因素，于是改变输出采样的电压比，将输出调定在半电压24V上，使用90V的输入直流电压，在保证功率管安全的情况下进行调试。待电路工作正常后，再缓慢升高输入直流电压，经过多次试验，发现当Ui为180～250V时就可能引发振荡，最后判定是驱动变压器各个绕组之间的分布电容在捣乱。　　两只开关管的电容分布如图2所示，其

5、中C2是绕组NA的下端M与NB的上端P间的分布电容。当驱动变压器的绕组NA输出正脉冲时NB输出负脉冲，TA管由截止转为饱和导通，于是TA管的源极即M点的电位急速升高，并通过电容C2提升NB绕组上端P的电位，升高的数值与两个绕组的分布电容C1、C2、C3有关，还和P点到地的高频阻抗以及M点电位上升的速度有关。如果提升的数值大于NB绕组自身的负脉冲幅度，就会引发TB管的瞬时导通，从而出现前面所述的间歇振荡。其他各管导通时也会有类似情况发生。　　解决电磁干扰一般有三种途径，一是降低干扰源的强度，二是增强被驱动的MOS管的抗干扰能力，三是阻隔干扰的通路。在本例中，干扰源就是变压器要传递的

6、脉冲，这是无法降低的。给驱动加上负压，可以大大增强MOS管的抗干扰能力，这种方法为许多电源所采用。本例采用第三种方法，即在驱动变压器的各绕组间加绕屏蔽层，其结构如图3所示，共5个绕组和5个屏蔽层。整个变压器包括屏蔽层从左向右逐层绕制，N1接到控制回路的地；两个下管驱动绕组由于电位变化不大，同时与N2连接，实际上是接到了功率地；N3和N4将上管绕组NA包了起来，并与NA的异名端相接；N5将绕组ND与NA隔离。这样每个绕组都和它的屏蔽层同电位，它们之间不会有容性电流。当上管TA导通、上管绕组NA的电位跳升时，屏蔽层N3和N4的电位也要同样跳变，由于N2和N3之间的分布电容，这个跳变将

7、在这两个屏蔽层中间产生电流，但对管子的驱动没有影响，只是会耗损一点主功率。在实际电路中采用了加电磁屏蔽的驱动变压器之后，问题得到了全部解决。　　需要特别提出的是，屏蔽的作用是将各个绕组隔离开，以避免分布电容的不良影响。因此屏蔽层接到什么地方，是需要慎重考虑的，否则可能适得其反。如果图3中的N3、N4不与NA相接，而是与N2一起接到功率地，则电容分布如图4所示，C6、C7分别表示绕组NA的上下端与屏蔽层N3间，也就是功率地间的分布电容(实际上C6、C7分别是包含了图2中C4、C1后