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《苝酰亚胺类材料的的结晶性能与表征【开题报告】》由会员上传分享，免费在线阅读，更多相关内容在工程资料-天天文库。
1、毕业论文开题报告高分子材料与工程范酰亚胺类材料的的结晶性能与表征一、选题的背景和意义设计高性能n型材料的一个非常重要的因素是探索材料的结晶性能，制备出具有较好晶体结构的有机晶体。在晶体生长过程中，存在着溶质和溶质、溶质和溶剂之间的相互作用，以及溶剂与品体界面和生长基元表面的相互作用，这些因素都是直接影响到生长基元往界面上叠合的难易程度和叠合效率。冃前，有机半导体结晶特性的研究还不成熟，相关的报道不多。在有机半导体晶体生长方法的研究方面，主要报道的方法在大尺寸高质量晶体生长方面都存在一定的局限性，有待研究和开发新型有机半导体晶体牛长的方法。在有机半导体晶体
2、生长和结构控制研究方面，有关有机半导体晶体成核理论、长大机制、择优取向、杂质与缺陷、尺寸与形貌控制等科学问题的研究述处在起步阶段,有待系统深入的研究。本课题准备运用不同的溶液法生长四种花酰亚胺类材料的晶体，包括带有苯基和直链烷基的花酰亚胺的材料，观察其形貌特点，了解其在不同条件下的结晶性能，分析这些官能团对于范酰亚胺结晶性能的影响。通过比较寻找适合不同材料的能够生长岀大尺寸高质量品体的最佳条件，为制备具有较好结品性能的n型有机半导体材料提供更多意见与经验。二、研究目标与主要内容在高性能有机半导体材料的研究方面，设计出较好的分子结构I古1然重要，但是探索这
3、些材料的结晶性能，进而研究如何制备较好的晶体结构也是非常重要的，这是因为器件的性能好坏在很大程度上与材料的晶体结构有关。晶体的结晶形态不仅与晶体内部的结构有关，还与牛长时的物理、化学条件密切相关。研究晶体的牛长习性就是把晶体内部结构与生长时的条件密切结合起来本论文运用不同的溶液法生长岀范酰亚胺类材料的品体，一序列的实验发现为制备优异性能的n型有机半导体材料提供了数据积累。在光电技术高度发展的今天，我们仍然需要不断探索具有较好分子结构以及结晶性能的n型半导体材料。1.前言：有机半导体材料光电材料的介绍2.花酰亚胺光电材料的影响和国内外的研究以及存在的某些不
4、足之处，并提出有效方案改进其性能。3.实验部分：运用不同的溶液法生长岀范酰亚胺类材料的品体4.晶片形貌的表征5.结果与讨论观察比较不同的花酰亚胺材料结晶的形状以及特点。6.总结研究在不同溶剂、生长环境等条件下对花酰亚胺材料的结品性能产生的影响。寻找最适合结晶的原料以及结晶方法。为制备具有较好结晶性能的n型有机半导体材料提供更多意见与经验。三、拟采取的研究方法、研究手段及技术路线、实验方案等采用已经合成的并通过红外、紫外等方法表征了分子结构的N,N‘-二苯基-3,4,9,10-四竣基二酰亚胺、N,N'-二（4-氟代苯基）-3,4,9,10-四竣基二酰亚胺、
5、N,N'-二（正丁基）-3,4,9,10-花四竣基二酰亚胺、N,N'-二（正辛基）-3,4,9,10-花四竣基二酰亚胺来配制其饱和溶液，采用溶剂非溶剂交换法、再沉淀法、浇铸法、非溶剂注入饱和溶液法、热饱和溶液缓慢降温法来生长花酰亚胺衍生物的品体。利用偏光显微镜观察并表征晶体的形貌与结构，从而探索花酰亚胺衍生物的生长机制，研究在不同溶剂、生长环境等条件下对其结晶性能产生的影响。四、中外文参考文献目录[1]YankeChe.EnhancingOne-DimensionalChargeTransportthroughIntermolecular兀-Electr
6、onDelocalization:ConductivityImprovementforOrganicNanobelts
7、J
8、.J.Am.Chem.Soc.,2007,129(20):6354-6355.[2]EddaE.Neuteboom,StefanC.J.Meskers,E.W.Meijer.PhotoluminescenceofSelf-organizedPeryleneBisimedePolymers.J.Phys.Chem.C,2003,112:1828-1837.[3]YankeChe,XiaomeiYang,KaushikBalakrish
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10、类衍生物有机电子传输材料的研究[D].浙江大学,2006.[7]H.Z.Chen
