恒电流库仑分析法测定乙烯基三乙氧基硅烷

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1、恒电流库仑分析法测定乙烯基三乙氧基硅烷李德亮US刘晴I,常志显',张凌-张治军彳(1.河南大学化学化工学院,开封475004;2.河南大学特种功能材料重点实验室,开封475004)摘要:建立了恒电流库仑分析法测定乙烯基•三乙氧基硅烷(VTES)含童的方法。探讨了电解液、反应时间、极化电位、溶剂等因素对测定的影响。结果表明,选用V(甲酸):V(KBr(2mol儿))沖(乙醇)=6:1:3为电解液,极化电位为200mV,VTES与決的四氯化碳溶液反应30min,甲醇为VTES的溶剂时测定结果最佳。该方法用于样品VTES的测定,加

2、标回收率为98.4%~102.7%,相对标准偏差为1.7%。关键词:恒电流库仑分析法;乙烯恳三乙氧基硅烷;测定中图分类号:0657.1文献标识码:A文章编号:10004X720(2009)084974)4乙烯基三乙氧基硅烷(Vinyltriethoxysilane或triethoxyvinylsilane,常缩写为V7ES)是一种应用广泛的偶联剂和交联剂,商品名为A-151,KBE1003,国内多称NQ-51,结构简式为CH2=CH-Si-(2巴)3。能与醇、瞇和苯混溶,而不溶于水,遇水则水解,逐步聚合成大分子,粘度变大。在

3、它的分子中,同时具有能与无机材料(如玻璃、水泥、金属等)结合的反应性基团-gH,和与有机材料(如合成树脂等)结合的反应性基团-CH=CH2,通过其可使两种性能差异很大的材料界面偶联起来,以提高复合材料的性能、增加粘接强度,从而获得性能优异、可靠的新型复合材料⑴。因此,它已广泛应用于塑料山】、橡胶Z)、玻璃同、陶瓷⑺、医药⑻等领域。特别是近20多年,随着纳米材料的兴起和相关行业的发展,使之得到了迅速发展。目前,针对VTES测定的报道还较少,只有许健等⑼对热缩合法生产的市售VTES进行了GC-MS分析,发现其主要杂质是甲基三乙氧

4、基硅烷和少疑乙醇等。简便、快速、灵敏、准确,且不受试样颜色、混浊度及沉淀的影响,无需配制任何标准溶液。库仑滴定以永停终点法确定滴定终点时,还可减少一般容量分析中以指示剂变色确定终点时观测误差,提高准确度,特别适用于有色溶液、混浊溶液的测定。本文建立了恒电流库仑分析法测定VTES的含量的方法,详细讨论了电解液、反应时间、极化电位、溶剂等因素对测定结果的影响,确定了最佳测定条件。样品分析及回收率测定表明,该方法具有较高的精密度和准确度。因此该方法可作为相关产品测定的基本方法,值得推广应用。1实验部分1.1实验原理VTES与过量的

5、澳的四氯化碳溶液在暗处反应一定时间,待双键反应完成后加入过吐的As(ID)标准溶液,除去剩余的澳;剩余的少童心(111)标准溶液,由电解生成的澳单质继续与缶(in)反应。当体系中As([ll)反应完后,电解产生的浪单质立即指示终点(库伦仪永停),测得试样的电解电量Q2.同时做空白实验,测定得电虽Q,根据法拉第定律,求岀VTES的含量。&C二CH-Si(g%h+Bq二BrH2C-CHBr-SKOC^hBr2+H3AsO3+H2O=2Br-+H3AsO4+2H*收稿日期:20086・19;修订日期:2008-10-12基金项目

6、:河南大学科研基金自然科学重点(XK06ZD003)项目资助作者简介:李德亮(1964-)■男.教授;E-mailIideliang@henu.edu.cn97(Q「Q2)xM2xmFx100所以:式中:X为VTES样品的百分含量(%);M为VTES的摩尔质僦(190.31g/mol);m为加入VTES样品的质fi(g);Q、Q2为电fi(C);F为法拉第常数(96487C/mol)o1.2仪器与试剂KLT-1型通用库仑仪(江苏电分析仪器厂)。甲醇、甲酸、无水乙醇、漠酸钾、KBr、四氯化碳、浓也迥、浓HC1、AsiO,、冰

7、醋酸均为分析纯;所用水为二次蒸協水(用前煮沸并冷却之)。VTES对照品(分析纯,含最99.5%,百灵威化学公司)。样品A:南京曙光公司生产的VTES样品(测定时溶于甲醇中)。1.3实验方法1.3.1溶液配制1.412x10"3mol/L的As(DI)溶液的配制:准确称取A^O,0.1400g,放置于200mL烧杯中,加入5mL200g/LNaOH,直至他。3完全溶解后,以酚猷做指示剂,用1mol/LH2SO4中和至无色,再过量10mLo转入1000mL容量瓶中用蒸憎水稀释至刻度。Br2-CC14溶液(约6x10"mol/L)

8、:称取0.0167gKBiOa,加入2mol/L的KBr1mL,然后滴入几滴浓HC1,溶液立刻有黄色烟雾生成,并有刺鼻的漠单质气体产生。立即加入适欣四氯化碳溶液萃取3~4次一并移入50mL容虽瓶中,最后用四氯化碳溶液定容。电解液A:300mL冰醋酸中依次加入150mL甲醇,50mL2mol

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