半导体桥火工品静电响应特性与其静电防护分析

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1、硕士学位论文半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护研究作者：赵佳指导教师：张琳南京理工大学2014年3月MasterDissertationResearchontheResponseCharacteristicandProtectiontoESDofSemiconductorBridgeZhaoJia"edupervtsbvProf．bvProt．ZhangLin—_一NanjingUniversityofScience&TechnologyMarch，2014声明本学位论文是我在导师的指导下取得的研究成果，尽我所知，在本学位论文中，除了加以标注和致谢的部分外，不包含其他人已经发表或

2、公布过的研究成果，也不包含我为获得任何教育机构的学位或学历而使用过的材料。与我一同工作的同事对本学位论文做出的贡献均已在论文中作了明确的说明。研究生签名：戈垃办一瞬多劂百学位论文使用授权声明南京理工大学有权保存本学位论文的电子和纸质文档，可以借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容，可以向有关部门或机构送交并授权其保存、借阅或上网公布本学位论文的部分或全部内容。对于保密论文，按保密的有关规定和程序处理。研究生签名必f哆年蜥硕士论文半导体桥火工品静电响应特性及其静电防护摘要本文研究了半导体桥(SCB)火工品的点火特性和SCB火工品在静电环境下的响应特性，并用PSpice软件对半导体桥静

3、电作用过程进行模拟，研究了半导体桥火工品静电防护措施。具体如下：(1)从放电时刻光斑大小、放电曲线、压药压力等多个方面，比较了SCB火工品在电容放电和恒流源激励两种点火方式下的点火性能，掌握了SCB火工品在电容放电和直流点火两种不同激励方式下的点火规律。(2)研究有无药剂对半导体桥静电作用的影响，以及半导体桥在静电作用后性能劣化以及未劣化情况下，半导体桥的性能变化规律。(3)从桥面形状设计和防护器件两个方面研究了SCB火工品本征静电防护：增大半导体桥芯片尺寸、避免容易使电流密集的尖角等特征形状、并联电容以及TVS二极管；使用PSpice软件对半导体桥静电作用过程进行仿真模拟，为下一步

4、静电防护模拟打下坚实基础。(4)探索了SCB火工品脚．壳间多种静电防护的途径。结果表明，管壳与脚线之间涂导电胶，在半导体桥陶瓷塞上设计泄放通道，都可以达到防静电效果；针对脚．壳问放电的薄弱环节，加大了焊锡点与管壳顶端的绝缘材料，增加了焊锡点与管壳侧面距离，防静电效果显著。关键词：SCB、电容放电、恒流源、静电放电、PSpice、泄放通道、TVSAbstract硕士论文Theignitioncharacteristicsofsemiconductorbridge(SCB)andresponsesofSCBtoelectricstaticdischarge(ESD)arestudiedi

5、nthisthesis．PSpiceisusedtosimulatetheelectrostaticinteractionofsemiconductorbridge，andtheelectrostaticprotectionmeasuresofsemiconductorbridgehavebeeninvestigated．Thedetailsofthisthesisareshownasthefollowings：(1)Twokindsofignitionwaysofsemiconductorbridgearecomparedintheviewofdischargeimage，volt

6、age—currentcurve，explosivesandloadingcapacity．Thedischargerulesofconstantcurrentandcapacitancedischargeareconcludedandtheresultsshowedthattheyarevariedintheignitiontime，dischargetime．(2)TheinfluenceofthepresenceofignitionagenttoelectrostaticinteractionsofSCBisresearched，andtheperformancevariati

7、onofSCBwithperformancedegradationandwithoutdegradationafterESDisstudied．(3)TheSCBeigensensitivityelectrostaticprotectionhavebeeninvestigatedfromthebridgedeckshapedesignandprotetivedevicesandtheprotectionwaysshowedthatenlargementof