应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计

应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计

ID:32760780

大小:15.99 MB

页数:86页

时间:2019-02-15

应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计_第1页
应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计_第2页
应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计_第3页
应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计_第4页
应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计_第5页
资源描述:

《应用的论文于gsm%2ftd-scdma射频功率放大器的研究和设计》由会员上传分享,免费在线阅读,更多相关内容在学术论文-天天文库

1、东南大学学位论文独创性声明本人声明所呈交的学位论文是我个人在导师指导下进行的研究工作及取得的研究成果。尽我所知,除了文中特别加以标注和致谢自批方外,论文中不包含其他人已经发表或撰写过的研究成果,也不包含为获得东南大学或其它教育机构的学位或证书而使用过的材料。与我一同工作的同志对本研究所做的任何贡献均已在论文中作了明确的说明并表示了谢意。研究生签名:东南大学学位论文使用授权声明东南大学、中国科学技术信息研究所、国家图书馆有权保留本人所送交学位论文的复印件和电子文档,可以采用影印、缩印或其他复制手段保存论文。

2、本人电子文档的内容和纸质论文的内容相一致。除在保密期内的保密论文外,允许论文被查阅和借阅,可以公布(包括刊登)论文的全部或部分内容。论文的公布(包括刊登)授权东南大学研究生院办理。研究生签名:墅!茎导师签名:口甘日矽ft;。‘日期:二:!摘要捅要随着无线通信技术的飞速发展和移动互联网的逐步部署以及用户需求的日益提高,逐渐要求无线收发机具有多模的功能。一般来说,一个多模收发机通常要求采用多个PA,而采用多模功率放大器代替多个功率放大器则有着很好的市场前景。在当前市场上,手机用PA大都是采用GaAs工艺。如果

3、采用SiGeBiCMOS工艺或CMOS工艺代替GaAs工艺可得到较高性价比的PA,不仅可以降低成本,还可以提高产品的集成度。本文首先介绍了在功率放大器设计中所涉及到的各种器件的模型,包括HBT模型、集成无源器件模型和分立无源器件模型;然后详细介绍和分析了功率放大器有关的理论,诸如传统功率放大器的理论、开关功率放大器理论、匹配理论、功率放大器的非线性分析以及功率放大器的拓扑结构。在这些理论基础上,完成了射频功率放大器模块的设计。本文基于GSMCO.18岬SiGeBiCMOS工艺设计了一个应用于GSM和TD.

4、SCDMA系统的功率放大器模块,完成了从电路设计、版图设计、仿真到最后芯片键合测试的所有工作。第一次流片的测试结果显示两个通路的功率放大器,其中心频率分别从900MHz和1900MHz偏移到548MHz和862MHz;最大输出功率分别为23.19dBm,18.56dBm;增益分别为10dB和15dB,测试结果较后仿真结果有一些区别。分析其原因,一方面是因为我们第一次使用GSMCO.189mSiGeBiCMOS工艺;另外一方面该工艺是宏力半导体公司刚推出不久,器件模型方面也不是很准确;还有就是第一次设计时,

5、对后期实际测试情况和可操作性考虑不周。基于测试结果和仿真结果的偏差,进行了分析总结,并给出了优化的设计。优化设计的芯片,其后仿真结果显示:高(低)频通路的功率放大器的增益为28.2dB(32.91dB),最大输出功率为30.13dBm(30.16dBm),输出功率ldB压缩点为27.06dBm(26.3ldBm),PAE为38.49%(41.45%)。关键字:射频收发机,功率放大器,SiGeBiCMOS,HBT——一!!!!!苎!!AbstractWiththerapiddevelopmentofwire

6、lesscommunicationtechnologyandmobileIntemet,multi-modewirelesstransceiveriSinneedatthepresentday.Ingeneral.amulti.modetransceiverusuallyrequiresmorethanonepoweramplifier,whiletheselectionofmulti-modePAinsteadofmultiplePAshasabettermarketprospects.Inthecur

7、rentmarket,PAineellphoneiSmostlybasedonGamsprocess.Acost-effectivePAcanbegotbyusingSiGeBiCMOSorCMOStechnologyinsteadofGaAsprocess,whichmeansitcannotonlyreducethecostbutalsoimprovetheproductintegration.Inthispaper,first,themodelofavarietyofdevicesincluding

8、HBT,integratedpassivedeviceanddiscretepassivedevicewhichareinvolvedinthepoweramplifierdesigniSintroduced;Thenthepoweramplifiertheoryandsomeanalyzessuchasconventionalpoweramplifiertheory,switchingpoweramplifiertheory

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文

此文档下载收益归作者所有

当前文档最多预览五页,下载文档查看全文
温馨提示:
1. 部分包含数学公式或PPT动画的文件,查看预览时可能会显示错乱或异常,文件下载后无此问题,请放心下载。
2. 本文档由用户上传,版权归属用户,天天文库负责整理代发布。如果您对本文档版权有争议请及时联系客服。
3. 下载前请仔细阅读文档内容,确认文档内容符合您的需求后进行下载,若出现内容与标题不符可向本站投诉处理。
4. 下载文档时可能由于网络波动等原因无法下载或下载错误,付费完成后未能成功下载的用户请联系客服处理。